光电转换元件用材料、有机薄膜、光电转换元件、摄像元件、光感测器及化合物制造技术

本发明专利技术涉及光电转换元件用材料、有机薄膜、光电转换元件、摄像元件、光感测器及化合物。本发明专利技术的课题为提供一种光电转换元件用材料，其是成为防空穴泄漏特性、电子输送特性、对于制程温度的耐热性以及可见光穿透性等优异的阻挡层的材料；以及以含有该光电转换元件用材料的光电转换元件为代表的各种电子装置。本发明专利技术的解决手段为一种光电转换元件用材料，其含有下述式(1)所表示的化合物，该式(1)中，R

【技术实现步骤摘要】
光电转换元件用材料、有机薄膜、光电转换元件、摄像元件、光感测器及化合物
本专利技术是关于含有特定结构的有机化合物的光电转换元件用材料以及含有该光电转换元件用材料的光电转换元件。
技术介绍
近年来，有机电子装置由于具有可挠性、可大面积化、更可以便宜且高速的印刷法制造等特征，因此对有机电子装置的关注逐渐提升。具代表性的有机电子装置可列举出有机EL元件、有机太阳能电池元件、有机光电转换元件及有机晶体管元件等，这些当中，有机EL元件是被令人期待对于以下一世代显示用途作为主要目标的移动电话的显示器或TV等的应用，而持续地进行以更高功能化为目标的开发。正在进行有机太阳能电池元件等作为具可挠性且低成本的能量来源的研究开发，并且，正在进行有机晶体管元件以应用于可挠性显示器或低成本IC为目的研究开发。于有机电子装置的领域中，极为重要的是开发出构成装置的优异材料，因此于各材料的领域中，目前仍积极地进行许多探讨及开发。近年来，数家机构团体也报告备受期待的往次世代的太阳能电池或光感测器用途开展的有机光电转换元件。例如，专利文献1中揭示将喹吖啶酮(Quinacridone)衍生物或喹唑啉(Quinazoline)衍生物使用在光电转换元件的例子，另外，于专利文献2中揭示使用二酮吡咯并吡咯(DiketoPyrroloPyrrole)衍生物的例子。于摄像元件中，为了得到S/N比而以降低来自黑暗时的光电转换元件的漏电流为目的，一般是采用在光电转换部与电极部之间插入空穴阻挡层或电子阻挡层的手法。于有机电子装置的领域中一般广泛地使用的空穴阻挡层及电子阻挡层，于装置的构成膜中是配置在电极或具有导电性的膜与除此以外的膜的接口上，并控制各空穴或电子的反移动以发挥调整不必要的空穴或电子的泄漏的功用，因应装置的用途并考量耐热性、穿透波长及成膜方法等来选择而使用。于专利文献3中揭示使用富勒烯(Fullerene)作为空穴阻挡层的例子，此外，于专利文献4中揭示使用1,4,5,8-萘四羧酸二酐(NCTDA)作为空穴阻挡层的例子。然而，对于光电转换元件用途的材料的要求性能极高，目前为止的空穴阻挡层或电子阻挡层中，从防漏电流特性、相对于制程温度的耐热性以及可见光穿透性等方面而言，仍不具有充分的性能，尚未到达商业上的活用。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本特许第4972288号公报[专利文献2]日本特许第5022573号公报[专利文献3]日本特表2013-544440号公报[专利文献4]日本特表2014-506736号公报。
技术实现思路
[专利技术所要解决的课题]本专利技术是鉴于如此情况而研究，其目的是提供一种成为阻挡层的材料的光电转换元件用材料，其防空穴泄漏特性、电子输送特性、相对于装置制作制程温度的耐热性以及可见光穿透性等优异，以含有该光电转换元件用材料的光电转换元件为代表的各种电子装置。[用以解决课题的技术手段]本专利技术者们为了解决上述课题而精心努力的结果，发现通过将含有特定结构的化合物的光电转换元件用材料应用在光电转换元件，可解决前述诸项课题，进而完成本专利技术。也就是，本专利技术如下述。[1]一种光电转换元件用材料，含有下述式(1)所表示的化合物，该式(1)中，R1至R4各自独立地表示氢原子、芳香族基、杂环基、脂肪族烃基或卤素原子；X表示氧原子或硫原子。[2]如前项[1]所述的光电转换元件用材料，其中，X为氧原子。[3]如前项[1]或[2]所述的光电转换元件用材料，其中，R1及R2为氢原子，R3及R4的一者为氢原子、芳香族基、杂环基、脂肪族烃基或卤素原子，另一者为芳香族基、杂环基、脂肪族烃基或卤素原子。[4]一种有机薄膜，含有前项[1]至[3]中任一项所述的光电转换元件用材料。[5]一种光电转换元件，包含前项[4]所述的有机薄膜。[6]如前项[5]所述的光电转换元件，其中，有机薄膜为空穴阻挡层。[7]如前项[5]或[6]所述的光电转换元件，所述光电转换元件是发光元件。[8]一种摄像元件，以多重阵列状(Multiplearray)配置有前项[5]至[7]中任一项所述的光电转换元件。[9]一种光感测器，包含前项[5]所述的光电转换元件或前项[8]所述的摄像元件。[10]一种化合物，是下述式(2)所表示，该式(2)中，R5及R6的一者表示氢原子、芳香族基、杂环基、脂肪族烃基或卤素原子，另一者表示芳香族基、杂环基、脂肪族烃基或卤素原子；X表示氧原子或硫原子。[11]如前项[10]所述的化合物，其中，X为氧原子。[专利技术效果]含有特定结构的化合物的本专利技术的光电转换元件用材料，其空穴或电子的防泄漏性或输送性优异，并且，具有可承受装置制造制程的耐热性或可见光穿透性，因而可提供一种显示优异特性的光电转换元件。附图说明图1显示例示出本专利技术的光电转换元件的实施例的剖面图。图2显示表示出有机电致发光元件的层构成例的概略剖面图。图3显示实施例3至5以及比较例1至3中所得到的光电转换元件的暗电流-电压图表。图4显示合成例化合物的薄膜的吸收光谱。附图标记说明(图1)1绝缘部2上部电极膜3电子阻挡层4光电转换层5空穴阻挡层6下部电极膜7绝缘基材或其它光电转换元件。(图2)21基板22阳极23空穴注入层24空穴输送层25发光层26电子输送层27阴极。具体实施方式以下详细地说明本专利技术的内容。下列所记载的构成要件的说明为依据本专利技术的代表性实施例或具体例，但本专利技术并不限定于如此的实施例或具体例。[式(1)的化合物]本专利技术的光电转换元件用材料含有下述式(1)所表示的化合物。式(1)中，R1至R4各自独立地表示氢原子、芳香族基、杂环基、脂肪族烃基或卤素原子。式(1)的R1至R4所表示的芳香族基，意指从芳香族化合物的芳香环中排除1个氢原子后的残基。式(1)的R1至R4所表示的芳香族基例如可列举出：苯基、联苯基、三联苯基、甲苯基、茚基、萘基、蒽基、芴基、芘基、菲基及三甲苯基等，较优选为苯基、联苯基、三联苯基、萘基或蒽基，尤优选为苯基、联苯基、三联苯基或萘基。式(1)的R1至R4所表示的杂环基，意指从杂环化合物的杂环中排除1个氢原子后的残基。式(1)的R1至R4所表示的杂环基例如可列举出：呋喃基、噻吩基、噻吩并噻吩基、吡咯基、咪唑基、N-甲基咪唑基、噻唑啉基、噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、吲哚基、苯并吡嗪基、苯并嘧啶基、苯并噻吩基、萘噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻唑啉基、吡啶并噻唑啉基、苯并咪唑基、吡啶并咪唑基、N-甲基苯并咪唑基、吡啶并-N-甲基咪唑基、苯并噁唑基、吡啶并噁唑基、苯并噻二唑基、吡啶并噻二唑基、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电转换元件用材料，含有下述式(1)所表示的化合物，/n

【技术特征摘要】
20190709 JP 2019-1277541.一种光电转换元件用材料，含有下述式(1)所表示的化合物，



该式(1)中，R1至R4各自独立地表示氢原子、芳香族基、杂环基、脂肪族烃基或卤素原子；X表示氧原子或硫原子。


2.根据权利要求1所述的光电转换元件用材料，其中，X为氧原子。


3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件用材料，其中，R1及R2为氢原子，R3及R4的一者为氢原子、芳香族基、杂环基、脂肪族烃基或卤素原子，另一者为芳香族基、杂环基、脂肪族烃基或卤素原子。


4.一种有机薄膜，含有权利要求1至3中任一项所述的光电转换元件用材料。


5.一种光电转换元件，包含权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：泷宫和男，大垣拓也，前田健太郎，岩田智史，贞光雄一，
申请(专利权)人：日本化药株式会社，国立研究开发法人理化学研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP