液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种液晶显示器（ＬＣＤ），该ＬＣＤ包括栅极线、数据线和像素电极，像素电极包括施加有不同的电压的第一子像素电极和第二子像素电极。薄膜晶体管与栅极线和数据线结合，以向像素电极施加电压，存储电极与第一子像素电极和第二子像素电极部分地叠置。第一子像素电极布置在除了第二子像素电极的一边之外的所有边上，存储电极的第一侧部分与第一子像素电极和第二子像素电极的边界叠置，存储电极的第二侧部分突出并与第二子像素电极部分地叠置，存储电极包括存储电极延伸部分，存储电极延伸部分从越过第一子像素电极的存储电极的第二侧突出并与第二子像素电极叠置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示器(LCD)，更具体地讲，涉及一种垂直取向的LCD。
技术介绍
液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示器之一。通常，LCD包括设置有场发生电极如像素电极和共电极的两个基底以及置于这两个基底之间的液晶(LC)层。LCD通过向场发生电极施加电压以在LC层中产生电场来显示图像，在LC层中产生的电场确定LC层的LC分子的取向，从而调节入射光的偏振。在LCD中，垂直排列(VA)模式的LCD由于它的高对比度和宽参考视角(reference viewing angle)而流行，VA模式的LCD在没有电场的情况下，LC分子取向为LC分子的长轴垂直于基底，参考视角可被定义为使对比度等于1∶10时的视角或者可被定义为灰度间亮度反转的极限角度。另外，已经开发了畴划分(domain division)型LCD，在畴划分型LCD中，畴被划分成多组，不同的数据电压被施加到各畴组。具体地讲，通过连接电极的耦合，一个像素可被划分成至少两个畴组，使得不同的数据电压可被施加到各畴组。在这样的传统的LCD中，为了均匀地保持施加到像素电极的电压电平，像素电极可被形成为与施加有共电压的存储电极布线稍微叠置。然而，如果当在存储电极布线之上形成像素电极时出现叠置误差，则像素电极和存储电极布线的叠置面积在畴与畴之间会不期望地出现差异。在这种情况下，在一对相邻的畴之间的电压比会不规则，因而，会在LCD的屏幕上形成黑条纹和白条纹。
技术实现思路
本专利技术提供了一种LCD，即使当在存储电极布线之上形成像素电极时出现叠置误差，该LCD也可具有优良的显示特性。在下面的描述中将阐述本专利技术的其它特征，部分从描述中将是清楚的，或者部分可通过本专利技术的实施来了解。本专利技术公开了一种液晶显示器，包括栅极线，布置在绝缘基底上；数据线，与栅极线绝缘，并与栅极线交叉；像素电极，包括施加有不同的电压的第一子像素电极和第二子像素电极；薄膜晶体管，与栅极线和数据线电连接，以向像素电极施加电压；存储电极，与第一子像素电极和第二子像素电极叠置。第一子像素电极布置在除了第二子像素电极的一边之外的所有边上，存储电极的第一侧部分与第一子像素电极和第二子像素电极的边界叠置，存储电极的第二侧部分与第一子像素电极的边界叠置，存储电极包括存储电极延伸部分，存储电极延伸部分从越过第一子像素电极的存储电极的第二侧突出并与第二子像素电极叠置。应该理解，上面的总体描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，意在提供如权利要求的本专利技术的进一步解释。附图说明附图示出了本专利技术的实施例，并与描述部分一起用来解释本专利技术的原理，包括这些附图以提供对本专利技术的进一步理解，附图结合在本说明书中并构成本说明书的一部分。图1A是根据本专利技术示例性实施例的LCD的薄膜晶体管(TFT)基底的版图，图1B是沿着图1A中的线Ib-Ib′截取的剖视图，图1C是沿着图1A中的线Ic-Ic′和Ic′-Ic″截取的剖视图；图2是根据本专利技术示例性实施例的LCD的共电极基底的版图；图3A是包括图1A中的TFT基底和图2中的共电极基底的版图，图3B是沿着图3A中的线IIIb-IIIb′截取的剖视图；图4是根据本专利技术示例性实施例的LCD的电路图；图5A是根据本专利技术另一示例性实施例的LCD的TFT基底的版图，图5B是根据本专利技术示例性实施例的包括图5A中的TFT基底的LCD的版图。具体实施例方式通过参照下面对示例性实施例和附图的详细描述，本专利技术的优点和特征及实现其的方法可更易于理解。然而，本专利技术可以以多种不同的方式实施，不应理解为限于这里阐述的实施例。提供这些实施例以使本公开是透彻的和完全的，并将本专利技术的原理完全传达给本领域技术人员，本专利技术只由权利要求限定。整个说明书中，相同的标号表示相同的元件。应该理解，当元件诸如层、膜、区域或基底称为“在”另一元件“上”时，这个元件可以直接在另一元件上，或者也可存在中间元件。相反，当元件称为“直接”在另一元件“上”时，不存在中间元件。现在，将参照附图更加全面地描述根据本专利技术示例性实施例的LCD。LCD包括TFT基底，包括由栅极线和数据线限定的像素和TFT；共电极基底，面对TFT基底并包括滤色器。液晶层置于TFT基底和共电极基底之间。液晶层包括其长轴基本上垂直于TFT基底和共电极基底取向的液晶分子。首先，现在将参照图1A、图1B和图1C来更加详细地描述TFT基底。图1A是根据本专利技术示例性实施例的LCD的薄膜晶体管(TFT)基底的版图，图1B是沿着图1A中的线Ib-Ib′截取的剖视图，图1C是沿着图1A中的线Ic-Ic′和Ic′-Ic″截取的剖视图。参照图1A、图1B和图1C，栅极线22沿着水平方向形成在绝缘基底10上，栅电极26从栅极线22突出地形成。从另一层或外部电路接收栅极信号的栅极线端部24形成在栅极线22的一端。为了有效地将栅极线22与外部电路结合，栅极线端部24比栅极线22宽。栅极线22、栅电极26和栅极线端部24构成栅极布线。此外，存储电极线28沿着水平方向形成在绝缘基底10上，并基本上平行于栅极线22。多个存储电极29a、29b、29c和29d沿着第一子像素电极82a和第二子像素电极82b的边缘形成为存储电极线28的分支。例如，存储电极包括存储电极垂直图案29a和29b，沿着数据线62从存储电极线28延伸，并与第一子像素电极82a和第二子像素电极82b叠置；存储电极倾斜图案29c和29d，沿着第一子像素电极82a和第二子像素电极82b之间相应的间隙83形成。存储电极倾斜图案29c和29d连接存储电极垂直图案29a和29b。存储电极垂直图案29a和29b可通过使用从存储电极垂直图案29a延伸的存储电极延伸部分27与第一子像素电极82a和第二子像素电极82b叠置。存储电极线28和存储电极29a、29b、29c、29d以及存储电极延伸部分27构成存储电极布线。在本实施例中，为了增大LCD的开口率，存储电极布线27、28、29a、29b、29c和29d沿着第一子像素电极82a和第二子像素电极82b的边布置。然而，存储电极布线27、28、29a、29b、29c和29d可具有各种形状和布局，只要满足与第一子像素电极82a和第二子像素电极82b相关的预定存储电容形成条件。栅极布线22、24、26和存储电极布线27、28、29a、29b、29c、29d可由Al、Al合金、Ag、Ag合金、Cu、Cu合金、Mo、Mo合金、Cr、Ti或Ta制成。此外，栅极布线22、24、26和存储电极布线27、28、29a、29b、29c、29d可具有多层结构，该多层结构包括具有不同物理特性的两个导电膜(未示出)。所述两个膜之一可由低阻金属制成，以减小信号延迟或电压降，所述低阻金属包括Al、Al合金、Ag、Ag合金、Cu和Cu合金。另一膜可由具有良好的物理特性、化学特性以及具有与其它材料诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的良好的电接触特性的材料诸如Mo、Mo合金、Cr、Ta或Ti制成。所述多层结构的示例包括下Cr膜和上Al膜，以及下Al膜和上Mo膜。然而，栅极布线22、24、26和存储电极布线27、28、29a、29b、29c、29d可由各种金属或导体制成。栅极绝缘层30形成在栅极布线22、24、26和存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器，包括：栅极线，布置在绝缘基底上；数据线，与所述栅极线绝缘，并与所述栅极线交叉；像素电极，包括施加有不同的电压的第一子像素电极和第二子像素电极；薄膜晶体管，与所述栅极线和所述数据线电连接，以向所述像素电极施加电压；存储电极，与所述第一子像素电极和所述第二子像素电极叠置，其中，所述第一子像素电极布置在除了所述第二子像素电极的一边之外的所有边上，所述存储电极的第一侧部分与所述第一子像素电极和所述第二子像素电极叠置，所述存储电极的第二侧部分与所述第一子像素电极叠置，所述存储电极包括存储电极延伸部分，所述存储电极延伸部分从越过所述第一子像素电极的所述存储电极的第二侧突出并与所述第二子像素电极叠置。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭相基，朴正浚，白范基，李敬弼，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]