【技术实现步骤摘要】
一种散热控制电路、散热背夹及移动终端
本专利技术涉及移动通信领域，尤其涉及一种散热控制电路、散热背夹及移动终端。
技术介绍
现有技术中，随着智能终端设备技术的快速发展，用户对智能终端的数据处理需求也越来越高，例如，利用智能终端进行图形图像处理操作，或者进行大型的二维、三维游戏等，这类操作对智能终端的资源处理需求较高，同时，受限于目前芯片的功耗控制技术，在执行上述任务时，可能会给用户带来设备后壳发烫的不良体验。现有技术中，出现了一批为了解决智能终端后壳发烫而推出的散热背夹，而这类散热背夹通常是由一个风扇和散热片构成，这种类型的散热背夹由于结构单一且固定，所带来的散热效果有限，仅能单侧出风，且无法根据智能设备的发热源和发热状态进行适应性调整，用户体验不佳。
技术实现思路
为了解决现有技术中的上述技术缺陷，本专利技术提出了一种散热控制电路，该电路包括：PMOS管Q1、NMOS管Q2、PMOS管Q3、NMOS管Q4、NMOS管Q5，其中，所述PMOS管Q1的源极和栅极之间并联电阻R1，所述PMOS管Q1的栅极连接...
【技术保护点】
1.一种散热控制电路，其特征在于，所述电路包括：PMOS管Q1、NMOS管Q2、PMOS管Q3、NMOS管Q4、NMOS管Q5，其中，所述PMOS管Q1的源极和栅极之间并联电阻R1，所述PMOS管Q1的栅极连接至电源芯片的控制端，所述NMOS管Q2的源极连接至风扇的正极，所述NMOS管Q2的漏极接地，所述NMOS管Q2的栅极连接至所述控制端，所述NMOS管Q2的源极连接至所述电源芯片的电源端，所述NMOS管Q2的栅极连接至所述NMOS管Q5的源极，所述PMOS管Q3的漏极和所述NMOS管Q4的源极连接至所述风扇的负极，所述NMOS管Q4的漏极接地，所述NMOS管Q2的栅极与...
【技术特征摘要】
1.一种散热控制电路，其特征在于，所述电路包括：PMOS管Q1、NMOS管Q2、PMOS管Q3、NMOS管Q4、NMOS管Q5，其中，所述PMOS管Q1的源极和栅极之间并联电阻R1，所述PMOS管Q1的栅极连接至电源芯片的控制端，所述NMOS管Q2的源极连接至风扇的正极，所述NMOS管Q2的漏极接地，所述NMOS管Q2的栅极连接至所述控制端，所述NMOS管Q2的源极连接至所述电源芯片的电源端，所述NMOS管Q2的栅极连接至所述NMOS管Q5的源极，所述PMOS管Q3的漏极和所述NMOS管Q4的源极连接至所述风扇的负极，所述NMOS管Q4的漏极接地，所述NMOS管Q2的栅极与所述NMOS管Q5的源极连接，所述NMOS管Q5的栅极连接至所述控制端，所述NMOS管Q5的漏极接地，所述NMOS管Q5的源极分别连接至所述PMOS管Q3的栅极和所述NMOS管Q4的栅极，所述NMOS管Q5的源极通过上拉电阻R2连接至所述电源端。
2.根据权利要求1所述的散热控制电路，其特征在于，若所述控制端输出低电平，则所述PMOS管Q3的栅极为低电平，所述PMOS管Q3工作在导通状态，所述电源端通过所述PMOS管Q3向所述正极输出，所述NMOS管Q2的栅极为低电平，所述NMOS管Q2工作在截止状态，所述正极的电源电压由所述电源端提供。
3.根据权利要求2所述的散热控制电路，其特征在于，所述NMOS管Q5的源极被所述上拉电阻R2拉高至所述电源端，所述PMOS管Q3的栅极为高电平，所述PMOS管Q...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。