柔性印刷基板用铜箔制造技术

技术编号:27022912 阅读:27 留言:0更新日期:2021-01-12 11:05
提供使CCL的弯曲性提高的柔性印刷基板用铜箔。柔性印刷基板用铜箔,其是含有99.9质量%以上的Cu和作为添加元素的0.0005~0.0220质量%的P,且余量由不可避免的杂质构成的轧制铜箔,其中,Copper取向的晶体取向密度低于10,Brass取向的晶体取向密度低于20。

【技术实现步骤摘要】
柔性印刷基板用铜箔
本专利技术涉及适合用于柔性印刷基板等布线部件的铜箔。
技术介绍
随着电子设备的小型、薄型、高性能化,广泛使用柔性印刷基板(柔性布线板,以下称为“FPC”)。FPC是通过对铜箔和树脂层叠得到的覆铜层叠体(CopperCladLaminate,以下称为CCL)进行蚀刻而形成布线,且用被称为覆盖层的树脂层被覆其上而成的物品。但是,对于作为FPC的导体的铜箔,不仅要求弯曲性,而且要求即使反复弯曲也难以断裂的耐弯曲特性,此外还要求高速传输特性。通常,对FPC用铜箔实施在表面形成被称为粗化粒子的微细金属粒子的粗化处理,此外为了赋予耐热性或耐化学药品性、粘接性而实施各种表面处理。然后,通过将该铜箔与薄膜状的绝缘性树脂基材加压层压的方法、或将绝缘性树脂基材涂布于铜箔后进行干燥或高温处理的方法等,形成CCL,最后蚀刻铜箔部分以形成电路,从而制备FPC。而且,作为提高轧制铜箔的弯曲性的方法,已知提高最终压下率而使再结晶织构的Cube取向即立方体织构发展的方法,但若最终压下率高,则存在蓄积应变而降低软化温度的问题。因此,作为即使不提高最终压下率也能提高轧制铜箔的弯曲性的对策,开发了使Copper取向的晶体取向密度为10以上、且使Brass取向的晶体取向密度为20以上的技术(专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特许6442020号公报。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是,一旦将单一的铜箔弯曲,则弯曲部位发生加工硬化,在下一次弯曲时会避开加工硬化的部位而被弯曲。与之相对的是,若将铜箔和支撑体(树脂)层叠而成的CCL弯曲,则由于弯曲部位被树脂束缚,因此相同部位被弯曲,成为比铜箔单一物体更严苛的弯曲试验。而且判明了,如专利文献1所述的技术那样提高Copper取向的晶体取向密度时,再结晶织构中Cube取向发展,再结晶粒径变大,因此CCL的弯曲性降低。另外,若Brass取向的晶体取向密度高,则在再结晶织构中由Brass取向构成的织构发展。Brass取向是容易蓄积应变的取向,在弯曲时释放应变而容易产生裂纹,CCL的弯曲性差。本专利技术是为了解决上述课题而成的,其目的在于,提供使CCL的弯曲性提高的柔性印刷基板用铜箔。解决课题的手段本专利技术人进行了各种研究,结果发现,为了提高CCL的弯曲性,需要抑制再结晶后的Cube取向的发展,即在轧制组织的阶段抑制Copper取向的存在比例。另外,使CCL的弯曲性劣化的Brass取向的晶体取向密度也应降低。即,本专利技术的柔性印刷基板用铜箔是含有99.9质量%以上的Cu和作为添加元素的0.0005~0.0220质量%的P,且余量由不可避免的杂质构成的轧制铜箔,其中,Copper取向的晶体取向密度低于10,Brass取向的晶体取向密度低于20。Copper取向和Brass取向分别由{112}<111>、{110}<112>定义。关于本专利技术的柔性印刷基板用铜箔,可在JIS-H3100(C1100)中规定的韧铜或JIS-H3100(C1020)的无氧铜中,含有0.0005~0.0220质量%的P作为添加元素。本专利技术的柔性印刷基板用铜箔优选表面粗糙度Sa低于0.2μm。本专利技术的柔性印刷基板用铜箔优选厚度为12μm以下。专利技术的效果根据本专利技术,得到使CCL的弯曲性提高的柔性印刷基板用铜箔。附图说明[图1]表示求得用于对铜条进行最终退火的热处理温度的方法的图。[图2]表示弯曲试验的图。具体实施方式下面,对本专利技术所涉及的铜箔的实施方案进行说明。需说明的是,在本专利技术中,只要没有特殊说明,则%表示质量%。