制备显示器用阵列板的方法技术

一种显示器用阵列通过如下步骤形成：将在支持膜上具有正性光致抗蚀剂树脂层的正性干膜抗蚀剂粘附到衬底上，使得光致抗蚀剂树脂层粘附在所述衬底的表面上。然后，将所述支持膜从粘附到所述衬底表面的光致抗蚀剂树脂层上释放；将所述层曝光；以及将在所述正性型光致抗蚀剂树脂层中的曝光区域显影并除去。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
一种以及正性型光致抗蚀剂树脂在制备显 示器用阵列板中的应用。
技术介绍
平板显示器正在日益发展，以代替阴极射线管(CRT)显示器。它们中， 液晶显示器(LCD)、有机电致发光显示器(ELD)等已经特别得到了关注，它 们具有比如轻重量、薄膜性质或低功率消耗等的优点。例如，光透射有源矩阵式液晶显示器可以包含每一个都具有开关元件 的多个显示像素的阵列。有源矩阵式液晶显示器具有通过对齐层(alignment 1 ay er)在阵列衬底和相反衬底之间设置的液晶层。阵列衬底在形成于由玻璃、石英等制备的透明板上的格子内排列有多 根信号线和扫描线。在格子的交点上使用无定形硅半导体薄膜，将每一个 格子与薄膜晶体管(下文中，简写为TFT)连接。TFT的栅极电极和漏极电极分别电连接扫描线和信号线，同时TFT的 漏极电极电连接用于制备像素电极的透明导电材料例如铟-锡-氧化物 (ITO)。TFT的可能结构包括正交错式(顶部栅极式)和负交错式(底部栅极式) 结构。光致抗蚀剂和光致抗蚀剂膜被用于制备这些LCD,并且还用于制备其 它高度集成的半导体比如集成电路(IC)、印刷电路版(PCB)和电子显示器如 阴极射线管(CRT)和有机电致发光显示(EL或ELD)。用于这些器件的制备 方法采用了光刻法和光制备技术。光致抗蚀剂膜需要足以形成具有非常细 的线和不大于7pm的小空间区域的图案的分辨率。通过化学改性光致—抗蚀剂树脂或光致抗蚀剂的分子结构，可以使光致 抗蚀剂的物理性质在比如在某些溶剂中的溶解性、着色性、固化等性质上 不同。近年来，采用液体光致抗蚀剂组合物制备TFT-LCD的方法由于衬底尺 寸的增大已经变得日益复杂和困难，因此与液体光致抗蚀剂组合物相关的 问题已经变得更加突出。正性液体光致抗蚀剂表现出一些问题，比如由于 在储存过程中的沉降而导致分辨率和灵敏度降低、由于在涂布表面上的残 留物而导致图案设计较差等。因此，存在研发新的光致抗蚀剂以解决这些 问题的需要。对正性干抗蚀剂技术的需要起因于与常规液体正性光致抗蚀剂相关的 缺点。这些缺点导致生产成本升高。例如，将光致抗蚀剂旋涂到半导体晶 片上导致昂贵光致抗蚀剂材料的损失。旋涂抗蚀剂的机器体现主要的资本 费用，并且与旋涂相关的时间和处理产生另外的生产成本。与光致抗蚀剂 的定点使用(point-of-use)的应用相关的过滤也是成本高昂的。光致抗蚀剂 在旋涂处理中的所有点上的浪费也体现出光致抗蚀剂成本的主要部分。而 且，正性液体光致抗蚀剂组合物在储存过程中通常产生不溶性材料(即，经 历沉降)，从而导致分辨率和灵敏度的降低。因此，实用的干膜正性光致抗 蚀剂技术变得高度需要。在二十世纪六十年代期间，传统的干膜光致抗蚀剂技术开始发展，在 那时液体负性光致抗蚀剂适合用于制备大特征、低分辨率器件比如印刷电 路版(PCB)图案的干膜技术。然而，这些干膜抗蚀剂的差的分辨率抑制了 干膜技术对高分辨率器件比如IC、 LCD等的应用。正性干膜抗蚀剂首先在二十世纪八十年代出现，此时，技术发展开发 出了热塑性树脂的一些性质。例如，采用纤维素树脂作为干膜正性抗蚀剂 的基底(美国专利5,981,135)。 DuPont开发出了另外的干膜正性抗蚀剂(美 国专利4,193,797和美国专利5,077,174)，这些干膜正性抗蚀剂都是基于丙 烯酸酯或甲基丙烯酸酯树脂的。因此，这些相关领域的热塑性正性干膜光 致抗蚀剂同样具有负性抗蚀剂的缺点，原因是采用纤维素或丙烯酸类树脂 产生具有低分辨率的厚干膜光致抗蚀剂。因此，这些相关领域的干膜正性光致抗蚀剂的应用已经证实了关于高级半导体制备应用需要薄膜的问题。即，由于高分辨率光刻法需要光致抗 蚀剂层的宽度变得更薄，因此增加了对均匀薄膜的需要。