超宽带陶瓷滤波器制造技术

技术编号:27044454 阅读:16 留言:0更新日期:2021-01-12 11:32
本实用新型专利技术涉及一种超宽带陶瓷滤波器。包括陶瓷基体,所述陶瓷基体上下对应的两表面开设有若干间隔设置的谐振腔,各面的谐振腔形成以下排列形式:包括一金属化谐振腔、一表面激光蚀刻银层或者丝印电极和端面的金属化谐振腔,上述两种谐振腔间隔依次排列。本实用新型专利技术设计一种联体式滤波器,可以把相对带宽做到50%以上,稳定性高,可靠性高,且无需加屏蔽外壳和PCB板也能实现良好的接地状态,可以替代部分的军品和分立式的产品,具有很好的使用性能。

【技术实现步骤摘要】
超宽带陶瓷滤波器
本技术涉及一种超宽带陶瓷滤波器,属于滤波器

技术介绍
目前市面上比较流行的TEM模介质滤波器可分为联体式和分立式两种,联体式的滤波器设计灵活,可靠性高,生产方便等优点一直被广泛应用,但是缺点是相对带宽最多只能做到20%;分立式滤波器稳定性高,无二次谐波,相对带宽最高可做到50%,但是缺点是生产繁琐,可靠性偏低。
技术实现思路
本技术针对上述缺陷,目的在于提供一种结构合理、可靠性高、性能好的超宽带陶瓷滤波器。为此本技术采用的技术方案是:超宽带陶瓷滤波器,包括陶瓷基体,所述陶瓷基体上下对应的两表面开设有若干间隔设置的谐振腔,各面的谐振腔形成以下排列形式:包括一金属化谐振腔、一表面激光蚀刻银层或者丝印电极和端面的金属化谐振腔,上述两种谐振腔间隔依次排列。进一步的,其中一表面的两端谐振腔表面激光蚀刻银层或者丝印电极,其延伸到对应表面的侧面。进一步的,两表面谐振腔形成以下结构形式,当其中一表面的其中谐振腔为金属化的谐振腔时,另一表面的对应谐振腔为激光蚀刻银层或者丝印电极和端面的金属化谐振腔。进一步的,所述陶瓷基体为长方体形状形式,所述谐振腔为圆孔形状形式,表面蚀刻或丝印电极形成圆环状。进一步的,所述一表面的两端谐振腔表面激光蚀刻银层或者丝印电极,通过两侧形成的方形结构延伸到对应表面的侧面。本技术的优点是:本技术设计一种联体式滤波器,可以把相对带宽做到50%以上,稳定性高,可靠性高,且无需加屏蔽外壳和PCB板也能实现良好的接地状态,可以替代部分的军品和分立式的产品,具有很好的使用性能。附图说明图1为本技术的结构示意图。图2为图1的后视图。图3为本技术的俯视图。图4为本技术的正视图。图5、6为中心频率2400MHz,带宽1600MHz,相对带宽66.7%的仿真图。图7、8为中心频率3000MHz,带宽400MHz,相对带宽13.3%的仿真图。具体实施方式超宽带陶瓷滤波器,包括陶瓷基体,所述陶瓷基体上下对应的两表面开设有若干间隔设置的谐振腔,各面的谐振腔形成以下排列形式:包括一金属化谐振腔、一表面激光蚀刻银层或者丝印电极和端面的金属化谐振腔,上述两种谐振腔间隔依次排列。进一步的,其中一表面的两端谐振腔表面激光蚀刻银层或者丝印电极,其延伸到对应表面的侧面。进一步的,两表面谐振腔形成以下结构形式,当其中一表面的其中谐振腔为金属化的谐振腔时,另一表面的对应谐振腔为激光蚀刻银层或者丝印电极和端面的金属化谐振腔。进一步的,所述陶瓷基体为长方体形状形式,所述谐振腔为圆孔形状形式,表面蚀刻或丝印电极形成圆环状。进一步的,所述一表面的两端谐振腔表面激光蚀刻银层或者丝印电极,通过两侧形成的方形结构延伸到对应表面的侧面。下面对本技术做进一步说明,以更好了解本技术:本技术和常规TEM模的电磁场传播方法不同,本技术的滤波器的电磁场是在陶瓷的内部传输,大大降低了能量的损耗,谐振腔之间的耦合强弱通过谐振腔的间距来调节,频率通过谐振腔的长度来调节。本技术的性能数据如下:电性能对比本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.超宽带陶瓷滤波器,其特征在于,包括陶瓷基体,所述陶瓷基体上下对应的两表面开设有若干间隔设置的谐振腔,各面的谐振腔形成以下排列形式:包括一金属化谐振腔、一表面激光蚀刻银层或者丝印电极和端面的金属化谐振腔,上述两种谐振腔间隔依次排列。/n

【技术特征摘要】
1.超宽带陶瓷滤波器,其特征在于,包括陶瓷基体,所述陶瓷基体上下对应的两表面开设有若干间隔设置的谐振腔,各面的谐振腔形成以下排列形式:包括一金属化谐振腔、一表面激光蚀刻银层或者丝印电极和端面的金属化谐振腔,上述两种谐振腔间隔依次排列。


2.根据权利要求1所述的超宽带陶瓷滤波器,其特征在于,其中一表面的两端谐振腔表面激光蚀刻银层或者丝印电极,其延伸到对应表面的侧面。


3.根据权利要求1所述的超宽带陶瓷滤波器,其特征在于,两表面...

【专利技术属性】
技术研发人员:严盛喜杨安岗李飞李永祥潘锦
申请(专利权)人:江苏江佳电子股份有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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