太阳能单电池、太阳能电池组件和太阳能单电池的制造方法技术

本公开的太阳能单电池包括第1导电型的晶体硅基片和第2导电型的第1半导体层，所述第1半导体层形成于晶体硅基片的第1主面侧。晶体硅基片的沿厚度方向延伸的侧面包括算术平均粗糙度在厚度方向上不同的侧面部，在侧面部的附近具有第1主面侧的薄片电阻较高的高电阻区域，在从侧面部至第1主面的中心之间的区域包括以高电阻区域为起点随着从侧面部远离一个方向，第1主面侧的薄片电阻单调减小的一个方向。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能单电池、太阳能电池组件和太阳能单电池的制造方法
本公开涉及太阳能单电池、太阳能电池组件和太阳能单电池的制造方法。
技术介绍
太阳能单电池如专利文献1示例那样，存在根据产品的各种各样的要求而在加工成比制造时面积小的单片之后，组入太阳能电池组件的例子。在该太阳能单电池的加工方法中，首先，形成大面积的太阳能单电池。大面积的太阳能单电池通过在n型单晶基片的第1主面侧依次设置p型非晶硅层和透明导电性层，并且在n型单晶基片的第2主面侧依次设置n型非晶硅层和透明导电性层而形成。接下来，通过对n型非晶硅侧的透明导电性层照射激光，而在上述大面积的太阳能单电池上形成分割槽。然后，以该分割槽为起点，将上述太阳能单电池分成多个部分。通过这样的方式，形成比上述大面积小的小面积的太阳能单电池。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-235521号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本申请的专利技术人们发现存在如下情况：在包括具有第1导电型的硅基片、具有设置于硅基片的第1面的第2导电型的第1非晶硅、和具有设置于硅基片的第2面的第1导电型的第2非晶硅的异质结型太阳能单电池中，在从进一步设置于第2非晶硅(其设置于硅基片上)上的透明导电层的外侧照射激光而对太阳能单电池设置分割槽，然后分割太阳能单电池时，pn接合间的分流电阻因通过分割而产生的剥出的端面而减小，在该剥出端面产生低电阻的漏电流路径。存在流经该漏电流路径的漏电流使太阳能单电池的发电特性下降的情况。此外，pn接合间的分流电阻的减小程度在如下情况下变大：在具有与硅基片的导电型不同的第2导电型的非晶硅层的侧存在透明导电层。另一方面，为了避免该问题，在设置于第2导电型的非晶硅层侧的透明导电层的存在区域变小时，取出生成的载流子的透明导电层的面积减小，其结果是，第2导电型的非晶硅层侧的透明导电层的电阻增加，致使太阳能单电池的发电特性下降。在通过激光照射对异质结型太阳能单电池以外的太阳能单电池形成分割槽时，料想也会出现与上述同样的现象。作为一例，关于通过热扩散在第1导电侧的晶体硅基片上设置第2导电型区域的太阳能单电池中的第2导电型区域的形成区域也成立。在考虑照射激光的位置而使设置于第1导电型的晶体硅基片的第2导电型区域的存在区域变小时，载流子回收性能下降，致使太阳能单电池的发电特性下降。另一方面，若在激光照射位置设置第2导电型区域，则因将太阳能单电池分割为小面积时的激光照射而产生的损坏所导致的发电特性的下降变大。本公开的目的涉及使用激光将大面积的太阳能单电池加工为小面积的太阳能单电池的制造方法。即，提供能够同时抑制(1)因激光照射而对硅基片等造成的损坏、以及在加工得到的小面积单片中产生的未受保护的端面的影响而导致的发电特性的下降，和(2)载流子回收性能的下降，而提高发电特性的太阳能单电池、太阳能电池组件和太阳能单电池的制造方法。用于解决课题的方法用于解决上述课题的本公开的太阳能单电池包括：具有第1主面和第2主面的第1导电型的晶体硅基片；和形成于晶体硅基片的第1主面侧的第2导电型的第1半导体层。太阳能单电池具有包含相互平行的2个边的边缘部，且在第1主面侧的表面或第2主面侧的表面中的一个表面包括沿着与2个边两者正交的第1方向，太阳能单电池的薄片电阻变化的第1薄片电阻变化部，第1薄片电阻变化部依次包括随着向第1方向行进，薄片电阻增加的电阻增加部、和薄片电阻减小的电阻减小部。此外，本公开的太阳能单电池包括：第1导电型的晶体硅基片；和形成于晶体硅基片的第1主面侧的第2导电型的第1半导体层。晶体硅基片的沿厚度方向延伸的侧面包括算术平均粗糙度在厚度方向上不同的侧面部，在侧面部的附近具有第1主面侧的薄片电阻较高的高电阻区域，在从侧面部至第1主面的中心之间的区域包括以高电阻区域为起点随着从侧面部远离一个方向，第1主面侧的薄片电阻单调减小的一个方向。