表面贴装混合耦合器制造技术

本发明专利技术涉及表面贴装混合耦合器，金属化通孔一～三从铜箔层一贯穿介质层二～五至铜箔层五；金属化通孔四～七从铜箔层一贯穿介质层二～六至铜箔层六；金属化通孔八～九从铜箔层四贯穿介质层五～六至铜箔层六；微带传输线一位于铜箔层五，一端接金属化通孔二，另一端接金属化通孔五；微带传输线二位于铜箔层五，一端接金属化通孔一，另一端接金属化通孔四；螺旋微带线一位于铜箔层二，一端接金属化通孔六，另一端接金属化通孔一；螺旋微带线二位于铜箔层三，一端接金属化通孔七，另一端接金属化通孔二；金属化接地层一通过金属化通孔三接金属化接地层二；金属化接地层二一侧通过金属化通孔八接引脚端口二，另一侧通过金属化通孔九接引脚端口五。

【技术实现步骤摘要】
表面贴装混合耦合器
本专利技术涉及一种微波/RF器件，尤其涉及一种表面贴装混合耦合器，属于微波通信设备

技术介绍
目前，耦合器包含Lange耦合器、分支线耦合器、定向耦合器、三通耦合器和其它的威尔金森耦合器。在许多应用中，期望耦合器对称地平衡的执行，以便对称耦合器在应用当中扩大兼容性。如上所述，当RF信号输入到对称耦合器的第一端口(输入端口)时，在第四端口(DC端口)有一个3db信号，在第六端口(耦合端口)有第二个3db信号，在第三个端口(隔离端口)没有明显的信号可用。在对称耦合器中，可将输入信号定向至第三端口(隔离端口)，使得在第四(输出端口)端口和第六(耦合端口)端口处可获得3db信号，在这种布置中，第一端口(输入端口)被用作隔离端口。耦合系数是定向耦合器的一个重要特性，其定义为耦合端口的输出功率与输入功率之比，称为分流比，由于混合耦合器在耦合端口和直流端口之间平均分配入射射频信号，R为1:1，因此其耦合系数为-3db。当耦合端口路径与直流端口路径之间存在90度相位差时，混合耦合器称为90度混合耦合器。90度混合耦合器广泛应用于低噪声放大器、功率放大器、衰减器和混频器等射频电路中。然而，其他耦合系数也被广泛使用，在不平等的分配情况下，使得R值大于1，通常为需要功率采样功能，例如：-5dB、-6dB、-10dB、-20dB和-30dB是常用的耦合系数值(R为999:1)之间。如果耦合器设计为90度混合耦合器，耦合线的长度选择为耦合器工作频率处的四分之一波长(90°)。>射频设计面临的主要挑战之一是在保持器件性能的同时减小器件的整体尺寸，此外还需要保持较低的热阻率。首先，在5G通信领域，较宽的频率范围内很难提供小尺寸的混合耦合器，并且还保持一个恒定的对称混合耦合值。其次，耦合器输入端口很难提供较低的或接近最小值1的电压驻波比(VSWR)，VSWR是传输线最大值到最小值的驻波比。众所周知，如：射频功放、低噪声放大器、传输线特性阻抗，在送信号到混合耦合器时，当没有反射波的情况下，那么VMax＝VMin或VSWR为1，重点是要保持低电压驻波比让与设备不匹配的损失减到最少。此外，混合耦合器很难能够处理对称性，以及在宽带频率范围内难以提供良好的传输线特性阻抗。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术存在的不足，提供一种表面贴装混合耦合器，在更小型化的体积内实现强耦合和对称性，以及功率处理和较低的热阻率。本专利技术的目的通过以下技术方案来实现：表面贴装混合耦合器，特点是：金属化通孔一从铜箔层一贯穿介质层二、介质层三、介质层四、介质层五至铜箔层五；金属化通孔二从铜箔层一贯穿介质层二、介质层三、介质层四、介质层五至铜箔层五；金属化通孔三从铜箔层一贯穿介质层二、介质层三、介质层四、介质层五至铜箔层五；金属化通孔四从铜箔层一贯穿介质层二、介质层三、介质层四、介质层五、介质层六至铜箔层六；金属化通孔五从铜箔层一贯穿介质层二、介质层三、介质层四、介质层五、介质层六至铜箔层六；金属化通孔六从铜箔层一贯穿介质层二、介质层三、介质层四、介质层五、介质层六至铜箔层六；金属化通孔七从铜箔层一贯穿介质层二、介质层三、介质层四、介质层五、介质层六至铜箔层六；金属化通孔八从铜箔层四贯穿介质层五、介质层六至铜箔层六；金属化通孔九从铜箔层四贯穿介质层五、介质层六至铜箔层六；微带传输线一位于铜箔层五，一端连接金属化通孔二，另一端连