双管正激输出同步整流电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种双管正激输出同步整流电路，包括：主变压器，所述主变压器包括：初级绕组和次级绕组；初级逆变单元，初级逆变单元包括：与初级绕组相连接的第一整流管和第二整流管、与第一整流管和第二整流管相连接的第一二极管和第二二极管；次级整流单元，次级整流单元包括：依次与次级绕组相连接的第三整流管、第四整流管和第五整流管、连接于所述第五整流管两端的调配电容，以及，第三二极管；以及，滤波单元。由于肖特基二极管无恢复时间，所以在死区时间里第一整流管的寄生二极管导通不会造成主变压器的次级绕组短时短路，因此也不会产生电流、电压尖峰,拓扑的可靠性、自兼容性和电磁兼容性相比普通同步整流电路更佳。性和电磁兼容性相比普通同步整流电路更佳。性和电磁兼容性相比普通同步整流电路更佳。

【技术实现步骤摘要】
双管正激输出同步整流电路


[0001]本技术涉及电路
，特别涉及一种双管正激输出同步整流电路。

技术介绍

[0002]开关电源应用于低压大电流领域，次级侧通常需要使用同步整流技术，即使用MOS管开关替代传统的二极管来整流、续流，以降低整流时二极管正向压降带来的损耗，提升电源转换效率和可靠性。现有的同步整流电路的次级侧通常包括变压器的次级绕组、二极管和两个整流MOS管，受MOS管自身通断特性的限制，两个整流MOS管同步驱动信号必须要设置死区，由于二极管的反向恢复通常较差，在变压器的次级绕组极性翻转时，会在短时间内处于短路状态，短路时间由MOS管的寄生二极管反向恢复时间决定，此时在整个整流回路中会产生一个很大的尖峰电流，在整流MOS管即会产生一个较大的尖峰电压，从而对整个电路的可靠性以及电磁兼容性造成影响，同时也会对控制电路产生极大的干扰。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本技术提供了一种双管正激输出同步整流电路，具有提高电路可靠性和电磁兼容性的优点。
[0004]为达到上述目的，本技术的技术方案如下：
[0005]一种双管正激输出同步整流电路，包括：
[0006]主变压器，所述主变压器包括：初级绕组和次级绕组；
[0007]与电压输入端相连接的初级逆变单元，所述初级逆变单元包括：与所述初级绕组相连接的第一整流管和第二整流管、与所述第一整流管和第二整流管相连接的第一二极管和第二二极管；
[0008]与所述次级绕组相连接的次级整流单元，所述次级整流单元包括：依次与所述次级绕组相连接的第三整流管、第四整流管和第五整流管、连接于所述第五整流管两端的调配电容，以及，一端连接于所述第三整流管、另一端连接于所述第五整流管的第三二极管；以及，
[0009]连接于所述第三二极管相连接的滤波单元。
[0010]作为本技术的一种优选方案，所述第一整流管的源极与所述初级绕组的第一端相连，所述第一整流管的漏极与所述第一二极管的阴极相连，所述第一二极管的阳极与所述初级绕组的第二端相连；所述第二整流管的漏极与所述初级绕组的第二端相连，所述第二整流管的源极与所述第二二极管的阳极相连，所述第二二极管的阴极与所述初级绕组的第一端相连。
[0011]作为本技术的一种优选方案，所述第三整流管的漏极与所述次级绕组的第一端相连，所述第三整流管的源极与所述第五整流管的源极相连，所述第五整流管的漏极与所述第四整流管的源极相连，所述第四整流管的漏极与所述次级绕组的第二端相连。
[0012]作为本技术的一种优选方案，第三二极管的阴极连接于所述第三整流管的漏
极相连，所述第三二极管的阳极连接于所述第五整流管的漏极相连。
[0013]作为本技术的一种优选方案，所述滤波单元包括：第一端与所述第三二极管的阴极相连接的续流电感，以及，第一端连接于所述续流电感的第二端、且第二端连接于所述第三二极管的阳极的滤波电容；所述滤波电容的两端与电压输出端相连。
[0014]作为本技术的一种优选方案，所述第三二极管为肖特基二极管。
[0015]作为本技术的一种优选方案，所述第五整流管为MOSFET场效晶体管。
[0016]综上所述，本技术具有如下有益效果：
[0017]其一，由于肖特基二极管无恢复时间，所以在死区时间里第一整流管的寄生二极管导通不会造成主变压器的次级绕组短时短路，因此也不会产生电流、电压尖峰,拓扑的可靠性、自兼容性和电磁兼容性相比普通同步整流电路更佳。
[0018]其二，由于电压尖峰的消除，整流管所需承受耐压比普通同步整流电路中所需MOSFET场效晶体管耐压要低，第三整流管和第五整流管共同承受的耐压降低，可以选择耐压更低，内阻更小的MOSFET场效晶体管；第三整流管、第五整流管电压分配由MOSFET场效晶体管的寄生电容决定，利用调配电容可以控制第三整流管和第五整流管分压比，调配电容越大,第五整流管所分配的电压越低，可选用的MOSFET场效晶体管耐压越低，相同电流规格情况下MOSFET场效晶体管的导通内阻就越小，因此整机效率反而会更高。
[0019]其三，由于第三整流管、第五整流管串联源极为公共点，MOSFET场效晶体管导通所需的栅极电位相近，因此第三整流管、第五整流管可以共用一组驱动，驱动不会因增加一个可控器件而变得更负载。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本技术实施例的电路原理图。
[0022]图中数字和字母所表示的相应部件名称：
[0023]1、主变压器；11、初级绕组；12、次级绕组；2、初级逆变单元；Q1、第一整流管；Q2、第二整流管；D1、第一二极管；D2、第二二极管；3、次级整流单元；Q3、第三整流管；Q4、第四整流管；Q5、第五整流管；C3、调配电容；D3、第三二极管；4、滤波单元；L1、续流电感；C2、滤波电容。
具体实施方式
[0024]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0025]实施例
[0026]一种双管正激输出同步整流电路，如图1所示，包括：主变压器1，主变压器1包括：
初级绕组11和次级绕组12；与电压输入端相连接的初级逆变单元2，初级逆变单元2包括：与初级绕组11相连接的第一整流管Q1和第二整流管Q2、与第一整流管Q1和第二整流管Q2相连接的第一二极管D1和第二二极管D2；与次级绕组12相连接的次级整流单元3，次级整流单元3包括：依次与次级绕组12相连接的第三整流管Q3、第四整流管Q4和第五整流管Q5、连接于第五整流管Q5两端的调配电容C3，以及，一端连接于第三整流管Q3、另一端连接于第五整流管Q5的第三二极管D3；以及，连接于第三二极管D3相连接的滤波单元4。
[0027]具体的，第一整流管Q1和第二整流管Q2为场效应管，第一整流管Q1的源极与初级绕组11的第一端相连，第一整流管Q1的漏极与第一二极管D1的阴极相连，第一二极管D1的阳极与初级绕组11的第二端相连；第二整流管Q2的漏极与初级绕组11的第二端相连，第二整流管Q2的源极与第二二极管D2的阳极相连，第二二极管D2的阴极与初级绕组11的第一端相连。
[0028]第三整流管Q3和第四整流管Q4为场效应管，第五整流管Q5为MOSFET场效晶体管，第三二极管D3为肖特基二极管，第三整流管Q3的漏极与次级绕本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双管正激输出同步整流电路，其特征在于，包括：主变压器，所述主变压器包括：初级绕组和次级绕组；与电压输入端相连接的初级逆变单元，所述初级逆变单元包括：与所述初级绕组相连接的第一整流管和第二整流管、与所述第一整流管和第二整流管相连接的第一二极管和第二二极管；与所述次级绕组相连接的次级整流单元，所述次级整流单元包括：依次与所述次级绕组相连接的第三整流管、第四整流管和第五整流管、连接于所述第五整流管两端的调配电容，以及，一端连接于所述第三整流管、另一端连接于所述第五整流管的第三二极管；以及，连接于所述第三二极管相连接的滤波单元。2.根据权利要求1所述的双管正激输出同步整流电路，其特征在于，所述第一整流管的源极与所述初级绕组的第一端相连，所述第一整流管的漏极与所述第一二极管的阴极相连，所述第一二极管的阳极与所述初级绕组的第二端相连；所述第二整流管的漏极与所述初级绕组的第二端相连，所述第二整流管的源极与所述第二二极管的阳极相连，所述第二二极管的阴极与所述初级绕组的第一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵勇兵，段双意，夏华东，
申请(专利权)人：武汉海德博创科技有限公司，
类型：新型
国别省市：