此外，本公开的太阳能单电池的制造方法包括如下步骤。即：极性不同的接合部形成步骤，形成包括具有第1主面和第2主面的第1导电型的硅基片、位于晶体硅基片的第1主面侧的第2导电型的第1非晶硅层、和位于晶体硅基片的第2主面的第1导电型的第2非晶硅层的极性不同的接合部；配置步骤，在极性不同的接合部形成步骤后，将极性不同的接合部配置于透明导电层形成用腔室内；掩模配置步骤，在配置步骤后，在腔室内，在第1非晶硅层和第2非晶硅层中的至少一个的外侧配置具有1mm以上的宽度的线状的掩模；透明导电层成膜步骤，在掩模配置步骤后，借助掩模使透明导电层层叠于第1非晶硅层和第2非晶硅层中的至少一个上；和掩模除去步骤，在透明导电层成膜步骤后，除去掩模。专利技术效果根据本公开的太阳能单电池，能够抑制因形成分割槽时的激光照射而导致的损坏以及因分割槽的形成而在小面积的太阳能单电池产生的没有得到保护的端面的影响而造成的发电特性的下降、以及载流子回收性能的下降，能够提高发电特性。此外，根据本公开的太阳能单电池的制造方法，如上所述，能够制造能够抑制太阳能单电池的分割槽的形成导致的发电特性的下降以及载流子回收性能的下降的太阳能单电池。附图说明图1是本公开的第1实施方式的太阳能单电池的示意截面图。图2是说明上述太阳能单电池的制造方法的示意截面图，是表示上述太阳能单电池的制造过程中的状态的示意截面图。图3是说明上述太阳能单电池的制造方法的示意截面图，是表示上述太阳能单电池的制造过程中的状态的示意截面图。图4是说明上述太阳能单电池的制造方法的示意截面图，是表示上述太阳能单电池的制造过程中的状态的示意截面图。图5是说明上述太阳能单电池的制造方法的示意截面图，是表示上述太阳能单电池的制造过程中的状态的示意截面图。图6是说明上述太阳能单电池的制造方法的示意截面图，是表示上述太阳能单电池的制造过程中的状态的示意截面图。图7是表示一试验例中的、上述太阳能单电池的透明导电层的膜厚的变化与掩模的配置位置的关系的示意图。图8是变形例的太阳能单电池的示意截面图。图9是说明第2实施方式的太阳能单电池的制造方法的示意截面图，是表示该太阳能单电池的制造过程中的状态的示意截面图。图10是说明第2实施方式的太阳能单电池的制造方法的示意截面图，是表示该太阳能单电池的制造过程中的状态的示意截面图。图11是说明第2实施方式的太阳能单电池的制造方法的示意截面图，是表示该太阳能单电池的制造过程中的状态的示意截面图。图12是第2实施方式的太阳能单电池的示意截面图。图13是表示变形例的太阳能单电池的俯视时的激光切割部的位置的示意平面图。图14是说明小型设备中使用的太阳能单电池的制造方法的示意平面图。具体实施方式以下，参照附图对本公开的实施方式进行详细的说明。另外，在下文中包含多个实施方式、变形例等的情况下，最初就设想能够将它们的特征部分适当地组合而构建成新的实施方式。此外，在下文的说明和附图中，X方向表示一个方向，Y方向表示后文说明的槽19、21本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能单电池，其包括：/n具有第1主面和第2主面的第1导电型的晶体硅基片；和/n形成于所述晶体硅基片地第1主面侧的第2导电型的第1半导体层，所述太阳能单电池的特征在于：/n所述太阳能单电池具有包含相互平行的2个边在内的边缘部，并且在所述第1主面侧的表面或所述第2主面侧的表面中的一个表面具有沿着与所述2个边两者正交的第1方向、所述太阳能单电池的薄片电阻变化的第1薄片电阻变化部，/n所述第1薄片电阻变化部依次具有随着向第1方向去而薄片电阻增加的电阻增加部和薄片电阻减小的电阻减小部。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180605 JP 2018-1075021.一种太阳能单电池，其包括：
具有第1主面和第2主面的第1导电型的晶体硅基片；和
形成于所述晶体硅基片地第1主面侧的第2导电型的第1半导体层，所述太阳能单电池的特征在于：
所述太阳能单电池具有包含相互平行的2个边在内的边缘部，并且在所述第1主面侧的表面或所述第2主面侧的表面中的一个表面具有沿着与所述2个边两者正交的第1方向、所述太阳能单电池的薄片电阻变化的第1薄片电阻变化部，
所述第1薄片电阻变化部依次具有随着向第1方向去而薄片电阻增加的电阻增加部和薄片电阻减小的电阻减小部。


