一种芯片、天线模组以及终端制造技术

本申请公开了一种芯片、天线模组以及终端，属于芯片技术领域。所述芯片包括：信号电路，晶体管单元以及反相器单元；所述晶体管单元的栅极电性连接于所述信号电路中；所述反相器单元的输入端与所述晶体管单元的栅极电性连接，所述反相器单元用于泄放所述信号电路中的静电电荷。在本申请的芯片中，通过将反相器单元的输入端与晶体管单元的栅极电性连接，由反相器单元泄放晶体管单元的栅极电性连接的信号电路中的静电电荷，不需要对金属线路进行换层以及天线单元的设计便可以将信号电路中的静电电荷进行泄放，也不需要通过计算天线效率就可实现解决芯片内晶体管的击穿问题，降低了芯片设计的复杂度，提高了芯片的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片、天线模组以及终端
本申请涉及芯片
，特别涉及一种芯片、天线模组以及终端。
技术介绍
随着科学技术的快速发展，在人们的日常生活中，各种各样的终端已经出现，其中，终端通过芯片可以实现数据的传输等，终端的芯片也已经成为终端不可或缺的器件。目前，在芯片的制作过程中，不同的芯片有各自的设计方案，其中，由于对芯片内部包含的晶体管的数量越来越多，在统一大小的芯片内部，对芯片内部的晶体管的尺寸需求越来越小，其中，芯片中晶体管的尺寸越小，芯片的集成度也就越高，带来的漏电和电荷积累导致晶体管击穿的问题也越来越严重。为了避免晶体管被击穿，相关技术中通常采用金属连线向上换层以及采用天线单元的方式，减少芯片的金属连线上的电荷积累，避免芯片内部晶体管的击穿。对于上述按照金属连线向上换层以及采用天线单元的方案，由于采用的天线单元在芯片内部设计时需要计算天线比率，根据天线比率如何解决避免晶体管击穿的问题，使得芯片设计过程复杂，生产周期长等问题。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种芯片、天线模组以及终端，可以提高芯片内部的空间利用率。所述技术方案如下：一个方面，本申请实施例提供了一种芯片，所述芯片包括：信号电路，晶体管单元以及反相器单元；所述晶体管单元的栅极电性连接于所述信号电路中；所述反相器单元的输入端与所述晶体管单元的栅极电性连接，所述反相器单元用于泄放所述信号电路中的静电电荷。另一方面，本申请实施例提供了一种天线模组，所述天线模组包含如上述一个方面所述的芯片。另一方面，本申请实施例提供了一种终端，所述终端包含如上述一个方面所述的天线模组。本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：在本申请的芯片中，通过将反相器单元的输入端与晶体管单元的栅极电性连接，由反相器单元泄放晶体管单元的栅极电性连接的信号电路中的静电电荷，不需要对金属线路进行换层以及天线单元的设计便可以将信号电路中的静电电荷进行泄放，不需要通过计算天线效率就可实现解决芯片内晶体管的击穿问题，降低了芯片设计的复杂度，提高了芯片的生产效率。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请一示例性实施例涉及的一种芯片内部的信号电路的结构示意图；图2是本申请一示例性实施例涉及图1的一种芯片内部的信号电路的结构示意图；图3是本申请一示例性实施例涉及图1的另一种芯片内部的信号电路的结构示意图；图4是本申请一示例性实施例涉及图1的又一种芯片内部的信号电路的结构示意图；图5是本申请一示例性实施例提供的一种芯片的局部结构示意图；图6是本申请一示例性实施例涉及的一种反相器单元的电路结构示意图；图7是本申请一示例性实施例提供的一种芯片的局部结构示意图；图8是本申请一示例性实施例涉及图7的一种反相器单元的电路结构示意图；图9是本申请一示例性实施例提供的一种芯片的局部结构示意图；图10是本申请一示例性实施例提供的一种终端的结构示意图。具体实施方式这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。本申请提供的方案，可以用于在生产芯片过程中，对芯片内部的信号电路进行设计的现实场景中，为了便于理解，下面首先对本申请实施例涉及的一些名词以及应用场景进行简单介绍。互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)：是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM(RandomAccessMemory，随机存取存储器)芯片。