【技术实现步骤摘要】
一种基于石墨烯的宽带可调吸波体
本专利技术涉及太赫兹
,具体涉及一种基于石墨烯的宽带可调吸波体。
技术介绍
太赫兹波一般是指频率介于0.1~10THz范围内的电磁波,位于红外波和微波之间。由于太赫兹波具有许多独特性质,如瞬态性、宽带性、低能性、相干性等,使得它在基础研究领域、工业应用领域、医学领域、军事领域、生物领域以及通信领域中都具有重要的应用前景。目前,太赫兹波产生源与太赫兹波检测被公认为是制约太赫兹技术发展的两大关键问题。而太赫兹波的吸收和能量捕获是实现太赫兹检测的基础,也是太赫兹波标定、调控、转换和应用的核心问题。因此,太赫兹宽带吸波技术成为了当前太赫兹
研究的热点之一。近年来,基于超材料的太赫兹吸波体受到人们的关注,这是因为它在微型测辐射热仪、太赫兹成像、太赫兹隐身技术、太赫兹通信、食品安全等领域具有重要的应用前景。在许多应用中,往往需要的是太赫兹宽带吸波来制备传感器、调制器、微型测辐射热计和宽带抗反射膜等宽带太赫兹功能性器件。然而,传统的超材料吸波体尽管通过改变其自身结构尺寸可以有效地调节其工 ...
【技术保护点】
1.一种基于石墨烯的宽带可调吸波体,其特征在于:包括若干个结构单元,单元结构包括金属基底(1)、介质隔离层(2)和石墨烯层(3),所述金属基底(1)的上端设置有所述介质隔离层(2),介质隔离层(2)的上端设置有所述石墨烯层(3),在石墨烯层设置有一个正方形凹槽(31),所述正方形凹槽(31)深入至介质隔离层,在所述正方形凹槽(31)底部上端设置有正方形石墨烯片(32)。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于石墨烯的宽带可调吸波体,其特征在于:包括若干个结构单元,单元结构包括金属基底(1)、介质隔离层(2)和石墨烯层(3),所述金属基底(1)的上端设置有所述介质隔离层(2),介质隔离层(2)的上端设置有所述石墨烯层(3),在石墨烯层设置有一个正方形凹槽(31),所述正方形凹槽(31)深入至介质隔离层,在所述正方形凹槽(31)底部上端设置有正方形石墨烯片(32)。
2.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的宽带可调吸波体,其特征在于:所述若干个单元结构周期性排列。
3.根据权利要求2所述的一种基于石墨烯的宽带可调吸波体,其特征在于:所述若干个单元结构周期性排列,具体为:若干个单元结构的边长相等。
4.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的宽带可调吸波体,其特征在于:所述正方形凹槽(31)四边的顶点与单元结构四边的中点相连接。
5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡丹,王红燕,闫淼,
申请(专利权)人:安阳师范学院,
类型:新型
国别省市:河南;41
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