2.如权利要求1所述的太阳能单电池，其特征在于，还包括：
第2半导体层，其设置于所述晶体硅基片的作为所述第1主面侧的相反面的第2主面上，且导电型与所述第1导电型相同；和
第1透明导电层，其与所述第1半导体层和所述第2半导体层的任一者接触地设置，
在所述第1薄片电阻变化部的所述电阻增加部，所述第1透明导电层的厚度减小，
在所述第1薄片电阻变化部的所述电阻减小部，所述第1透明导电层的厚度增加。


3.如权利要求2所述的太阳能单电池，其特征在于：
所述第1半导体层为设置于所述晶体硅基片的第1主面侧的第2导电型的第1非晶硅层，所述第1透明导电层设置在所述第1半导体层上。


4.如权利要求2所述的太阳能单电池，其特征在于：
还包括设置在所述第2半导体层上的第2透明导电层，
在所述第2主面侧具有所述太阳能单电池的薄片电阻变化的第2薄片电阻变化部。


5.如权利要求2或3所述的太阳能单电池，其特征在于：
所述电阻增加部中的所述第1透明导电层的厚度的最小值为所述电阻增加部中的所述第1透明导电层的最大厚度的10％以下。


6.如权利要求2所述的太阳能单电池，其特征在于：
还包括设置在所述第2半导体层上的第2透明导电层，在所述第2主面侧不具有所述太阳能单电池的薄片电阻变化的第2薄片电阻变化部。


7.如权利要求1所述的太阳能单电池，其特征在于：
所述第2导电型的所述第1半导体层为形成于所述晶体硅基片的所述第1主面侧的导电性杂质扩散层，
所述太阳能单电池具有包含相互平行的2个边在内的边缘部，在所述第1主面侧具有沿着与所述2个边两者正交的第1方向、所述太阳能单电池的薄片电阻变化的第1薄片电阻变化部，
所述第1薄片电阻变化部依次具有随着沿第1方向前进而薄片电阻增加的电阻增加部和薄片电阻减小的电阻减小部。


8.一种太阳能单电池，其特征在于，包括：
第1导电型的晶体硅基片；和
形成于所述晶体硅基片的第1主面侧的第2导电型的第1半导体层，
所述晶体硅基片的沿厚度方向延伸的侧面包括算术平均粗糙度在所述厚度方向上不同的侧面部，
在所述侧面部的附近具有所述第1主面侧的薄片电阻较高的高电阻区域，
在从所述侧面部至所述第1主面的中心之间的区域，存在以所述高电阻区域为起点随着从所述侧面部远离一个方向，所述第1主面侧的薄片电阻单调减小的所述一个方向。


9.如权利要求8所述的太阳能单电池，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：入川淳平，今田直人，西脇毅，桥本治寿，中村优也，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP