开关驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种开关驱动电路，包括控制信号产生电路、功率开关驱动电路、功率开关P1；所述控制信号产生电路用于产生控制信号S1；所述述功率开关驱动电路的输入端与控制信号产生电路连接；所述功率开关驱动电路接收控制信号S1后，功率开关驱动电路输出信号S2给功率开关P1；所述功率开关P1为功率控制开关，用于控制功率控制开关连接的节点A、节点B之间的连通或关断。本实用新型专利技术可以控制功率开关P1缓慢打开与关闭，降低功率开关在开通和关闭时对电源和储能元件的瞬间冲击，降低对系统敏感信号的干扰，同时可以避免功率开关P1的栅极信号在稳态下不受系统其它信号干扰。在稳态下不受系统其它信号干扰。在稳态下不受系统其它信号干扰。

【技术实现步骤摘要】
开关驱动电路


[0001]本技术涉及电源
，特别涉及一种开关驱动电路。

技术介绍

[0002]在一些电源系统中，涉及到人为设定的开关机切换而需要开通或关闭功率开关管，或者系统有异常情况而发生保护以及异常情况消失后恢复正常情况下，也需要开通或关闭功率开关管。传统功率开关驱动电路80(参照图2)，使用多级反相器级联用于驱动功率开关P1，该传统开关驱动电路的缺点是：如果设定驱动电路的最后一级反相器驱动能力太大，则功率开关P1的开通和关闭速度非常快，这会导致对系统供电电源、储能元器件的瞬间冲击较大，干扰电源系统的稳定性以及元器件的使用寿命，同时容易对系统其它的敏感信号造成干扰；如果设定驱动电路的最后一级反相器驱动能力很小，虽然可以降低功率开关管开通和关闭的速度从而减轻对系统的冲击，但是由于最后一级反相器I2驱动能力很小，如果有一些干扰信号传递到最后一级反相器的输出节点S2，很容易导致S2跳变而导致功率开关管的工作状态发生错误。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的问题，本技术提供一种开关驱动电路。
[0004]为了实现上述目的，本技术技术方案如下：
[0005]一种开关驱动电路，其特征在于，包括控制信号产生电路、功率开关驱动电路、功率开关P1；所述控制信号产生电路用于产生控制信号S1；所述述功率开关驱动电路的输入端与控制信号产生电路连接；所述功率开关驱动电路接收控制信号S1后，功率开关驱动电路输出信号S2给功率开关P1；所述功率开关P1为功率控制开关，用于控制功率控制开关连接的节点A、节点B之间的连通或关断。
[0006]较佳地，所述功率开关驱动电路，包括第一驱动电路、电平转换电路、第二驱动电路；所述第一驱动电路输入端接控制信号产生电路的控制信号S1，其输出信号S2；所述电平转换电路一输入端接S1，另一输入端接S2，其一输出端信号为S3，另一输出端信号为S4；所述第二驱动电路一输入端接S3，另一输入端接S4，其输出端接输出信号S2。
[0007]较佳地，所述第一驱动电路包括PMOS管MP1、电阻R1、NMOS管MN1、电阻R2；所述控制信号产生电路的输出信号S1分别与所述的PMOS管MP1的栅极、NMOS管MN1的栅极连接；所述电阻R1一端与PMOS管MP1的漏极连接，另一端与电阻R2的一端连接于节点S2；所述R2的另一端与NMOS管MN1的漏极连接；所述NMOS管MN1的源极接地，所述PMOS管MP1的源极接电源VIN。
[0008]较佳地，所述第二驱动电路包括PMOS晶体管MP2、NMOS晶体管MN2；所述PMOS晶体管MP2的栅极与电平转换电路的输出端S3连接，PMOS晶体管 MP2的源极接电源VIN；所述PMOS晶体管MP2的漏极与NMOS晶体管MN2的漏极连接于功率开关P1的栅极节点S2；所述NMOS晶体管MN2的栅极与电平转换电路的输出端S4连接，NMOS晶体管MN2的源极接地；所述节点S2作为功率开关驱动电路的输出信号，用于驱动功率开关P1的栅极。
[0009]较佳地，所述电平转换电路接受输入信号S1和S2，经过电平转换后输出信号S3和S4，其中S3用于控制PMOS管MP2，S4用于控制NMOS管MN2。
[0010]较佳地，所述PMOS管MP1与电阻R1控制驱动输出信号S2的上升速度， NMOS管MN1与电阻R2能控制驱动输出信号S2的下降速度，通过降低输出信号S2的上升和下降速度，从而降低功率开关P1的开通和关闭速度，降低对系统的冲击；同时PMOS晶体管MP2与NMOS晶体管MN2能吸收传递到节点S2 的一些干扰信号，从而保证功率开关P1的状态稳定不受干扰。
[0011]较佳地，所述电阻R1、R2电阻均为限流电阻。
