显示装置及制造该显示装置的方法制造方法及图纸

提供了一种显示装置及制造该显示装置的方法。所述显示装置包括：基体基底，具有包括第一区域和第二区域的显示区域以及非显示区域；第一半导体层，包括多晶硅并在第二区域处；第一导电层，位于第一绝缘层上，并且包括在第一区域处的底栅电极和在第二区域处的第二‑第一栅电极；第二半导体层，包括氧化物并在第一区域处位于第二绝缘层上；第二导电层，位于第三绝缘层上，并且包括在第一区域处的顶栅电极和在第二区域处的第二‑第二栅电极；以及第三导电层，位于第四绝缘层上，并且包括连接到第二半导体层的第一源电极和第一漏电极以及连接到第一半导体层的第二源电极和第二漏电极。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及制造该显示装置的方法本申请要求于2019年7月9日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0082715号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本公开的一个或更多个示例性实施例涉及一种显示装置。
技术介绍
显示装置的重要性随着多媒体的发展而逐渐提高。因此，正在使用各种类型的显示装置(诸如液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器)。在这些显示装置之中，OLED显示器使用通过电子和空穴的复合产生光的有机发光元件来显示图像。OLED显示器包括向有机发光元件供应驱动电流的多个晶体管。在本
技术介绍
部分中公开的上面的信息是为了增强对本公开的
技术介绍
的理解，因此，它可以包含不构成现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的一个或更多个示例性实施例涉及一种减少了在制造工艺中使用的掩模的数量的显示装置。本公开的一个或更多个示例性实施例涉及一种制造显示装置的方法，在所述方法中，减少了在制造工艺中使用的掩模的数量。应该注意的是，本公开的方面和特征不限于上面描述的方面和特征，并且通过以下描述，对于本领域技术人员而言，本公开的其它方面和特征将是明显的。根据本公开的示例性实施例，一种显示装置包括：基体基底，具有显示区域和与显示区域相邻的非显示区域，显示区域包括第一区域和第二区域；第一半导体层，在基体基底的第二区域处，第一半导体层包括多晶硅；第一绝缘层，位于第一半导体层上；第一导电层，位于第一绝缘层上，第一导电层包括在第一区域处的底栅电极和在第二区域处的第二-第一栅电极；第二绝缘层，位于第一导电层上；第二半导体层，在第一区域处位于第二绝缘层上，第二半导体层包括氧化物；第三绝缘层，位于第二半导体层上；第二导电层，位于第三绝缘层上，第二导电层包括在第一区域处的顶栅电极和在第二区域处的第二-第二栅电极；第四绝缘层，位于第二导电层上；以及第三导电层，位于第四绝缘层上，第三导电层包括第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极，第一源电极和第一漏电极中的每个连接到第二半导体层，并且第二源电极和第二漏电极中的每个连接到第一半导体层。在示例性实施例中，底栅电极和顶栅电极可以彼此电连接。在示例性实施例中，显示装置还可以包括：第一过孔层，位于第三导电层上；以及像素电极，位于第一过孔层上。像素电极可以直接连接到第二源电极或第二漏电极。在示例性实施例中，非显示区域可以包括在显示区域的一侧处的弯曲区域。第一绝缘层至第四绝缘层可以被构造为在弯曲区域处暴露基体基底的上表面。弯曲区域可以包括位于基体基底上的弯曲过孔层和位于弯曲过孔层上的连接电极。第三导电层还可以包括连接电极。在示例性实施例中，显示装置还可以包括：盖导电图案，在第二区域处在第二绝缘层与第三绝缘层之间，并且盖导电图案、第二-第一栅电极和在盖导电图案与第二-第一栅电极之间的第二绝缘层可以限定电容器。在示例性实施例中，盖导电图案可以包括与第二半导体层的材料相同的材料。在示例性实施例中，显示装置还可以包括：盖导电图案，在第二区域处在第二绝缘层与第三绝缘层之间，并且第二-第二栅电极和盖导电图案可以限定电容器。在示例性实施例中，底栅电极和第二-第一栅电极可以包括相同的材料。在示例性实施例中，顶栅电极和第二-第二栅电极可以包括相同的材料。在示例性实施例中，第二半导体层的氧化物可以包括选自锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)、锗(Ge)、铪(Hf)及其组合之中的至少一种的氧化物。在示例性实施例中，第一半导体层、第二-第一栅电极、第二源电极和第二漏电极可以限定驱动晶体管，并且第二半导体层、底栅电极、顶栅电极、第一源电极和第一漏电极可以限定补偿晶体管。根据本公开的示例性实施例，一种显示装置包括：基体基底，具有显示区域和与显示区域相邻的非显示区域，显示区域包括第一区域和第二区域；第一半导体层，在基体基底的第二区域处，第一半导体层包括多晶硅；第一绝缘层，位于第一半导体层上；第一导电层，位于第一绝缘层上，第一导电层包括在第一区域处的底栅电极和在第二区域处的第二-第一栅电极；第二绝缘层，位于第一导电层上；第二半导体层，在第一区域处位于第二绝缘层上，第二半导体层包括氧化物；第三绝缘层，位于第二半导体层上；第二导电层，位于第三绝缘层上，第二导电层包括在第一区域处的顶栅电极；第四绝缘层，位于第二导电层上；第三导电层，位于第四绝缘层上，第三导电层包括第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极，第一源电极和第一漏电极中的每个连接到第二半导体层，并且第二源电极和第二漏电极中的每个连接到第一半导体层；以及盖导电图案，在第二区域处在第二绝缘层与第三绝缘层之间。盖导电图案、第二-第一栅电极和在盖导电图案与第二-第一栅电极之间的第二绝缘层限定电容器。在示例性实施例中，盖导电图案可以包括与第二半导体层的材料相同的材料。在示例性实施例中，显示装置还可以包括在第二区域处位于第三绝缘层上的第二-第二栅电极，第二-第二栅电极和盖导电图案可以限定另一电容器。根据本公开的示例性实施例，一种制造显示装置的方法包括以下步骤：提供基体基底，基体基底具有显示区域和与显示区域相邻的非显示区域，显示区域包括第一区域和第二区域；在第二区域处形成第一半导体层，第一半导体层包括多晶硅；在第一半导体层上形成第一绝缘层；在第一区域处在第一绝缘层上形成底栅电极，并且在第二区域处在第一绝缘层上形成第二-第一栅电极，并发地形成底栅电极和第二-第一栅电极；在底栅电极和第二-第一栅电极上形成第二绝缘层；在第一区域处在第二绝缘层上形成第二半导体层，第二半导体层包括氧化物；在第二半导体层上形成第三绝缘层；在第一区域处在第三绝缘层上形成顶栅电极，并且在第二区域处在第三绝缘层上形成第二-第二栅电极；在顶栅电极和第二-第二栅电极上形成第四绝缘层；以及在第四绝缘层上形成第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极，第一源电极和第一漏电极中的每个通过第一接触孔连接到第二半导体层，并且第二源电极和第二漏电极中的每个通过第二接触孔连接到第一半导体层。在示例性实施例中，所述方法还可以包括以下步骤：在第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极上形成第一过孔层；以及在第一过孔层上形成像素电极，并且像素电极可以直接连接到第二源电极或第二漏电极。在示例性实施例中，非显示区域可以包括在显示区域的一侧处的弯曲区域，并且所述方法还可以包括在第四绝缘层的形成步骤与第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极的形成步骤之间形成第一接触孔和第二接触孔；以及在弯曲区域处形成延伸通过第一绝缘层至第四绝缘层中的每个的第三接触孔。在示例性实施例中，可以并发地形成第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔。在示例性实施例中，在第一区域处位于第二绝缘层上的第二半导体层的形成步骤可以包括在第二区域处在第二绝缘层上形成盖导电图案，并且可以并发地形成盖导电图案和第二半导体层。在示例性实施例中，盖导电图案、第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：/n基体基底，具有显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域，所述显示区域包括第一区域和第二区域；/n第一半导体层，在所述基体基底的所述第二区域处，所述第一半导体层包括多晶硅；/n第一绝缘层，位于所述第一半导体层上；/n第一导电层，位于所述第一绝缘层上，所述第一导电层包括在所述第一区域处的底栅电极和在所述第二区域处的第二-第一栅电极；/n第二绝缘层，位于所述第一导电层上；/n第二半导体层，在所述第一区域处位于所述第二绝缘层上，所述第二半导体层包括氧化物；/n第三绝缘层，位于所述第二半导体层上；/n第二导电层，位于所述第三绝缘层上，所述第二导电层包括在所述第一区域处的顶栅电极和在所述第二区域处的第二-第二栅电极；/n第四绝缘层，位于所述第二导电层上；以及/n第三导电层，位于所述第四绝缘层上，所述第三导电层包括第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极，所述第一源电极和所述第一漏电极中的每个连接到所述第二半导体层，并且所述第二源电极和所述第二漏电极中的每个连接到所述第一半导体层。/n

