本发明专利技术是一种发光装置，其通过被来自光源的光激发而至少在超过700nm的区域具有峰值波长。一种发光装置，具备：发出在480nm以下的范围内具有峰值波长的光的固体光源、和覆盖该固体光源且含有至少一种荧光体的荧光膜，荧光膜含有：至少一种近红外荧光体，其被来自前述固体光源的光激发而在超过700nm的范围内具有峰值波长，且包含该峰值波长的范围内的发光光谱的半高全宽为100nm以上。的半高全宽为100nm以上。的半高全宽为100nm以上。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置
[0001]本专利技术涉及发光装置。
技术介绍
[0002]近年来，以家庭用照明为首的各种照明，正迅速地从卤素灯替换为发光二极管(LED)，从而变得可以实现长寿命化及小型化。但是，分光分析装置等的产业机器用的光源绝大多数仍使用卤素灯，而没有替换为LED。其较大的原因，认为是以往的LED很难满足产业机器用的光源所要求的下述特性：呈现出宽频带下稳定的发光光谱分布、不易发生温度变化所造成的波长偏移等。专利文献1中记载：含有包含红色荧光体和绿色荧光体的2种以上荧光体的发光装置用的多层膜片，其中各个荧光体层中所含的荧光体为一种，且依照从含有长发光波长荧光体的荧光体层到含有短发光波长荧光体的荧光体层的顺序进行配置，由此来提高发光装置的总光通量。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2015-130459号公报。
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的课题
[0007]然而，以往的发光装置是以适用于照明用途为目的的发光装置，因此是高波长侧的峰值波长(peak wavelength)为700nm以下的发光装置，不足以作为被要求在超过700nm的近红外线区域也具有峰值波长的发光的产业机器用光源。
[0008]本专利技术的课题在于提供一种发光装置，其通过被来自光源的光激发而至少在超过700nm的区域具有峰值波长。
[0009]解决课题的技术方案
[0010]本专利技术是关于以下内容的专利技术。
[0011][1]一种发光装置，至少具备：发出在480nm以下的范围内具有峰值波长的光的固体光源、和覆盖该固体光源且含有至少一种荧光体的荧光膜，所述荧光膜含有：至少一种近红外荧光体，其被来自所述固体光源的光激发，而发出在超过700nm的范围内具有峰值波长且包含该峰值波长的范围内的发光光谱的半高全宽为100nm以上的光。
[0012][2]如[1]的发光装置，其至少在400nm以上且1000nm以下的范围内具有连续发光光谱。
[0013][3]如[1]或[2]的发光装置，其中，所述荧光膜进一步含有：至少一种可见光荧光体，其被来自所述固体光源的光激发而发出在350nm以上且700nm以下的范围内具有峰值波长的光。
[0014][4]如[3]的发光装置，其中，所述荧光膜分别包含一种以上的可见光荧光体A、可见光荧光体B、可见光荧光体C作为所述可见光荧光体，所述可见光荧光体A被来自所述固体
光源的光激发而发出在350nm以上且小于430nm的范围内具有峰值波长的光，所述可见光荧光体B被来自所述固体光源的光激发而发出在430nm以上且小于500nm的范围内具有峰值波长的光，所述可见光荧光体C被来自所述固体光源的光激发而发出在500nm以上且700nm以下的范围内具有峰值波长的光。
[0015][5]如[4]的发光装置，其中，所述荧光膜由2个以上的层形成，所述可见光荧光体A及B包含在不同的层中。
[0016][6]如[4]或[5]的发光装置，其中，所述荧光膜由所含的所述荧光体的种类不同的2个以上的层形成，所述2个以上的层依照从含有峰值波长较长的荧光体的层到含有峰值波长较短的荧光体的层的顺序，在来自所述固体光源的光的行进方向积层。
[0017][7]如[5]或[6]的发光装置，其中，所述荧光膜的各层中所含的所述荧光体的种类为1以上且3以下。
[0018][8]如[4]的发光装置，其中，所述荧光膜在同一面上具有所含的所述荧光体的种类不同的2个以上的区域。
[0019][9]如[8]的发光装置，其中，所述荧光体的种类不同的2个以上的区域至少具有：含有所述近红外荧光体的区域、以及含有所述可见光荧光体的区域。
[0020][10]如[1]至[9]中任一项的发光装置，其具备2个以上的所述固体光源。
[0021][11]如[1]至[10]中任一项的发光装置，其中，所述固体光源是从发光二极管、激光二极管以及有机电致发光元件中选出的至少一种。
[0022][12]如[1]至[11]中任一项的发光装置，其中，所述近红外荧光体含有二价铕离子。
[0023][13]如[1]至[12]中任一项的发光装置，其中，所述近红外荧光体具有由下述式(I)所示的组成，
[0024]Li
a
Sr
b
La
c
Si
d
N
e
Eu
f
...(I)
[0025](其中，a～f是满足a+b+c+d+e+f＝100、0≤a≤8.22、0.22≤b≤17.33、1.12≤c≤11.36、22.41≤d≤38.09、49.47≤e≤56.09、0.88≤f≤1.01的数字)。
[0026][14]一种荧光膜，含有：至少一种近红外荧光体，其通过在480nm以下的范围内具有峰值波长的光，来发出在超过700nm的范围内具有峰值波长且包含该峰值波长的范围内的发光光谱的半高全宽为100nm以上的光；和至少一种可见光荧光体，其通过所述在480nm以下的范围内具有峰值波长的光，来发出在350nm以上且700nm以下的范围内具有峰值波长的光。
[0027]专利技术效果
[0028]根据本专利技术，能够提供一种发光装置，其通过被来自光源的光激发而至少在超过700nm的区域具有峰值波长。
附图说明
[0029]图1是表示一实施方式的发光装置的构成的概略图，(A)为平面图，(B)为侧面图。
[0030]图2是表示固体光源及荧光膜的积层例的说明图。
[0031]图3是实施例中使用的近红外荧光体P1～P7的发光光谱。A中示出近红外荧光体P1、P2的发光光谱。B中示出近红外荧光体P3、P4的发光光谱。C中示出近红外荧光体P5～P7
的发光光谱。
[0032]图4是实施例中使用的近红外荧光体P8～P14的发光光谱。D中示出近红外荧光体P8、P9的发光光谱。E中示出近红外荧光体P10、P11的发光光谱。F中示出近红外荧光体P12～14的发光光谱。
[0033]图5是实施例中使用的近红外荧光体P8的发光光谱。
[0034]图6是实施例1、3的发光装置的发光光谱。
[0035]图7是实施例2的发光装置的发光光谱。
[0036]图8是实施例1及比较例1、2的发光装置的发光光谱。
[0037]图9是表示第1变形例的发光装置的构成例的概略平面图。
[0038]图10是表示第1变形例的发光装置的构成例的概略侧面图。
[0039]图11是表示第2变形例的发光装置的构成例的概略平面图。
[0040]图12是表示第2变形例的发光装置的构成例的概略平面图。
具体实施方式
[0041]以下针对本专利技术的一实施方式详细地进行说明。本专利技术不限于以下的实施方式，能够在不妨碍本专利技术的效果的范围内施加适宜变更来实施。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光装置，其中，至少具备：发出在480nm以下的范围内具有峰值波长的光的固体光源、和覆盖该固体光源且含有至少一种荧光体的荧光膜，所述荧光膜含有：至少一种近红外荧光体，其被来自所述固体光源的光激发，而发出在超过700nm的范围内具有峰值波长且包含该峰值波长的范围内的发光光谱的半高全宽为100nm以上的光。2.如权利要求1所述的发光装置，其中，其至少在400nm以上且1000nm以下的范围内具有连续发光光谱。3.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述荧光膜进一步含有：至少一种可见光荧光体，其被来自所述固体光源的光激发，而发出在350nm以上且700nm以下的范围内具有峰值波长的光。4.如权利要求3所述的发光装置，其中，所述荧光膜分别包含一种以上的可见光荧光体A、可见光荧光体B、可见光荧光体C作为所述可见光荧光体，所述可见光荧光体A被来自所述固体光源的光激发而发出在350nm以上且小于430nm的范围内具有峰值波长的光，所述可见光荧光体B被来自所述固体光源的光激发而发出在430nm以上且小于500nm的范围内具有峰值波长的光，所述可见光荧光体C被来自所述固体光源的光激发而发出在500nm以上且700nm以下的范围内具有峰值波长的光。5.如权利要求4所述的发光装置，其中，所述荧光膜由2个以上的层形成，所述可见光荧光体A及B包含在不同的层中。6.如权利要求4或5所述的发光装置，其中，所述荧光膜由所含的所述荧光体的种类不同的2个以上的层形成，所述2个以上的层依照从含有峰值波长较长的荧光体的层到含有峰值波长较短的荧光体的层的顺序，在来自所述固体光源的光的行进方向积层。7.如权利要求5或6所述的发光装置，其中，所述荧光膜的各层中所含的所述荧...
【专利技术属性】
技术研发人员：福田隆史，乡田哲也，咲本祐太，广崎尚登，高桥向星，
申请(专利权)人：凤凰电机株式会社国立研究开发法人物质材料研究机构，
类型：发明
国别省市：
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