接金属化通孔五；微带传输线二位于铜箔层五，一端连接金属化通孔一，另一端连接金属化通孔四；螺旋微带线一位于铜箔层二，一端连接金属化通孔六，另一端连接金属化通孔一；螺旋微带线二位于铜箔层三，一端连接金属化通孔七，另一端连接金属化通孔二；金属化接地层一位于铜箔层一，通过金属化通孔三连接金属化接地层二；金属化接地层二位于铜箔层四，边缘一侧通过金属化通孔八连接引脚端口二，边缘另一侧通过金属化通孔九连接引脚端口五；引脚端口一位于铜箔层六，与金属化通孔七相连接；引脚端口二位于铜箔层六，与金属化通孔八相连接；引脚端口三位于铜箔层六，与金属化通孔四相连接；引脚端口四位于铜箔层六，与金属化通孔五相连接；引脚端口五位于铜箔层六，与金属化通孔九相连接；引脚端口六位于铜箔层六，与金属化通孔六相连接。进一步地，上述的表面贴装混合耦合器，其中，引脚端口三经过金属化通孔四与微带传输线二连接，微带传输线二位于铜箔层五，与微带传输线一同一层，呈中心对称的两路传输线。进一步地，上述的表面贴装混合耦合器，其中，微带传输线二通过金属化通孔一连接螺旋微带线一，螺旋微带线一位于铜箔层二，与螺旋微带线二垂直并列布置，呈中心镜像的两条螺旋微带耦合线，螺旋微带线一的输出端通过金属化通孔六连接引脚端口六。进一步地，上述的表面贴装混合耦合器，其中，介质层三的厚度为45um～60um。进一步地，上述的表面贴装混合耦合器，其中，螺旋微带线一和螺旋微带线二的线宽为90um～110um，线距38um～50um，线长度小于13mm。进一步地，上述的表面贴装混合耦合器，其中，金属化接地层一和金属化接地层二呈椭圆形或O型，中间镂空，线宽170um～200um。进一步地，上述的表面贴装混合耦合器，其中，微带传输线一和微带传输线二呈对称布置。本专利技术与现有技术相比具有显著的优点和有益效果，具体体现在以下方面：①本专利技术对称混合耦合器是一六端口无源器件，第一端口(输入端口)连接到螺旋微带传输线，通过金属化通孔连接到第四端口输出；同时，与第一端口连接的螺旋微带传输线并行的另外一条螺旋微带传输线通过金属化通孔连接到第六端口(输出端口)，第三端口为隔离端口，第二端口和第五端口为接地；②混合耦合器分流比R具有从1:1到1:999之间的任何值，用于射频功放、低噪声放大器、衰减器、混频器等电路中，以及Wi-Fi、Bluetooth等低能耗前端提供支持应用；适合射频放大器模组、低噪声放大器模组、以及手机平板等移动设备的信号组合或分支的应用；③一个极小体积的产品下在一个超宽的频率范围内保持在最低限度的回波损耗，并在相同的宽带频率范围内的耦合值保持不变；④本专利技术尺寸最小化的对称混合耦合器，宽带频率范围内工作，易于大批量生产，在极小的体积内实现强耦合和对称性；采用新型长方体0805(EIA)规格体积的结构，具有非常低的耗散损失和超宽带频率范围应用。本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术具体实施方式了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.表面贴装混合耦合器，其特征在于：/n金属化通孔一(7)从铜箔层一(L1)贯穿介质层二(D2)、介质层三(D3)、介质层四(D4)、介质层五(D5)至铜箔层五(L5)；/n金属化通孔二(8)从铜箔层一(L1)贯穿介质层二(D2)、介质层三(D3)、介质层四(D4)、介质层五(D5)至铜箔层五(L5)；/n金属化通孔三(15)从铜箔层一(L1)贯穿介质层二(D2)、介质层三(D3)、介质层四(D4)、介质层五(D5)至铜箔层五(L5)；/n金属化通孔四(9)从铜箔层一(L1)贯穿介质层二(D2)、介质层三(D3)、介质层四(D4)、介质层五(D5)、介质层六(D6)至铜箔层六(L6)；/n金属化通孔五(10)从铜箔层一(L1)贯穿介质层二(D2)、介质层三(D3)、介质层四(D4)、介质层五(D5)、介质层六(D6)至铜箔层六(L6)；/n金属化通孔六(11)从铜箔层一(L1)贯穿介质层二(D2)、介质层三(D3)、介质层四(D4)、介质层五(D5)、介质层六(D6)至铜箔层六(L6)；/n金属化通孔七(12)从铜箔层一