半导体器件制造技术

一种半导体器件，包括：肖特基二极管；半导体基板(10)，其包括第一表面(10a)和与第一表面相反的第二表面(10b)；肖特基电极(30)，其放置在第一表面上并且与半导体基板肖特基接触；放置在肖特基电极上的第一电极(50)；和第二电极(70)，其被放置在第二表面上并连接到半导体基板。肖特基电极由柱状晶体的金属材料制成。在所述肖特基电极的至少一部分区域中，所述肖特基电极上的碳含量小于6

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本专利技术涉及一种包括肖特基二极管的半导体器件。

技术介绍

[0002]传统上，已经提出了包括肖特基二极管的半导体器件(例如，参见专利文献1)。具体地，在该半导体器件中，在半导体基板上形成绝缘膜，并且肖特基电极形成为使得经由形成在绝缘膜中的接触孔与半导体基板进行肖特基接触。在半导体器件中，在肖特基电极上形成前表面电极。考虑到正向电压、泄漏特性等，该肖特基电极包括钼(Mo)，镍(Ni)，钛(Ti)等。
[0003]这种半导体器件中的肖特基电极和前表面电极形成如下。即，在形成构成肖特基电极的肖特基膜之后，在该肖特基膜上放置抗蚀剂。在对抗蚀剂进行图案化之后，将抗蚀剂用作掩模，并对肖特基膜进行图案化。由此，构成了肖特基电极。之后，通过使用剥离液来剥离抗蚀剂。
[0004]接下来，在肖特基电极上形成构成前表面电极的前表面电极膜之后，将抗蚀剂放置在前表面电极膜上。在对抗蚀剂进行图案化之后，将抗蚀剂用作掩模，并对前表面电极膜进行图案化。由此，构成了前表面电极。之后，通过使用剥离液来剥离抗蚀剂。以这种方式，形成上述半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种包括肖特基二极管的半导体器件，所述半导体器件包括：半导体基板(10)，其包括第一表面(10a)和与所述第一表面相反的第二表面(10b)；肖特基电极(30)，其放置在所述第一表面上并且与所述半导体基板肖特基接触；放置在所述肖特基电极上的第一电极(50)；和第二电极(70)，其放置在所述第二表面上并连接到所述半导体基板，其中：所述肖特基电极由为柱状晶体的金属材料制成；以及所述肖特基电极的区域的至少一部...

【专利技术属性】
技术研发人员：江口浩次，熊泽辉显，山下侑佑，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：