多层陶瓷电子组件制造技术

本公开提供一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；以及第一内电极和第二内电极，设置在所述陶瓷主体内，并且设置为彼此相对，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。当所述介电层的平均厚度被称为td，且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd，并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te，且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时，所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比σte/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35。根据本公开的多层陶瓷电子组件可具有优异的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电子组件本申请要求于2019年8月2日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0094257号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种多层陶瓷电子组件，更具体地，涉及一种具有优异的可靠性的多层陶瓷电子组件。
技术介绍
通常，使用陶瓷材料的电子组件(诸如电容器、电感器、压电器件、压敏电阻和热敏电阻等)可包括：陶瓷主体，利用陶瓷材料形成；内电极，形成在陶瓷主体内；以及外电极，设置在陶瓷主体的表面上以连接到内电极。在多层陶瓷电子组件中，多层陶瓷电容器包括：多个层叠的介电层；内电极，设置为彼此相对，且介电层介于内电极之间；以及外电极，电连接到内电极。多层陶瓷电容器由于其小尺寸、高容量和易于安装而被广泛用作计算机、个人数字助理(PDA)、移动电话和其他移动通信设备的组件。近来，根据具有高性能的电子设备的轻量化和小型化，对于电子组件也已有小型化以及具有高性能和高容量的需求。特别地，同时实现小型化、高性能和高容量的方法是通过减小多层陶瓷电容器的介电层和内电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层陶瓷电子组件，其特征在于，所述多层陶瓷电子组件包括：/n陶瓷主体，包括介电层；以及/n第一内电极和第二内电极，设置在所述陶瓷主体内，并且设置为彼此相对，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，/n其中，当所述介电层的平均厚度被称为td，且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd，并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te，且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时，所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比σte/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35。/n

【技术特征摘要】
20190802 KR 10-2019-00942571.一种多层陶瓷电子组件，其特征在于，所述多层陶瓷电子组件包括：
陶瓷主体，包括介电层；以及
第一内电极和第二内电极，设置在所述陶瓷主体内，并且设置为彼此相对，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，
其中，当所述介电层的平均厚度被称为td，且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd，并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te，且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时，所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比σte/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35。


2.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其特征在于，所述介电层的所述平均厚度以及所述第一内电极和所述第二内电极的所述平均厚度为在所述陶瓷主体的在宽度方向上的中央部切割的长度-厚度方向截面中获取的平均厚度。


3.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其特征在于，所述第一内电极和所述第二内电极的所述平均厚度为0.41μm或更小。


4.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其特征在于，所述介电层的所述平均厚度为0.4μm或更小。


5.如权利要求1所述的多层陶瓷...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰成，尹炯植，申旴澈，李濬云，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：新型
国别省市：韩国;KR