半导体(Semiconductor)，指常温下导电性能介于导体(Conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。标准单元库：包括版图库、符号库、电路逻辑库等。标准单元库包含了组合逻辑、时序逻辑、功能单元和特殊类型单元。标准单元库是集成电路芯片后端设计过程中的基础部分。运用预先设计好的优化的库单元进行自动逻辑综合和版图布局布线，可以提高设计效率，加快产品进入市场的时间。一般每个工艺厂商在每个工艺下都会提供相应的标准单元。晶体管(Transistor)：是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关(如Relay、Switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz(吉赫兹)以上。晶体管可以分为二极管、三极管、场效应管、晶闸管等。钳位：将某点的电位限制在规定的电位以上的措施，叫做钳位，产生这个措施的那些电路叫做钳位电路。钳位电路的作用是将周期性变化的波形的顶部或底部保持在某一确定的直流电平上。随着科学技术的快速发展以及半导体工艺的不断演进，终端中的芯片也在不断更新。其中，芯片中最重要的部件之一就是晶体管，由于对芯片的集成度要求越来越高，就要求芯片中晶体管的尺寸越来越小，目前晶体管的尺寸已经进入到7nm、5nm工艺节点，甚至包含3nm晶体管的芯片产品也将很快面世。其中，晶体管的尺寸越小带来的漏电问题以及由于电荷积累导致晶体管被击穿的问题也就越来越严重。其中，晶体管被击穿的问题可以是在芯片的生产制造过程中会导致芯片内部信号电路上电荷的逐步累积，当信号电路上累积的电荷超过承受阈值时，就会将信号电路上连接的晶体管击穿，产生击穿现象，造成晶体管永久性的失效。请参考图1，其示出了本申请一示例性实施例涉及的一种芯片内部的信号电路的结构示意图。如图1所示，在芯片100中包含了信号电路101以及晶体管102。在芯片100生产制造的过程中，由于信号电路101上会因电荷积累产生相应的电荷103，其中，电荷的移动方向可以如图1中的箭头所示的方向，当电荷103积累到超过晶体管102的承受范围，就会发生击穿现象，造成晶体管102的失效，导致该信号电路不能正常工作。目前，为了避免芯片中的信号电路上连接的晶体管发生击穿的现象，在芯片投片之前，天线防护(AntennaViolation)是需要进行检测(Check)并安装(Fix)的，为了达到对上述图1所示的信号电路101上的电荷积累程度更少的效果，可以采用金属连线向上换层的方式。请参考图2，其示出了本申请一示例性实施例涉及图1的一种芯片内部的信号电路的结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括：信号电路，晶体管单元以及反相器单元；/n所述晶体管单元的栅极电性连接于所述信号电路中；/n所述反相器单元的输入端与所述晶体管单元的栅极电性连接，所述反相器单元用于泄放所述信号电路中的静电电荷。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括：信号电路，晶体管单元以及反相器单元；
所述晶体管单元的栅极电性连接于所述信号电路中；
所述反相器单元的输入端与所述晶体管单元的栅极电性连接，所述反相器单元用于泄放所述信号电路中的静电电荷。


2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述反相器单元中包含N型金属氧化物半导体晶体管以及P型金属氧化物半导体晶体管；
所述反相器单元用于通过所述N型金属氧化物半导体晶体管以及所述P型金属氧化物半导体晶体管泄放所述信号电路中的静电电荷。


3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述信号电路与至少两个电源电性相连；
所述反相器单元中包含的两个晶体管的漏极之间的电路断路。


4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述至少两个电源各自的工作状态包含开启状态和关闭状态；
所述至少两个电源各自的工作状态相同或者不同。


5.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述信号电路包括信号输入端和信号输出...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘君，
申请(专利权)人：OPPO广东移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44