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用于可重构SARADC的参考电压产生电路制造技术

技术编号:27140629 阅读:15 留言:0更新日期:2021-01-27 21:09
本发明专利技术涉及模拟集成电路领域,为提出一种用与可重构SAR ADC的参考电压产生电路结构,实现闭环反馈调节,实现偏置电流跟随采样率变化,节省能耗,适用于多种应用场景。本发明专利技术,用于可重构SAR ADC的参考电压产生电路,包括一个空闲时间检测电路,一个由固定电流和可变电流构成的电流源,一个由运算放大器和MOS管构成的源跟随器,空闲时间检测电路在时序的控制下产生不同的输出电压VCON,控制电流源产生不同驱动能力的电流,提供给源跟随器,从而产生不同驱动能力的参考电压VREF提供给逐次逼近型模数转换器核心电路实现可重构。本发明专利技术主要应用于模拟集成电路设计制造场合。应用于模拟集成电路设计制造场合。应用于模拟集成电路设计制造场合。

【技术实现步骤摘要】
用于可重构SAR ADC的参考电压产生电路


[0001]本专利技术涉及模拟集成电路领域,特别涉及一种可用于模数转换器的参考电压产生电路结构。

技术介绍

[0002]随着微电子工艺技术的发展,工艺晶体管的特征尺寸与电源电压越来越低,逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)以其独特的架构特点,在深纳米工艺下越来越具有优势,结合一些高速技术,如异步逻辑技术、自定时技术、时间交织技术、数字冗余与补偿技术、流水线辅助技术以及单步多比特技术等,SAR ADC逐渐向宽带通信应用领域扩展,并显示出更广阔的前景。针对应用场景广,指标需求不同的特点,设计可重构SAR ADC能够实现资源的最大利用,是ADC发展的趋势。
[0003]可重构ADC设计的主要难点在于如何保证在不同的分辨率、采样率配置下能效的稳定性,如何保证静态功耗随采样率合理变化是研究重点。基于开关电容的方法,将电路偏置电流与采样率设置联系起来,是一种常见方式,但单纯采用这种方法具有一定的盲目性,电路偏置电流是否设置合理无法判定。

技术实现思路

[0004]为克服现有技术的不足,本专利技术旨在提出一种用与可重构SAR ADC的参考电压产生电路结构,实现闭环反馈调节,实现偏置电流跟随采样率变化,节省能耗,适用于多种应用场景。为此,本专利技术采取的技术方案是,用于可重构SAR ADC的参考电压产生电路,包括一个空闲时间检测电路,一个由固定电流和可变电流构成的电流源,一个由运算放大器和MOS管构成的源跟随器,空闲时间检测电路在时序的控制下产生不同的输出电压VCON,控制电流源产生不同驱动能力的电流,提供给源跟随器,从而产生不同驱动能力的参考电压VREF提供给逐次逼近型模数转换器核心电路实现可重构。
[0005]所述的空闲时间检测电路由电流源、开关和电容构成,其连接关系是:电流源的一端连接电源,另一端连接开关S1的一端和开关S2的一端;开关S1的一端连接电流源的输出端和开关S2的一端,开关S1的另一端连接开关S3的一端、电容C1的一端和开关S4的另一端,开关S2的另一端连接VSS,开关S3的另一端连接VSS,电容C1的另一端连接VSS,开关S4的另一端连接输出端VCON和电容C2的一端,电容C2的另一端连接VSS。
[0006]所述的电流源由固定电流源和可变电流源构成,包括PMOS管M4和NMOS管M5以及PMOS管M1,其连接关系是:PMOS管M4的栅端连接空闲时间检测电路的输出端VCON,漏端连接VSS,源端连接PMOS管M1的漏端和栅端、NMOS管M5的栅端和漏端和源跟随器电路中PMOS管M2的栅端,NMOS管的源端连接VSS,PMOS管M1的源端连接VDD。
[0007]所述的源跟随器由MOS管M2、M3、M6、M7和远算放大器构成,其连接关系如下:PMOS管M2的源端连接VDD,栅端连接电流源电路中PMOS管M1的栅端和PMOS管M3的栅端,漏端连接运算放大器的负向输入端和PMOS管M6的源端,运算放大器的正向输入端连接输入信号VIN
+,输出端连接PMOS管M6的栅端和PMOS管M7的栅端,漏端连接VSS,PMOS管M3的源端连接VDD,漏端连接输出端VREF和PMOS管M7的源端,PMOS管M7的漏端连接VDD。
[0008]电流源的电流经过M2管和M3管的镜像实现复制,运算放大器的负向输入端连接M6管的源端,形成负反馈,当负向输入端信号在小信号范围内增大时,运算放大器的输出端电压减小,因为M6管所在支路电流恒定,M6管的源端电压减小,使得运算放大器的负向输入端电压信号减小,趋于稳定,驱动能力变强;因为M7管和M3管的栅端分别连接着M6管和M2管的栅端,故输出电压VREF同M6管源端即运算放大器负向输入端的电压一样稳定。
[0009]本专利技术的特点及有益效果是:
[0010]本专利技术一种用与可重构SAR ADC的参考电压产生电路,包括一个空闲时间检测电路,一个由固定电流和可变电流构成的电流源和一个由运算放大器和MOS管构成的源跟随器。本专利技术配合自定时技术,能够实现功耗随分辨率/采样率自适应调节,进而实现可重构SAR ADC,相比于传统基于开关电容的方法实现了闭环调节,其功耗调节更精准,更稳定。
附图说明:
[0011]图1是本专利技术的用于可重构SAR ADC的参考电压产生电路原理图;
[0012]图2是本专利技术中的空闲时间检测电路原理图。
[0013]图3是本专利技术中运算放大器的原理图。
具体实施方式
[0014]针对现有技术,本专利技术提供了一种用与可重构SAR ADC的参考电压产生电路结构,其实现了闭环反馈调节,实现了偏置电流跟随采样率变化,节省了能耗,适用于多种应用场景。
[0015]为了解决上述技术问题,本专利技术提出的一种用于可重构SAR ADC的参考电压产生电路,包括一个空闲时间检测电路,一个由固定电流和可变电流构成的电流源,一个由运算放大器和MOS管构成的源跟随器。空闲时间检测电路在时序的控制下产生不同的输出电压VCON,控制电流源产生不同驱动能力的电流,提供给源跟随器,从而产生不同驱动能力的参考电压VREF提供给SAR ADC核心电路实现可重构。所述的空闲时间检测电路由电流源、开关和电容构成,其连接关系是:电流源的一端连接电源,另一端连接开关S1的一端和开关S2的一端,开关S1的一端连接电流源的输出端和开关S2的一端,开关S1的另一端连接开关S3的一端、电容C1的一端和开关S4的另一端,开关S2的另一端连接VSS,开关S3的另一端连接VSS,电容C1的另一端连接VSS,开关S4的另一端连接输出端VCON和电容C2的一端,电容C2的另一端连接VSS。所述的电流源由固定电流源和可变电流源构成,包括PMOS管M4和NMOS管M5以及PMOS管M1。其连接关系是:PMOS管M4的栅端连接空闲时间检测电路的输出端VCON,漏端连接VSS,源端连接PMOS管M1的漏端和栅端、NMOS管M5的栅端和漏端和源跟随器电路中PMOS管M2的栅端,NMOS管的源端连接VSS,PMOS管M1的源端连接VDD。所述的源跟随器由MOS管M2、M3、M6、M7和远算放大器构成,其连接关系如下:PMOS管M2的源端连接VDD,栅端连接电流源电路中PMOS管M1的栅端和PMOS管M3的栅端,漏端连接运算放大器的负向输入端和PMOS管M6的源端,运算放大器的正向输入端连接输入信号VIN+,输出端连接PMOS管M6的栅端和PMOS管M7的栅端,漏端连接VSS,PMOS管M3的源端连接VDD,漏端连接输出端VREF和PMOS管M7的源
端,PMOS管M7的漏端连接VDD。
[0016]本专利技术提出一种用于可重构SAR ADC的参考电压产生电路,其电路如图1所示,包括一个空闲时间检测电路,一个由固定电流和可变电流构成的电流源,一个由运算放大器和MOS管构成的源跟随器。空闲时间检测电路在时序的控制下产生不同的输出电压VCON,控制电流源产生不同驱动能力的电流,提供给源跟随器,从而产生不同驱动能力的参考电压VREF本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于可重构SAR ADC的参考电压产生电路,其特征是,包括一个空闲时间检测电路,一个由固定电流和可变电流构成的电流源,一个由运算放大器和MOS管构成的源跟随器,空闲时间检测电路在时序的控制下产生不同的输出电压VCON,控制电流源产生不同驱动能力的电流,提供给源跟随器,从而产生不同驱动能力的参考电压VREF提供给逐次逼近型模数转换器核心电路实现可重构。2.如权利要求1所述的用于可重构SAR ADC的参考电压产生电路,其特征是,所述的空闲时间检测电路由电流源、开关和电容构成,其连接关系是:电流源的一端连接电源,另一端连接开关S1的一端和开关S2的一端;开关S1的一端连接电流源的输出端和开关S2的一端,开关S1的另一端连接开关S3的一端、电容C1的一端和开关S4的另一端,开关S2的另一端连接VSS,开关S3的另一端连接VSS,电容C1的另一端连接VSS,开关S4的另一端连接输出端VCON和电容C2的一端,电容C2的另一端连接VSS。3.如权利要求1所述的用于可重构SAR ADC的参考电压产生电路,其特征是,所述的电流源由固定电流源和可变电流源构成,包括PMOS管M4和NMOS管M5以及PMOS管M1,其连接关系是:PMOS管M4的栅端连接空闲时间检测电路的输出端VCON,漏端连接VSS,源端连接PMOS管M1的漏端和栅端、N...

【专利技术属性】
技术研发人员:叶茂赵逸飞赵毅强高曼
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:

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