(L1)贯穿介质层二(D2)、介质层三(D3)、介质层四(D4)、介质层五(D5)、介质层六(D6)至铜箔层六(L6)；/n金属化通孔八(13)从铜箔层四(L4)贯穿介质层五(D5)、介质层六(D6)至铜箔层六(L6)；/n金属化通孔九(14)从铜箔层四(L4)贯穿介质层五(D5)、介质层六(D6)至铜箔层六(L6)；/n微带传输线一(20)位于铜箔层五(L5)，一端连接金属化通孔二(8)，另一端连接金属化通孔五(10)；/n微带传输线二(21)位于铜箔层五(L5)，一端连接金属化通孔一(7)，另一端连接金属化通孔四(9)；/n螺旋微带线一(17)位于铜箔层二(L2)，一端连接金属化通孔六(11)，另一端连接金属化通孔一(7)；/n螺旋微带线二(18)位于铜箔层三(L3)，一端连接金属化通孔七(12)，另一端连接金属化通孔二(8)；/n金属化接地层一(16)位于铜箔层一(L1)，通过金属化通孔三(15)连接金属化接地层二(19)；/n金属化接地层二(19)位于铜箔层四(L4)，边缘一侧通过金属化通孔八(13)连接引脚端口二(2)，边缘另一侧通过金属化通孔九(14)连接引脚端口五(5)；/n引脚端口一(1)位于铜箔层六(L6)，与金属化通孔七(12)相连接；/n引脚端口二(2)位于铜箔层六(L6)，与金属化通孔八(13)相连接；/n引脚端口三(3)位于铜箔层六(L6)，与金属化通孔四(9)相连接；/n引脚端口四(4)位于铜箔层六(L6)，与金属化通孔五(10)相连接；/n引脚端口五(5)位于铜箔层六(L6)，与金属化通孔九(14)相连接；/n引脚端口六(6)位于铜箔层六(L6)，与金属化通孔六(11)相连接。/n...

【技术特征摘要】
1.表面贴装混合耦合器，其特征在于：
金属化通孔一(7)从铜箔层一(L1)贯穿介质层二(D2)、介质层三(D3)、介质层四(D4)、介质层五(D5)至铜箔层五(L5)；
金属化通孔二(8)从铜箔层一(L1)贯穿介质层二(D2)、介质层三(D3)、介质层四(D4)、介质层五(D5)至铜箔层五(L5)；
金属化通孔三(15)从铜箔层一(L1)贯穿介质层二(D2)、介质层三(D3)、介质层四(D4)、介质层五(D5)至铜箔层五(L5)；
金属化通孔四(9)从铜箔层一(L1)贯穿介质层二(D2)、介质层三(D3)、介质层四(D4)、介质层五(D5)、介质层六(D6)至铜箔层六(L6)；
金属化通孔五(10)从铜箔层一(L1)贯穿介质层二(D2)、介质层三(D3)、介质层四(D4)、介质层五(D5)、介质层六(D6)至铜箔层六(L6)；
金属化通孔六(11)从铜箔层一(L1)贯穿介质层二(D2)、介质层三(D3)、介质层四(D4)、介质层五(D5)、介质层六(D6)至铜箔层六(L6)；
金属化通孔七(12)从铜箔层一(L1)贯穿介质层二(D2)、介质层三(D3)、介质层四(D4)、介质层五(D5)、介质层六(D6)至铜箔层六(L6)；
金属化通孔八(13)从铜箔层四(L4)贯穿介质层五(D5)、介质层六(D6)至铜箔层六(L6)；
金属化通孔九(14)从铜箔层四(L4)贯穿介质层五(D5)、介质层六(D6)至铜箔层六(L6)；
微带传输线一(20)位于铜箔层五(L5)，一端连接金属化通孔二(8)，另一端连接金属化通孔五(10)；
微带传输线二(21)位于铜箔层五(L5)，一端连接金属化通孔一(7)，另一端连接金属化通孔四(9)；
螺旋微带线一(17)位于铜箔层二(L2)，一端连接金属化通孔六(11)，另一端连接金属化通孔一(7)；
螺旋微带线二(18)位于铜箔层三(L3)，一端连接金属化通孔七(12)，另一端连接金属化通孔二(8)；
金属化接地层一(16)位于铜箔层一(L1)，通过金属化通孔三(15)连接金属化接地层二(19)；
金属化接地层二(19)位于铜箔层四(L4)，边缘一侧通过金属化通孔八(13)连接引脚...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞志华，
申请(专利权)人：增强信苏州通信设备有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32