一种超薄压电陶瓷的加工方法技术

本发明专利技术提供了一种超薄压电陶瓷的加工方法，应用于压电陶瓷加工设备，所述加工设备包括水平运动平台、升降驱动组件、激光组件，所述水平运动平台上设置有真空吸附治具，所述激光组件包括聚焦镜，所述聚焦镜设置在所述升降驱动组件上，包括以下步骤：将所述超薄压电陶瓷放置于所述真空吸附治具上；所述升降驱动组件驱动聚焦镜移动到预设高度；所述水平运动平台驱动真空吸附治具移动到加工位置；所述激光组件对所述超薄压电陶瓷进行切割。通过激光组件对超薄压电陶瓷进行切割，避免了因使用刀具和冷却液从而导致产品产生裂纹和崩边，使得良品率更高，且更加环保，从而提高了加工效率。从而提高了加工效率。从而提高了加工效率。

【技术实现步骤摘要】
一种超薄压电陶瓷的加工方法


[0001]本专利技术涉及压电陶瓷加工
，具体涉及一种超薄压电陶瓷的加工方法。

技术介绍

[0002]由机械力激起电介质晶体表面束缚电荷的效应为压电效应，压电陶瓷是一类具有压电效应的电子陶瓷材料，在压电振子、声音产生与检测设备、压电致动器以及换能器上得到广泛的应用。面对产品轻薄化和小型化的发展，小于等于0.1mm厚的超薄型压电陶瓷得到越来越多的应用。
[0003]超薄型压电陶瓷脆性较大，传统数控中使用刀具和冷却液易导致裂纹和崩边的产生从而破坏产品，导致制程的废品率高，且冷却液的使用不环保。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种超薄压电陶瓷的加工方法，加工效率快，良品率高，且更加环保。
[0005]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种超薄压电陶瓷的加工方法，应用于压电陶瓷加工设备，所述加工设备包括水平运动平台、升降驱动组件、激光组件，所述水平运动平台上设置有真空吸附治具，所述激光组件包括聚焦镜，所述聚焦镜设置在所述升降驱动组件上，包括以下步骤：
[0006]将所述超薄压电陶瓷放置于所述真空吸附治具上；
[0007]所述升降驱动组件驱动聚焦镜移动到预设高度；
[0008]所述水平运动平台驱动真空吸附治具移动到加工位置；
[0009]所述激光组件对所述超薄压电陶瓷进行切割。
[0010]本专利技术的更进一步优选方案是：所述加工设备还包括测高器和控制系统，所述升降驱动组件驱动聚焦镜移动到预设高度的步骤包括：所述测高器获取所述超薄压电陶瓷与所述测高器的距离，所述控制系统根据所述距离控制所述升降驱动组件驱动所述聚焦镜移动到所述预设高度。
[0011]本专利技术的更进一步优选方案是：所述加工设备还包括CCD视觉定位组件，在所述测高器获取所述超薄压电陶瓷与所述测高器的距离，所述控制系统根据所述距离控制所述升降驱动组件驱动所述聚焦镜移动到所述预设高度这一步骤之后，还包括以下步骤：所述水平运动平台移动到所述CCD视觉定位组件正下方。
[0012]本专利技术的更进一步优选方案是：在所述水平运动平台移动到所述CCD视觉定位组件正下方这一步骤后，还包括以下步骤：所述CCD视觉定位组件获取超薄压电陶瓷的圆心位置并根据所述圆心位置换算得到加工位置。
[0013]本专利技术的更进一步优选方案是：所述水平运动平台驱动真空吸附治具移动到加工位置的步骤包括：所述控制系统控制所述运动平台移动到所述加工位置上。
[0014]本专利技术的更进一步优选方案是：所述真空吸附治具表面平整度控制在0.02mm以
内。
[0015]本专利技术的更进一步优选方案是：所述真空治具粘贴有铁氟龙胶带。
[0016]本专利技术的更进一步优选方案是：激光组件的波长为532nm。
[0017]本专利技术的更进一步优选方案是：所述CCD视觉定位组件的定位精度小于或等于5um。
[0018]本专利技术第二方面提供一种超薄压电陶瓷的加工设备，包括水平运动平台、升降驱动组件、激光组件、测高器、控制系统和CCD视觉定位组件，所述激光组件包括聚焦镜，所述聚焦镜设置在升降驱动组件上，所述水平运动平台设置在升降驱动组件、激光组件、测高器和CCD视觉定位组件下方，所述控制系统与所述水平运动平台、升降驱动组件、激光组件、测高器和CCD视觉定位组件电连接。
[0019]本专利技术的有益效果在于：通过激光组件对超薄压电陶瓷进行切割，避免了因使用刀具和冷却液从而导致产品产生裂纹和崩边，使得良品率更高，且更加环保，从而提高了加工效率。
附图说明
[0020]下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明。
[0021]图1是本专利技术的超薄压电陶瓷的加工方法的流程图；
[0022]图2是压电陶瓷加工设备的结构示意图；
[0023]图3是产品横截面结构示意图；
[0024]图4是切割后成品示意图。
[0025]附图标记如下：
[0026]激光器1、扩束镜2、振镜3、聚焦镜4、升降驱动组件5、测高器6、水平运动平台7、控制系统8、CCD视觉定位组件9、黑色绝缘层10、镀银层11、压电陶瓷12、真空吸附治具13。
具体实施方式
[0027]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。
[0028]现结合附图，对本专利技术的较佳实施例作详细说明。
[0029]本专利技术提供了一种超薄压电陶瓷12的加工方法，如图1和图2所示，应用于压电陶瓷加工设备，加工设备包括水平运动平台7、升降驱动组件5、激光组件，水平运动平台7上设置有真空吸附治具13，激光组件包括聚焦镜4，聚焦镜4设置在升降驱动组件5上，包括以下步骤：
[0030]S01：将超薄压电陶瓷放置于真空吸附治具上；
[0031]S02：升降驱动组件驱动聚焦镜移动到预设高度；
[0032]S03：水平运动平台驱动真空吸附治具移动到加工位置；
[0033]S04：激光组件对超薄压电陶瓷进行切割。
[0034]通过激光组件对超薄压电陶瓷进行切割，避免了因使用刀具和冷却液从而导致产
品产生裂纹和崩边，使得良品率更高，且更加环保，从而提高了加工效率。
[0035]需要说明的是，水平运动平台7包括X轴驱动机构和Y轴驱动机构，其中X轴驱动机构和Y轴驱动机构可以为电机、气缸、丝杆滑块等传动机构。真空吸附治具13根据产品的形状设计，真空吸附治具13配备物料回收装置，以便于收集切割后的产品。其中，真空吸附治具13表面平整度在0.02mm以内，真空吸附治具13支撑部分需粘贴铁氟龙胶带，防止产品于金属碰刮伤导致裂纹的产生。
[0036]由于产品为0.1mm后脆性材料，真空吸附力过大容易导致产品破裂，真空吸附力过小在切割过程中会发生位移，故真空吸附力应控制在合适范围之内。
[0037]其中，如图2所示，升降驱动组件5可以为气缸、电缸、丝杆滑块等传动机构。激光组件包括激光器1、扩束镜2、x轴扫描振镜3、y轴扫描振镜3和聚焦镜4，聚焦镜4安装在升降驱动组件5上：x轴扫描振镜3和y轴扫描振镜3的镜面中心与激光器1和扩束镜2的光轴中心重合，聚焦镜4中心与x轴扫描振镜3和y轴扫描振镜3镜面中心重合。激光器1发出激光束，经扩束镜2放大准直后，激光束直接进入x轴扫描振镜3和y轴扫描振镜3，控制系统8控制升降驱动组件5带动扫描聚焦镜4在z轴方向上、下移动，调节激光聚焦点在z轴方向的位置，使得聚焦镜4移动到预设高度。当然，可以理解的是，在其他实施例中，激光组件也可以为其他结构，只要能够调节聚焦镜4的焦点在z轴方向的位置即可。
[0038]在本实施例中，加工设备还包括测高器6和控制系统8，所述升降驱动组件5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超薄压电陶瓷的加工方法，其特征在于，应用于压电陶瓷加工设备，所述加工设备包括水平运动平台、升降驱动组件、激光组件，所述水平运动平台上设置有真空吸附治具，所述激光组件包括聚焦镜，所述聚焦镜设置在所述升降驱动组件上，包括以下步骤：将所述超薄压电陶瓷放置于所述真空吸附治具上；所述升降驱动组件驱动聚焦镜移动到预设高度；所述水平运动平台驱动真空吸附治具移动到加工位置；所述激光组件对所述超薄压电陶瓷进行切割。2.根据权利要求1所述的一种超薄压电陶瓷的加工方法，其特征在于，所述加工设备还包括测高器和控制系统，所述升降驱动组件驱动聚焦镜移动到预设高度的步骤包括：所述测高器获取所述超薄压电陶瓷与所述测高器的距离，所述控制系统根据所述距离控制所述升降驱动组件驱动所述聚焦镜移动到所述预设高度。3.根据权利要求2所述的一种超薄压电陶瓷的加工方法，其特征在于，所述加工设备还包括CCD视觉定位组件，在所述测高器获取所述超薄压电陶瓷与所述测高器的距离，所述控制系统根据所述距离控制所述升降驱动组件驱动所述聚焦镜移动到所述预设高度这一步骤之后，还包括以下步骤：所述水平运动平台移动到所述CCD视觉定位组件正下方。4.根据权利要求3所述的一种超薄压电陶瓷的加工方法，其特征在于，在所述水平运动平台移动到所述CCD视觉定位组件正...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓耀锋，龙明昇，李晓康，廖文，吕启涛，高云峰，
申请(专利权)人：大族激光科技产业集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：