<组成>本专利技术所涉及的铜箔含有99.9质量%以上的Cu和作为添加元素的0.0005~0.0220质量%的P,且余量由不可避免的杂质构成。Cu优选为99.96质量%以上。若含有P作为添加元素,则可使Copper取向的晶体取向密度低于10。若P的含量低于0.0005质量%(5质量ppm),则Copper取向的晶体取向密度为10以上,CCL的弯曲性降低。若P的含量超过0.0220质量%(220质量ppm),则电导率降低,不适合于柔性印刷基板。可使本专利技术所涉及的铜箔为以下组成,即,在JIS-H3100(C1100)中规定的韧铜或JIS-H3100(C1020)的无氧铜中,含有0.0005~0.0220质量%的P作为添加元素。<晶体取向密度>铜箔的Copper取向的晶体取向密度低于10。如上所述,为了提高CCL的弯曲性,需要抑制再结晶后的Cube取向的发展,即在轧制组织的阶段抑制Copper取向的存在比例。若Copper取向的晶体取向密度为10以上,则在再结晶后,Cube取向发展,再结晶粒径变大,从而CCL的弯曲性降低。铜箔的Brass取向的晶体取向密度低于20。Brass取向容易蓄积应变,若Brass取向的晶体取向密度为20以上,则在弯曲时释放应变而容易产生裂纹,CCL的弯曲性降低。晶体取向密度使用完整极图计算。完整极图使用不完整极图计算。不完整极图可通过轧制织构的X射线极图测定而得到。X射线极图测定使用日本理学制RINT2500(商品名),对于铜箔的(111)、(200)、(220)的面,在Schultz反射法的条件下进行X射线极图测定。在测定条件为入射X射线源:Co、管电压:30kV、管电流:100mA、发散狭缝:1°、散射狭缝:0.05mm、受光狭缝:0.05mm、发散纵向限制狭缝:1.2mm、扫描速度:360°/min、步进宽度:5°的条件下进行。在各面中测定衍射强度而得的2θ范围(θ为衍射角度)为,(111):48.0~54.0°、(200):56.5~62.5°、(220):86.0~92.0°。通过X射线极图测定得到的不完整极图的数据处理使用日本理学制RINT2500附带的正极点数据处理软件。处理条件为RD校正、平滑、背景处理、随机标准化。处理过的数据使用日本理学制ASC转换软件进行文本转换。从文本数据化后的不完整极图向完整极图的转换和晶体取向分布函数的提取使用StandardODF版本2.4。需说明的是,由于Copper取向和Brass取向在欧拉角空间上出现多处,所以在本专利技术中晶体取向密度函数f(gCopper)和f(gBrass)的欧拉角采用gCopper=(90°,35°,45°)和gBrass=(35°,45°,90°)。铜箔的表面粗糙度Sa优选低于0.2μm。若表面粗糙度Sa低于0.2μm,则可抑制将铜箔制成FPC时的传输损失。表面粗糙度Sa由ISO25178规定。以JISC6515中规定的标称厚度计,铜箔的厚度优选为12μm以下。厚度越薄,对铜箔施加的应力越小,因此不仅有助于弯曲性的提高,而且有助于便携式设备的小型化、薄型化、轻质化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.柔性印刷基板用铜箔,其是含有99.9质量%以上的Cu和作为添加元素的0.0005~0.0220质量%的P,且余量由不可避免的杂质构成的轧制铜箔,其中,/nCopper取向的晶体取向密度低于10,Brass取向的晶体取向密度低于20。/n

【技术特征摘要】
20190710 JP 2019-1281451.柔性印刷基板用铜箔,其是含有99.9质量%以上的Cu和作为添加元素的0.0005~0.0220质量%的P,且余量由不可避免的杂质构成的轧制铜箔,其中,
Copper取向的晶体取向密度低于10,Brass取向的晶体取向密度低于20。


2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:坂东慎介石野裕士
申请(专利权)人:捷客斯金属株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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