[0012]较佳地，所述功率开关P1设为PMOS开关管或NMOS开关管。
[0013]采用本技术的技术方案，具有以下有益效果：本技术可以根据需要调节功率开关的开通和关闭速度，从而很大程度上降低功率开关在开通和关闭瞬间对系统供电电源、储能元器件的冲击，增强电源的稳定性，延长储能元器件的寿命，同时避免对系统敏感信号造成干扰，可以解决现有驱动电路所面临的诸多弊端。
附图说明
[0014]图1为本技术的开关驱动电路示意图；
[0015]图2为传统的开关驱动电路示意图。
具体实施方式
[0016]以下结合附图和具体实施例，对本技术进一步说明。
[0017]参照图1，本技术提供一种开关驱动电路，包括控制信号产生电路1、功率开关驱动电路2、功率开关P1(3)；所述述功率开关驱动电路2的输入端与控制信号产生电路1连接；所述功率开关驱动电路2接收控制信号S1后，功率开关驱动电路2输出信号S2给功率开关P1(3)；所述功率开关P1(3)为功率控制开关，用于控制功率控制开关连接的节点A、节点B之间的连通或关断。
[0018]所述功率开关驱动电路2包括第一驱动电路201、电平转换电路202、第二驱动电路203；所述第一驱动电路201输入端接控制信号产生电路的控制信号 S1，第一驱动电路201的输出信号为S2；所述电平转换电路202一输入端接S1，另一输入端接S2，其一输出端信号为S3，另一输出端信号为S4；所述第二驱动电路203一输入端接S3，另一输入端接S4，其输出端接输出信号S2。
[0019]所述第一驱动电路201包括PMOS管MP1、电阻R1、NMOS管MN1、电阻 R2；所述控制信号产生电路的输出信号S1分别与所述的PMOS管MP1的栅极、 NMOS管MN1的栅极连接；所述电阻R1一端与PMOS管MP1的漏极连接，另一端与电阻R2的一端连接于节点S2；所述R2的另一端与NMOS管MN1的漏极连接；所述NMOS管MN1的源极接地，所述PMOS管MP1的源极接电源VIN。
[0020]所述第二驱动电路203包括PMOS晶体管MP2、NMOS晶体管MN2；所述 PMOS晶体管MP2的栅极与电平转换电路的输出端S3连接，PMOS晶体管MP2 的源极接电源VIN；所述PMOS晶体管MP2的漏极与NMOS晶体管MN2的漏极连接于功率开关P1的栅极节点S2；所述NMOS晶体管MN2的栅极与电平转换电路的输出端S4连接，NMOS晶体管MN2的源极接地；所述节点S2作为功率开关驱动电路的输出信号，用于驱动功率开关P1的栅极。
[0021]所述电平转换电路接受输入信号S1和S2，经过电平转换后输出信号S3和S4，其中
S3用于控制PMOS管MP2，S4用于控制NMOS管MN2。
[0022]在驱动功率开关P1开通和关闭的过程中，由PMOS管MP1和电阻R1控制驱动输出信号S2的上升速度，由NMOS管MN1和电阻R2控制驱动输出信号S2的下降速度，这样通过降低S2的上升和下降速度，从而降低功率开关P1的开通和关闭速度，降低对系统的冲击；同时在功率开关P1的稳态工作工程中，通过PMOS晶体管MP2的强上拉或者NMOS晶体管MN本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种开关驱动电路，其特征在于，包括控制信号产生电路、功率开关驱动电路、功率开关P1；所述控制信号产生电路用于产生控制信号S1；所述功率开关驱动电路的输入端与控制信号产生电路连接；所述功率开关驱动电路接收控制信号S1后，功率开关驱动电路输出信号S2给功率开关P1；所述功率开关P1为功率控制开关，用于控制功率控制开关连接的节点A、节点B之间的连通或关断。2.根据权利要求1所述的开关驱动电路，其特征在于，所述功率开关驱动电路，包括：第一驱动电路、电平转换电路、第二驱动电路；所述第一驱动电路输入端接控制信号产生电路的控制信号S1，其输出信号S2；所述电平转换电路一输入端接S1，另一输入端接S2，其一输出端信号为S3，另一输出端信号为S4；所述第二驱动电路一输入端接S3，另一输入端接S4，其输出端接输出信号S2。3.根据权利要求2所述的开关驱动电路，其特征在于，所述第一驱动电路包括PMOS管MP1、电阻R1、NMOS管MN1、电阻R2；所述控制信号产生电路的输出信号S1分别与所述的PMOS管MP1的栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓小兵，
申请(专利权)人：深圳凌扬微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：