例如，光致抗蚀 剂的薄膜对比如衬底粗糙度之类的外部现象更灵敏。十分不均匀的衬底可 能在光致抗蚀剂层产生比如"鱼眼"的缺陷。另外，通过光学器件在短时间内导致的光致抗蚀剂树脂或光致抗蚀剂 的分子结构的化学改性，可以使得光致抗蚀剂树脂或光致抗蚀剂的物理性 质变化，比如在某些溶剂中的溶解性(即，溶解性的增加或降低)、着色、 固化等的变化。另外地，己经开发出了各种用于改善光致抗蚀剂树脂组合物的物理性 质和加工稳定性的溶剂，这些溶剂包括例如乙二醇单乙基醚乙酸酯(EGMEA)、丙二醇单乙基醚乙酸酯(PGMEA)、乙酸乙酯(EA)等。然而，这些液体光致抗蚀剂组合物通常在储存过程中产生不溶材料 (即，经历沉降)，从而导致分辨率和灵敏度的降低。例如，如在日本专利 公开No. 3-249654中公开的，包含碱溶性酚醛清漆树脂以及作为光酸生成 剂的含1,2-萘醌二叠氮基-4-磺酸酯和可酸分解自由基的材料的组合物；以 及如在日本专利公开No. 6-202320公开的，包含碱溶性酚醛清漆树脂、1,2-萘醌二叠氮基-4-磺酸多羟基二苯甲酮酯和可酸分解自由基的组合物，都存 在问题，比如由于储存过程中的沉降而导致的分辨率和灵敏度降低、由于 在涂布表面上的残留物而导致的图案设计较差等。相关领域的技术的另一个实例包括美国专利No. 3,666,473，它涉及两 种苯酚-甲醛酚醛清漆树脂和典型光敏化合物的混合物的应用。美国专利 No. 4,115,128论述了将有机酸的环酸酐加入到酚树脂以及萘醌二叠氮化物 的敏化剂中，以改善其光敏速度。美国专利No. 4,550,069论述了酚醛清漆 树脂、对-苯醌叠氮化物的光敏化合物和作为它们溶剂的丙二醇单乙基醚乙 酸酯(PGMEA)的应用，以提高光敏速度和改善对人类的毒性。日本专利 No. 189,739涉及用于提高分辨率和耐热性的酚醛清漆树脂的分级 (fractionation)。因此，在本领域中，强烈需求一种使用改进的光致抗蚀剂树脂产物的 显示器制备技术，它克服了各种问题比如涂层厚度偏差、差的光滑性、变 形、凝结、发泡、涂布损耗等，而这些问题都是使用常规的液体正性型光致抗蚀剂组合物在LCD、有机ELD等上形成微图案时的必要处理比如旋 涂或类似处理的过程中产生的。该技术应当同时表现出高的分辨率、优异 的线宽控制能力、高耐热性、高灵敏度、高的膜残留比率，高的耐干蚀刻 性和高的显影性质；并且可适用于LCD、有机ELD等的微精加工
技术实现思路
技术问题因此，部分地，本专利技术的目的是提供一种通过下面的步骤可以解决上 述问题使用正性型光致抗蚀剂树脂膜形成阵列的方法消除当将相关领域 的液体光致抗蚀剂组合物用于在用于TFT-LCD、有机ELD等的衬底上形 成微电路图案时所需要的在玻璃衬底上的复杂涂敷处理(例如，旋涂)。部分地，本专利技术属于制备显示器用阵列的方法，该方法包括将具有在 支持膜上的正性光致抗蚀剂树脂层的正性干膜抗蚀剂粘附到衬底上，使得 光致抗蚀剂树脂层粘附在所述衬底的表面上；将支持膜从粘附到所述衬底 表面的光致抗蚀剂树脂层上释放；将该层曝光；以及将在正性型光致抗蚀 剂树脂层中的曝光区域显影并除去。部分地，本专利技术属于一种使用光致抗蚀剂树脂膜制备的阵列，所述光 致抗蚀剂树脂膜具有支持膜以及层叠在所述支持膜上的正性型光致抗蚀 剂树脂层。更具体而言，正性型光致抗蚀剂树脂层包含碱溶性树脂、二叠 氮化物基光敏化合物、灵敏度提高剂、高沸点溶剂，其中所述的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备显示器用阵列的方法，所述方法包括：将在支持膜上具有正性光致抗蚀剂树脂层的正性干膜抗蚀剂粘附到衬底上，使得光致抗蚀剂树脂层粘附在所述衬底的表面上；将所述支持膜从粘附到所述衬底表面的光致抗蚀剂树脂层上释放；将 所述层曝光；以及将在所述正性型光致抗蚀剂树脂层中的曝光区域显影并除去。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金炳基，朴世炯，卞达锡，宋锡政，朴钟旼，
申请(专利权)人：可隆株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]