【技术特征摘要】
20190709 KR 10-2019-00827151.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体基底，具有显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域，所述显示区域包括第一区域和第二区域；
第一半导体层，在所述基体基底的所述第二区域处，所述第一半导体层包括多晶硅；
第一绝缘层，位于所述第一半导体层上；
第一导电层，位于所述第一绝缘层上，所述第一导电层包括在所述第一区域处的底栅电极和在所述第二区域处的第二-第一栅电极；
第二绝缘层，位于所述第一导电层上；
第二半导体层，在所述第一区域处位于所述第二绝缘层上，所述第二半导体层包括氧化物；
第三绝缘层，位于所述第二半导体层上；
第二导电层，位于所述第三绝缘层上，所述第二导电层包括在所述第一区域处的顶栅电极和在所述第二区域处的第二-第二栅电极；
第四绝缘层，位于所述第二导电层上；以及
第三导电层，位于所述第四绝缘层上，所述第三导电层包括第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极，所述第一源电极和所述第一漏电极中的每个连接到所述第二半导体层，并且所述第二源电极和所述第二漏电极中的每个连接到所述第一半导体层。


2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述底栅电极和所述顶栅电极彼此电连接。


3.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一过孔层，位于所述第三导电层上；以及
像素电极，位于所述第一过孔层上，
其中，所述像素电极直接连接到所述第二源电极或所述第二漏电极。


4.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述非显示区域包括在所述显示区域的一侧处的弯曲区域；
所述第一绝缘层至所述第四绝缘层被构造为在所述弯曲区域处暴露所述基体基底的上表面；
所述弯曲区域包括位于所述基体基底上的弯曲过孔层和位于所述弯曲过孔层上的连接电极；并且
所述第三导电层还包括所述连接电极。


5.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：盖导电图案，在所述第二区域处在所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间，
其中，所述盖导电图案、所述第二-第一栅电极和在所述盖导电图案与所述第二-第一栅电极之间的所述第二绝缘层限定电容器。


6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述盖导电图案包括与所述第二半导体层的材料相同的材料。


7.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：盖导电图案，在所述第二区域处在所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间，
其中，所述第二-第二栅电极和所述盖导电图案限定电容器。


8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述底栅电极和所述第二-第一栅电极包括相同的材料。


9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述顶栅电极和所述第二-第二栅电极包括相同的材料。


10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二半导体层的所述氧化物包括选自锌、铟、镓、锡、镉、锗、铪及其组合之中的至少一种的氧化物。


11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体层、所述第二-第一栅电极、所述第二源电极和所述第二漏电极限定驱动晶体管，并且
其中，所述第二半导体层、所述底栅电极、所述顶栅电极、所述第一源电极和所述第一漏电极限定补偿晶体管。


12.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体基底，具有显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域，所述显示区域包括第一区域和第二区域；
第一半导体层，在所述基体基底的所述第二区域处，所述第一半导体层包括多晶硅；
第一绝缘层，位于所述第一半导体层上；
第一导电层，位于所述第一绝缘层上，所述第一导电层包括在所述第一区域处的底栅电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔智银，金德会，金正晥，宣钟白，申俊澈，李宰学，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR