具有测试接口的存储装置制造方法及图纸

本申请涉及一种具有测试接口的存储装置。一种实例系统包括：主总线，其电耦合到由测试模式信号控制的主多路复用器，以在主物理接口PHY与多个从总线中的一个从总线之间进行选择，其中每一从总线电耦合到由所述测试模式信号控制的相应从多路复用器，以在相应从PHY与所述主总线之间进行选择；多个存储器组件，其中所述多个存储器组件中的每一存储器组件电耦合到以下各项中的一者：所述主总线或所述多个从总线中的一个从总线；以及存储器测试接口，其电耦合到所述主总线。其电耦合到所述主总线。其电耦合到所述主总线。

【技术实现步骤摘要】
具有测试接口的存储装置


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地，涉及管理包含具有不同特性的存储器组件的存储器子系统。

技术介绍

[0002]存储器子系统可以是存储系统，例如固态驱动器(SSD)或硬盘驱动器(HDD)。存储器子系统可以是存储器模块，例如双列直插式存储器模块(DIMM)、小外形DIMM(SO-DIMM)或非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)。存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件可以是例如非易失性存储器组件和易失性存储器组件。一般来说，主机系统可使用存储器子系统以在存储器组件处存储数据并从存储器组件中检索数据。

技术实现思路

[0003]在一个方面，本申请提供一种系统，其包括：主总线，其电耦合到由测试模式信号控制的主多路复用器，以在主物理接口(PHY)与多个从总线中的一个从总线之间进行选择，其中每一从总线电耦合到由所述测试模式信号控制的相应从多路复用器，以在相应从PHY与所述主总线之间进行选择；多个存储器组件，其中所述多个存储器组件的每一存储器组件电耦合到以下各项中的一者：所述主总线或所述多个从总线中的一个从总线；以及存储器测试接口，其电耦合到所述主总线。
[0004]在另一方面，本申请提供一种集成电路，其包括：衬底；安置于所述衬底上的多个存储器组件，其中所述多个存储器组件中的每一存储器组件电耦合到以下各项中的一者：主总线，或多个从总线中的一个从总线；以及存储器测试接口，其电耦合到所述主总线，其中所述存储器测试接口包括管理所述主总线到以下各项中的一者的选择性电耦合的测试模式信号：主物理接口(PHY)或所述多个从总线中的一个从总线，其中所述测试模式信号进一步管理所述多个从总线中的每一从总线到以下各项中的一者的选择性电耦合：相应从PHY或所述主总线。
[0005]在又一方面，本申请提供一种方法，其包括：在存储装置的多个存储器组件中，识别将经由电耦合到所述存储装置的主总线的测试接口存取的存储器组件；在所述存储装置的多个从总线中，识别电耦合到所述存储器组件的从总线；确证管理所述从总线到所述主总线的电耦合的测试模式信号；以及经由所述测试接口存取所述存储器组件。
附图说明
[0006]根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施例的附图，将更充分地理解本公开。
[0007]图1示出了根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算环境。
[0008]图2示出了根据本公开的一或多个方面实施的具有测试接口的实例存储装置(例如，经管理NAND装置)。
[0009]图3是根据本公开的一些实施例的在测试模式下存取存储器子系统(例如，存储装置)的存储器组件的实例方法的流程图。
[0010]图4是本公开的实施例可在其中运行的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0011]本公开的各方面涉及具有测试接口的存储装置。存储器子系统可包含经由外围互连件(例如，输入/输出总线、存储区域网络)耦合到中央处理单元(CPU)的存储装置。存储装置的实例包含固态驱动器(SSD)、快闪驱动器、通用串行总线(USB)快闪驱动器和硬盘驱动器(HDD)。存储器子系统的另一实例是经由存储器总线耦合到CPU的存储器模块。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(DIMM)、小外形DIMM(SO-DIMM)、非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)等。在一些实施例中，存储器子系统可以是混合式存储器/存储子系统。一般来说，主机系统可使用包含一或多个存储器组件的存储器子系统。主机系统可提供要存储在存储器子系统处的数据并且可以请求从存储器子系统中检索数据。
[0012]本公开的实施方案涉及具有测试接口的存储装置，例如与非(NAND)快闪存储装置。NAND快闪存储装置支持不同类型的媒体，包含单级单元(SLC)、多级单元(MLC)、三级单元(TLC)和四级单元(QLC)，并且具有不同的密度。低密度NAND闪存可用于例如机顶盒(STB)、数字电视(DTV)和数字信号控制器(DSC)之类的应用，而高密度NAND闪存通常用于如固态驱动器(SSD)、平板电脑和USB驱动器之类的数据密集型应用。NAND快闪存储装置可由内部或外部控制器管理，所述控制器可执行错误码校正(ECC)、不良块管理和耗损均衡。存在两种主要的NAND类型：原始型和经管理型。原始NAND需要外部控制器，但展示出每单元存储器的成本最低。相反，经管理NAND包含嵌入式控制器以处理耗损均衡、不良块管理和ECC，并因此提供更简单的设计解决方案和更佳的上市时机。经管理NAND装置通常用于智能手机、平板电脑和其它类似便携式计算装置。
[0013]经管理NAND装置的实例包含嵌入式多媒体卡(eMMC)装置、片上ECC NAND装置、SSD、嵌入式USB装置、通用快闪存储(UFS)装置、安全数字卡(SD)和微型SD/USB装置，以及多芯片封装(MCP)。具体地，eMMC装置是在单个封装中与高速MMC控制器组合的高容量NAND闪存装置。此类装置通常在大范围的联网、工业和汽车应用中使用。片上ECC NAND装置是原始NAND和完全经管理NAND的混合式装置；ECC是集成的，而耗损均衡和不良块管理由主机控制器处理。与硬盘驱动器(HDD)相比，SSD是增强了可靠性、降低了功率并提供更快性能的基于NAND的驱动器。嵌入式USB装置通过简单的USB连接器将SSD的密度和可靠性引入到联网和嵌入式应用。通用快闪存储(UFS)装置具有高性能存储接口，适用于比具有低功耗的eMMC需要更快的顺序和随机性能的应用。安全数字卡(SD)和微型SD/USB装置通常用于需要轻松移除或安装快闪存储器的应用。NAND快闪存储器还常用于MCP中，其中MCP与呈各种外观尺寸的移动LPDRAM配对。
[0014]存储媒体的耐久性是快闪存储器装置的重要特征。当数据写入到存储器组件的存储器单元和/或从存储器组件的存储器单元擦除时，存储器单元可能损坏。随着对存储器单元执行的写入操作和/或擦除操作的数目增加，存储在存储器单元处的包含错误的数据的概率随着存储器单元的日益损坏而增加。与存储器组件的耐久性相关联的特性是对存储器组件的存储器单元执行的写入操作的数目或编程/擦除操作的数目。如果超过对存储器单
元执行的写入操作的阈值数目，那么数据不再能够可靠地存储在存储器单元处，因为数据可能包含大量无法校正的错误。
[0015]因此，经管理NAND装置的重要特征能够将NAND存储器组件与控制器电隔离以便直接查询NAND存储器组件，例如，以便于识别单个有故障的NAND存储器组件。在说明性实例中，测试存储装置可涉及迭代所有存储器组件以便直接查询每一存储器组件。查询个别存储器组件可涉及执行以下项的一或多个循环：写入测试数据样式、读回数据，以及将从存储器组件读取的数据与写入到存储器组件的测试数据样式进行比较。从存储器组件读取的数据与测试数据样式之间的差可指示存储器组件有故障。
[0016]在常见实施方案中，经管理NAND装置可由芯片上系本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种系统，其包括：主总线，其电耦合到由测试模式信号控制的主多路复用器，以在主物理接口PHY与多个从总线中的一个从总线之间进行选择，其中每一从总线电耦合到由所述测试模式信号控制的相应从多路复用器，以在相应从PHY与所述主总线之间进行选择；多个存储器组件，其中所述多个存储器组件的每一存储器组件电耦合到以下各项中的一者：所述主总线或所述多个从总线中的一个从总线；以及存储器测试接口，其电耦合到所述主总线。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述主总线进一步包括由方向信号控制的主方向控制元件，并且所述多个从总线中的每一从总线进一步包括由反转方向信号控制的相应从方向控制元件。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述主总线经由主总线端接电阻器电耦合到接地，并且所述多个从总线中的每一从总线经由相应从总线端接电阻器电耦合到所述接地。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述存储器测试接口包括选择所述多个存储器组件中的一个存储器组件的芯片启用信号。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述存储器测试接口包括以下各项中的至少一项：读取启用RE信号或写入启用WE信号。6.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个存储器组件中的每一存储器组件由NAND存储器组件表示。7.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括：专用集成电路ASIC，其电耦合到所述主总线和所述多个从总线。8.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括：存储器控制器，其经配置以执行以下各项中的至少一项：错误码校正ECC、不良块管理，或关于所述多个存储器组件的耗损均衡。9.一种集成电路，其包括：衬底；安置于所述衬底上的多个存储器组件，其中所述多个存储器组件中的每一存储器组件电耦合到以下各项中的一者：主总线，或多个从总线中的一个从总线；以及存储器测试接口，其电耦合到所述主总线，其中所述存储器测试接口包括管理所述主总线到以下各项中的一者的选择性电耦合的测试模式信号：主物理接口PHY或所述多个从总线中的一个从总线，其中所述测试模式信号进一步管理所述多个从总线中的每一从总线到以下各项中的一者的选择性电耦合：相应从PHY或...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：