突发模式激光器驱动电路制造技术

方法(900)包括将增益电流(I

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】突发模式激光器驱动电路
本公开涉及突发模式激光器驱动电路。
技术介绍
光纤通信是使用光纤作为通信信道来从源(传送器)向目的地(接收器)传送信息的新兴方法。波分复用无源光网络(WDM-PON)是用于接入和回程网络的光学技术。WDM-PON在包含无源光组件的物理点对多点光纤基础设施之上使用多个不同的波长。使用不同的波长允许实现相同物理光纤内的业务分离。结果是通过物理点对多点网络拓扑提供逻辑点对点连接的网络。WDM-PON允许运营商在长距离上向多个端点递送高带宽。PON通常包括位于服务提供商中心局(例如，集线器)处的光线路终端、通过馈线光纤连接到该中心局的远程节点以及在最终用户附近的许多光网络单元或光网络终端。远程节点对来自中心局的光信号进行解复用并且将解复用光信号沿着对应的分发光纤分发给多个光网络终端。时分复用(TDM)是通过使用不同的非重叠时隙在公共信号路径之上传送并接收独立信号的方法。时分波分复用(TWDM)使用时间维度和波长维度两者来对信号进行复用。基于可调谐激光器和合适的驱动拓扑的无色光网络单元(ONU)是用于灵活WDM/TWDM-PON系本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法(900)，包括：/n通过激光器驱动电路(500)将增益电流(I

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180521 US 62/674,3921.一种方法(900)，包括：
通过激光器驱动电路(500)将增益电流(IGAIN)递送到设置在可调谐激光器的共享衬底上的增益段二极管(D0)的阳极；
通过所述激光器驱动电路(500)将调制信号递送到设置在所述可调谐激光器(310)的所述共享衬底上的电吸取EA段二极管(D2)的阳极；
在所述激光器驱动电路(500)处接收指示突发接通状态或突发断开状态的突发模式信号(330)；
当所述突发模式信号(330)指示所述突发断开状态时，通过所述激光器驱动电路(500)从所述增益段二极管(D0)的阳极处的所述增益电流吸收掉吸收电流(ISINK)，所述吸收电流(ISINK)小于递送到所述增益段二极管(D0)的阳极的所述增益电流；以及
当所述突发模式信号(330)从所述突发断开状态转变为指示所述突发接通状态时：
通过所述激光器驱动电路(500)，停止从所述增益段二极管(D0)的阳极处的所述增益电流吸收掉所述吸收电流(ISINK)；以及
通过所述激光器驱动电路(500)将过冲电流(IOVER)递送到所述增益段二极管(D0)的阳极。


2.根据权利要求1所述的方法(900)，其中，当所述突发模式信号(330)指示所述突发断开状态时，所述增益段二极管(D0)包括等于所述增益电流减去所述吸收电流(ISINK)的增益段二极管电流，所述增益段二极管电流(IDO)大于零且小于所述可调谐激光器(310)的工作电流，所述工作电流对应于在所述突发接通状态和所述突发断开状态之间进行转变的电流阈值。


3.根据权利要求1或者2所述的方法(900)，其中所述激光器驱动电路(500)包括在所述增益段二极管(D0)和电流吸收源之间的高速传输线(TL2)。


4.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法(900)，其中所述激光器驱动电路(500)包括在EA段二极管(D2)和电流调制源之间的高速传输线(TL1)。


5.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法(900)，其中所述EA段二极管(D2)被可编程电压源反向偏置。


6.根据权利要求1-5中的任一项所述的方法(900)，其中与所述EA段二极管(D2)相关联的所述调制信号和与所述增益段二极管(D0)相关联的所述突发模式信号(330)是分离的。


7.根据权利要求1-6中的任一项所述的方法(900)，进一步包括，在所述激光器驱动电路处从所述激光器驱动电路(500)的突发级(530)接收吸收电流调整，所述吸收电流调整被配置成调整所述吸收电流(ISINK)。


8.根据权利要求7所述的方法(900)，其中所述突发级(530)包括第一MOSFET(M3)和第二MOSFET(M4)的差分对，每个MOSFET(M3，M4)连接到突发模式信号源(506)，所述第一MOSFET(M3)连接到电阻器(R3)，所述电阻器(R3)连接到电压源(VCC)，所述第二MOSFET(M4)连接到所述增益段二极管(D0)的阳极。


9.根据权利要求8所述的方法(900)，其中，当所述突发模式信号(330)指示所述突发断开状态时，断开所述第一MOSFET(M3)并且接通第二MOSFET(M4)以从所述增益段二极管(D0)的阳极吸收掉所述吸收电流(ISINK)。


10.根据权利要求8或者9所述的方法(900)，其中，当所述突发模式信号(330)指示所述突发接通状态时，接通所述第一MOSFET(M3)并且断开第二MOSFET(M4)以停止从所述增益段二极管(D0)的阳极吸收掉所述吸收电流(ISINK)。


11.根据权利要求1-10中的任一项所述的方法(900)，进一步包括，在所述突发接通状态开始之后的转变时间段内，通过所述激光器驱动电路(500)将所述过冲电流(IOVER)递送到所述增益段二极管(D0)的阳极，所述转变时间段小于与所述突发接通状态的持续时间相对应的突发接通时间段。


12.根据权利要求1-11中的任一项所述的方法(900)，其中所述激光器驱动电路(500)包括过冲级(540)，所述过冲级被电容耦合到所述增益段二极管(D0)的阳极以将所述过冲电流(IOVER)递送到所述增益段二极管(D0)的阳极，所述过冲级(540)包括共源(CS)放大器，所述共源(CS)放大器包括第一电阻器(R4)和连接到突发模式信号源(506)的n型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(M5)。


13.根据权利要求1-12中的任一项所述的方法(900)，其中递送所述调制信号进一步包括：将所述激光器驱动电路(500)的调制级(520)电容耦合到所述EA段二极管(D2)的阳极，所述调制级(520)包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(M1)和第二金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(M2)的差分对，每个MOSFET(M3，M4)连接到数据信号源(504)，所述第一MOSFET(M1)连接到第一电阻器(R1)，所述第一电阻器(R1)连接到所述电压源(VCC)，所述第二MOSFET(M2)通过电容器(C1)连接到所述EA段二极管(D2)的阳极。


14.根据权利要求13所述的方法(900)，其中所述第二MOSFET(M2)连接到第二电阻器(R2)，所述第二电阻器(R2)连接到电压供应器(526)。


15.根据权利要求1-14中的任一项所述的方法(900)，其中所述可调谐激光器包括多段可调谐激光器(310)。

【专利技术属性】
技术研发人员：张涛，锡德里克·拉姆，尹爽，赵向军，杜亮，长虹·乔伊·蒋，亚当·埃德温·泰勒·巴拉特，克劳迪奥·德桑蒂，穆图·纳加拉贾，
申请(专利权)人：谷歌有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US