反射镜及应用其的封装结构制造技术

一种反射镜及应用其的封装结构。反射镜包括基座与反射层。基座具有第一斜面与底面。第一斜面与底面具有夹角，且夹角介于40度至50度。反射层至少部分覆盖于第一斜面，以形成对位区。

【技术实现步骤摘要】
反射镜及应用其的封装结构
本揭露是关于一种反射镜与应用前述的反射镜的封装结构。
技术介绍
近年来，激光二极管(laserdiode)在照明与显示等应用中扮演重要的角色，且具有许多优点，例如发光效率佳、较低的能量消耗、较长的寿命、更小的尺寸等。然而，由于激光二极管的封装问题与光路问题，使得整体的封装结构体积较大。另一方面，在制作过程中，易发生激光二极管出光位置未对准反射镜位置，导致反射后的光路偏离，不但会造成光形异常，在多个封装体构成阵列形式时，更会因光路偏移，产生光点间距异常问题，而使相邻的封装体相互干扰。
技术实现思路
有鉴于此，本揭露提供了一种用于稳定光形的封装结构及其反射镜。本揭露的一实施方式提供了一种反射镜，包括基座与反射层。基座具有第一斜面与底面。第一斜面与底面具有夹角，且夹角介于40度至50度。反射层至少部分覆盖于第一斜面，以形成对位区。在本揭露的一些实施方式中，反射层的材料可为金属、介电材料、半导体材料或上述的组合。在本揭露的一些实施方式中，反射层可为单层或多层。在本揭露的一些实施方式中，反射层可包括交错排列的多个第一膜层与多个第二膜层。第一膜层与第二膜层分别具有第一折射率与第二折射率，且第一折射率不同于第二折射率。在本揭露的一些实施方式中，对位区可位于第一斜面的几何中心的位置。在本揭露的一些实施方式中，基座可具有第二斜面与第三斜面，分别连接于第一斜面。第二斜面较第一斜面远离底面，第三斜面与底面相连，且第二斜面与第三斜面的斜率皆与第一斜面的斜率相异。在本揭露的一些实施方式中，基座可具有凹槽，第一斜面位于凹槽内。在本揭露的一些实施方式中，凹槽可包括与第一斜面相连的第二斜面，且第二斜面的斜率与第一斜面的斜率相异。在本揭露的一些实施方式中，凹槽可包括与第一斜面相连的第三斜面，且第三斜面的斜率与第一斜面的斜率相异。在本揭露的一些实施方式中，凹槽可包括与第一斜面相连的垂直表面与水平表面，水平表面平行于底面，垂直表面垂直于底面。本揭露另一实施方式提供了一种封装结构，包括基板、外壳、如前所述的反射镜，以及发光元件。外壳与基板结合形成容置空间。反射镜设置于容置空间中。发光元件设置于容置空间中，用以发射光束指向对位区且被反射层反射。在本揭露的一些实施方式中，封装结构更包括光学元件，对应设置于外壳的开口。光束经由反射镜反射后通过光学元件。在本揭露的一些实施方式中，封装结构更包括波长转换层，覆盖发光元件的出光面。由上述实施方式可知，本揭露提供一种反射镜及应用其的封装结构。反射镜包括基座与反射层，基座的第一斜面与底面具有夹角，且夹角介于40度至50度之间。封装结构包括基板、外壳、前述的反射镜与发光元件。通过上述的封装结构及其反射镜，可确保光形、增加光强度与缩小封装结构，进而提升效能。以上所述仅是用以阐述本揭露所欲解决的问题、解决问题的技术手段及其产生的功效等等，本揭露的具体细节在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。附图说明图1为根据本揭露一实施方式的反射镜的示意图；图2为根据本揭露一实施方式的封装结构的示意图；图3为根据本揭露另一实施方式的封装结构的示意图；图4为根据本揭露另一实施方式的反射镜的示意图；图5为根据本揭露再一实施方式的反射镜的立体示意图；图6为图5的反射镜的剖面示意图。【符号说明】10、10a：封装结构100、100a、100b：反射镜110：基座111：凹槽112：第一斜面114：底面115：第二斜面116：第三斜面117：垂直表面118：水平表面119a、119b：斜面120：反射层130：对位区200：基板300：外壳310：开口400：发光元件402：出光面410：波长转换层500：光学元件S：容置空间D1：方向D2：方向θ：角度具体实施方式下文是举实施方式配合所附附图作详细说明，以更好地理解本案的态样。然而本揭露可以通过许多不同形式实现，并且不应解释为局限于本揭露所阐述的实施方式。更确切地，提供这些实施方式是为了使本揭露内容详尽且全面，并且可以将本揭露的范围全面地转达给本领域熟知此项技艺者。在诸附图中，可为了清楚而夸示层及区的大小及相对大小。类似数字意旨类似元件。应了解到，本揭露中所使用，术语“及/或”包括相关联的列出项目中的任一者及一或多者的所有组合。在下文将参阅随附附图详细地描述本揭露的各例示性实施方式。参阅图1。图1为根据本揭露一实施方式的反射镜100的示意图。反射镜100包括基座110与反射层120。基座110具有第一斜面112与底面114，且第一斜面112与底面114之间具有角度θ。角度θ的范围可介于40度至50度之间。在一些实施方式中，角度θ可以是45度。在一些实施方式中，第一斜面112连接底面114。反射层120至少部分覆盖于第一斜面112，以形成对位区130，详细来说，将反射层120透过溅镀或其他适当的方法，覆盖于第一斜面112的预设位置上，以形成对位区130。由于第一斜面112上仅被反射层120覆盖的区域具有反射功效，再加上40度至50度的斜面可使反射光维持准直路径，因此，只要使光束入射位置瞄准对位区130，便可控制反射光方向，以确保元件光形及强度。在另一些实施方式中，对位区130包含一标记，详细来说，可利用激光标记制程(lasermarkprocess)，以在基座110的第一斜面112上形成标记，接着将反射层120透过溅镀或其他适当的方法，覆盖于第一斜面112的标记上，以形成对位区130。在一些实施方式中，反射层120的一部分嵌入于基座110中。也就是说，反射层120的底表面低于第一斜面112的顶表面。在一些实施方式中，对位区130的形状可基于发光元件的光性来设计。举例来说，对位区130的形状可以是十字形、长方形、椭圆形或其他适当的形状。在一些实施方式中，对位区130位于第一斜面112的几何中心位置。在一些实施方式中，反射层120是部分覆盖于第一斜面112。在一些实施方式中，由于透过激光标记制程于第一斜面112上形成标记，且反射层覆盖于第一斜面的前述的标记上，故反射层120的形状与对位区130的形状相同。在一些实施方式中，反射层120的材料为金属、介电材料、半导体材料或上述的组合。详细来说，反射层120可以是金、银、铜或是其他适当的金属。反射层120可以是二氧化钛(TiO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、二氧化硅(SiO2)或是其他适当的介电材料。反射层120可以是氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)或是其他适当的半导体材料。在一些实施方式中，反射层120为单层或多层。例如，反射层120的可以是由单层或多层的金属材料层所构成。反射层120也可以是由介电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反射镜，其特征在于，包含：/n一基座，具有一第一斜面与一底面，该第一斜面与该底面具有一夹角，且该夹角介于40度至50度；以及/n一反射层，至少部分覆盖于该第一斜面，以形成一对位区。/n

【技术特征摘要】
1.一种反射镜，其特征在于，包含：
一基座，具有一第一斜面与一底面，该第一斜面与该底面具有一夹角，且该夹角介于40度至50度；以及
一反射层，至少部分覆盖于该第一斜面，以形成一对位区。


2.根据权利要求1所述的反射镜，其特征在于，该反射层的材料为金属、介电材料、半导体材料或上述的组合。


3.根据权利要求1所述的反射镜，其特征在于，该反射层为单层或多层。


4.根据权利要求1所述的反射镜，其特征在于，该反射层包含交错排列的多个第一膜层与多个第二膜层，所述多个第一膜层与所述多个第二膜层分别具有一第一折射率与一第二折射率，且该第一折射率不同于该第二折射率。


5.根据权利要求1所述的反射镜，其特征在于，该对位区位于该第一斜面的几何中心位置。


6.根据权利要求1所述的反射镜，其特征在于，该基座具有一第二斜面与一第三斜面，分别连接于该第一斜面，其中该第二斜面较该第一斜面远离该底面，该第三斜面与该底面相连，且该第二斜面与该第三斜面的斜率皆与该第一斜面的斜率相异。


7.根据权利要求1所述的反射镜，其特征在于，该基座具有一凹槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈廷楷，赖隆宽，唐伟峰，梁建钦，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71