具有改进的石英滚轴的快速加热机台制造技术

一种快速加热机台，用于对一玻璃基板上的离子掺杂多晶硅层进行快速加热工艺，该快速加热机台包括：　　　　两侧板；　　　　多个滚轴，被置于该两侧板之间；与　　　　一传送系统，用以带动该多个滚轴转动，其中该多个滚轴具有凹凸状的外表面。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种快速加热机台，特别涉及一种具有凹凸状的外表面石英滚轴的快速加热机台。
技术介绍
液晶显示器(liquid crystal display，LCD)使用薄膜晶体管(thin-filmtransistors，TFTs)作为驱动元件，因为非晶硅(amorphous slilcon，a-Si)可以于200-300℃低温生成，因此目前被广泛应用。但a-Si TFTs的电子迁移率(electron mobility)低，一般不超过1cm2/V·s，使得a-Si TFTs已不能满足高速元件应用的需求，而多晶硅(polycrystalline Silicon，ploy-Si)TFTs相较于a-Si TFTs有较高的迁移率(比a-Si高出2-3个数量级)及低温敏感性(lowtemperature sensitivity)，因此其更适于高速元件的应用。多晶硅是一种晶粒约为0.1至数个μm大小、以硅为基底的材料。在液晶显示器面板产业中，多晶硅通常经由低压化学汽相沉积(LPCVD、LowPressure Chemical Vapor Deposition)非晶硅后，再以激光扫描非晶硅的程序生成，此方法称为激光结晶法(Laser Crystallization)。虽然多晶硅的生成远比非晶硅复杂许多，但因poly-Si TFT的电子迁移率比a-Si TFT高出百倍，且可在玻璃基板上直接进行CMOS工艺，故其前景看好。以下列出一些p-Si优于a-Si的特性1.电子迁移率快，可直接在玻璃基板上制作驱动电路，降低成本。2.高迁移率代表可提供大电流，而有机发光显示器(Organic LightEmitting Diode、OLED)需要较大的驱动电流，因此适合作为有源矩动阵式有机发光显示器(AMOLED)的基板。3.由于部分驱动电路可直接制作于玻璃基板上，因此电路板(PCB)上的电路相对简单，进而可以减少PCB面积，使其符合产品短小轻薄的需求。以传统方式进行激光结晶工艺将a-Si形成ploy-Si后，尚需进行离子掺杂及活化工艺，增加ploy-Si的导电性，其中，采用快速加热工艺技术(RapidThermal Process，RTP)，是目前最常应用于离子活化工艺阶段的一种技术，以红外线瞬间加热方式，做选择性加热，利用物质对红外线(IR)有不同吸收率的特性，使poly-Si层中的掺杂物被活化；而玻璃基板不吸收红外线，不会发生玻璃基板因工艺温度太高而产生破裂问题。该技术将可有效地使掺杂物活化速度提高，加热时间缩短，适用于量产上。目前LTPS工艺中，典型的RTP机台主要结构及功能可略述如下1.预热区(Pre-heat Zones)以红外线卤素灯(Infrared halogen lamps)，将玻璃基板由室温渐进加热至特定的预热温度。2.热工艺区(Thermal Process)以氙气灯(Xenon Arc Lamp)，将玻璃基板上所沉积的多晶硅层(silicon film layer)，从预热温度快速加热至所设定的工艺温度。3.后工艺加热区(Post-process heating Zones)以红外线卤素灯(Infraredhalogen lamps)，将玻璃基板由高温状态和降至低温，避免因急速降温造成玻璃基板碎裂。4.传送系统(Conveyor System)利用马达经齿轮带带动石英滚轴(quartzroller)，利用石英滚轴的转动将玻璃基板传送通过上述各加热区。图1为典型的RTP炉10的部分侧面示意图，玻璃基板12利用逆时钟方向转动的石英滚轴14沿着箭头方向前进，石英滚轴14的间距约为100mm。图2则为RTP炉10的俯视示意图，石英滚轴14被固定于两侧板16(Side Chamber Wall)之间，玻璃基板12置于石英滚轴14的上方沿着箭头方向前进。由上述图中可知，在典型的RTP炉内，是利用石英滚轴与玻璃基板底面接触产生的摩擦力来达到传送玻璃基板的目的。然而，由于玻璃基板底面不断地与石英滚轴摩擦，且石英的硬度较玻璃硬，造成玻璃基板底面的刮伤和微粒(particle)的产生；另外摩擦也会产生大量的静电也会对面板造成损伤，以上的种种因素都会导致产品合格率降低。
技术实现思路
鉴于上述的专利技术背景中，现有技术使用均一表面石英滚轴的快速加热机台，因为玻璃基板背面是全部与石英滚轴接触，容易在传送过程对玻璃基板背面造成刮伤与产生微尘颗粒污染及静电现象，降低工艺合格率与增加制造成本。故本专利技术提供一种改良石英滚轴的快速加热机台，有效避免现有技术缺点的产生。本专利技术的一个目的，在于提供一种改进的石英滚轴的快速加热机台，其利用具有凹凸状外表面的石英滚轴达成避免面板背面被刮伤的目的，以提升产品合格率。本专利技术的另一个目的，在于提供一种改良石英滚轴的快速加热机台，其利用具有凹凸状外表面的石英滚轴减少传送过程因摩擦所造成的微颗粒及静电现象，以提升产品合格率。根据以上所述的目的，本专利技术提供了一种快速加热(Rapid ThermalProcess、RTP)机台，用以将一玻璃基板上的离子掺杂多晶硅层(doping siliconfilm layer)，进行快速加热工艺，包含两侧板(Side Chamber Wall)；多个滚轴(roller)，其被置于该两侧板之间；与一传送系统(Conveyor System)，用以带动该多个滚轴转动，其中该多个滚轴具有凹凸状的外表面。根据上述构想，其中该多个滚轴为石英滚轴。根据上述构想，其中该多个滚轴的凸起外表面与该玻璃基板背面相接触。根据上述构想，其中该玻璃基板上具有多个面板(Panel)。根据上述构想，其中该多个滚轴的凸起外表面与该多个面板背面不接触。根据以上所述的目的，本专利技术提供了一种滚轴，用于传送一玻璃基板于快速加热(RTP)机台，具有凹凸状的外表面。根据上述构想，其中该滚轴为石英滚轴。根据上述构想，其中该滚轴的凸起外表面与该玻璃基板背面相接触。根据上述构想，其中该玻璃基板上具有多个面板(Panel)。根据上述构想，其中该滚轴的凸起外表面与该多个面板背面不接触。附图说明图1是典型的快速加热(RTP)机台的部分侧面示意图；图2是典型的快速加热(RTP)机台的部分俯视示意图；图3是现有技术均一状石英滚轴的侧面示意图；图4是本专利技术实施例的凹凸状石英滚轴的侧面示意图；及图5是本专利技术实施例的凹凸状石英滚轴的凸起部所对应具有面板的玻璃基板位置关系图。附图标记说明10快速加热(RTP)机台12玻璃基板14现有技术的均一状石英滚轴16侧板22玻璃基板24本专利技术的凹凸状石英滚轴25本专利技术的石英滚轴的凸出外表面26面板具体实施方式本专利技术的一些实施例将详细描述如下。然而，除了详细描述外，本专利技术还可以广泛地在其他的实施例施行，且本专利技术的保护范围不受这些实施例的限定，该范围以所附权利要求书为准。现有技术RTP炉10内用作承载及传送之用的石英滚轴14，其具有平坦的外表面，如图3所示。因此当玻璃基板进行快速加热工艺(RTP)时，玻璃基板背面是全部与石英滚轴外表面接触摩擦，造成大量的微粒和静电产生。图4所示为本专利技术的石英滚轴24，其外表面已被改变成凹凸状，如此一来当玻璃基板在进行快速加热工艺(RTP)时，玻璃基板背面只有部分与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赖宏德，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：