金属氧化物半导体场效应晶体管的驱控制造技术

本发明专利技术涉及一种用于驱控MOSFET(1)、特别是基于具有宽带隙的半导体的MOSFET(1)的驱控装置(3)和方法。根据本发明专利技术，创建特征块，在特征块中与影响所述MOSFET(1)的开关特性的至少一个运行特征变量(U、T)相关地存储用于驱控所述MOSFET(1)的至少一个驱控变量(U1、U2、R1、R2)相对于所述驱控变量(U1、U2、R1、R2)的参考驱控值的变化(ΔU1、ΔU2、ΔR1、ΔR2)，该变化抵抗由至少一个运行特征变量(U、T)引起的、开关特性的变化。在MOSFET(1)运行时，求出至少一个运行特征变量(U、T)的实际值，并且根据特征块，相对于至少一个驱控变量的参考驱控值与至少一个运行特征变量(U、T)的实际值相关地改变至少一个驱控变量(U1、U2、R1、R2)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】金属氧化物半导体场效应晶体管的驱控
本专利技术涉及用于驱控金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET＝Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)、特别是基于具有宽带隙的半导体(Wide-BandgapSemiconductor)的MOSFET的驱控装置和方法。
技术介绍
MOSFET的开关特性强烈地与MOSFET运行的运行条件相关，尤其与MOSFET的在MOSFET断开状态下在漏极和源级之间的运行电压和运行温度相关。对于使用MOSFET需要可预见的且保持不变的MOSFET开关特性，以便遵守边界条件，例如对于在切断MOSFET时的过电压和对于电磁的兼容性。刚好在具有强烈波动的运行条件的应用中，目前越来越多地使用基于具有宽带隙的半导体的MOSFET，例如在牵引变流器中使用，牵引变流器中的运行电压能够强烈地波动。
技术实现思路
本专利技术所基于的目的是，提供用于驱控MOSFET的驱控装置和方法，驱控装置和方法在变化的运行条件下在MOSFET的开关特性的稳定性方面进行改进。根据本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于驱控MOSFET(1)、特别是基于具有宽带隙的半导体的MOSFET(1)的方法，其中，/n-创建特征块，在所述特征块中与影响所述MOSFET(1)的开关特性的至少一个运行特征变量(U、T)相关地存储用于驱控所述MOSFET(1)的至少一个驱控变量(U1、U2、R1、R2)相对于所述驱控变量(U1、U2、R1、R2)的参考驱控值的变化(ΔU1、ΔU2、ΔR1、ΔR2)，该变化抵抗由至少一个所述运行特征变量(U、T)引起的、所述开关特性的变化，/n-在所述MOSFET(1)运行时，求出至少一个所述运行特征变量(U、T)的实际值，并且/n-根据所述特征块，相对于至少一个所述驱控变量的参考...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180529 EP 18174799.91.一种用于驱控MOSFET(1)、特别是基于具有宽带隙的半导体的MOSFET(1)的方法，其中，
-创建特征块，在所述特征块中与影响所述MOSFET(1)的开关特性的至少一个运行特征变量(U、T)相关地存储用于驱控所述MOSFET(1)的至少一个驱控变量(U1、U2、R1、R2)相对于所述驱控变量(U1、U2、R1、R2)的参考驱控值的变化(ΔU1、ΔU2、ΔR1、ΔR2)，该变化抵抗由至少一个所述运行特征变量(U、T)引起的、所述开关特性的变化，
-在所述MOSFET(1)运行时，求出至少一个所述运行特征变量(U、T)的实际值，并且
-根据所述特征块，相对于至少一个所述驱控变量的参考驱控值，与至少一个所述运行特征变量(U、T)的所述实际值相关地改变至少一个所述驱控变量(U1、U2、R1、R2)。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述特征块中，与至少一个所述运行特征变量(U、T)相关地存储用于接通所述MOSFET(1)的接通驱控电压(U1)的变化(ΔU1)。


3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述特征块中，与至少一个所述运行特征变量(U、T)相关地存储用于断开所述MOSFET(1)的断开驱控电压(U2)的变化(ΔU2)。


4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述特征块中，与至少一个所述运行特征变量(U、T)相关地存储用于接通所述MOSFET(1)的接通栅极电阻(R1)的变化(ΔR1)。


5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述特征块中，与至少一个所述运行特征变量(U、T)相关地存储用于断开所述MOSFET(1)的断开栅极电阻(R2)的变化(ΔR2)。


6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述特征块中，与所述MOSFET(1)的运行电压(U)相关地存储至少一个所述驱控变量(U1、U2、R1、R2)的变化(ΔU1、ΔU2、ΔR1、ΔR2)。


7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述特征块中，与所述MOSFET(1)的运行温度(T)相关地存储至少一个所述驱控变量(U1、U2、R1、R2)的变化(ΔU1、ΔU2、ΔR1、ΔR2)。


8.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克马蒂亚斯·巴克兰，于尔根·伯默尔，马丁·黑尔斯佩尔，埃伯哈德·乌尔里希·克拉夫特，贝恩德·拉斯卡，安德烈亚斯·纳格尔，斯特凡·汉斯·维尔纳·舍内沃夫，简·魏格尔，
申请(专利权)人：西门子股份公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE