用于直接液冷模块的经重量优化的加强件和密封结构制造技术

本公开涉及用于直接液冷模块的经重量优化的加强件和密封结构。公开了一种用于半导体器件的经重量优化的加强件。在一个示例中，由于AlSiC的重量和热特性，加强件由AlSiC制成。O形环在加强件的顶表面与半导体器件的部件之间提供密封，并且粘合剂在加强件的底表面与半导体器件的另一部件之间提供密封。加强件为无盖封装提供翘曲控制，同时实现芯片或衬底的直接液冷。

【技术实现步骤摘要】
用于直接液冷模块的经重量优化的加强件和密封结构
本公开涉及用于直接液冷模块的经重量优化的加强件和密封结构。
技术介绍
互补金属氧化物半导体(“CMOS”)电路存在于包括微处理器、电池和数码相机图像传感器的若干类型的电子部件中。CMOS技术的主要特点是低静态功耗和高抗噪性。除了工业标准的芯片封装之外，专用硅的探索可能在服务器中导致高功率热源。此技术也可应用到图形处理单元(“GPU”)和定制专用集成电路(“ASIC”)。此外，诸如成像和人工智能(“AI”)等服务将可能需要高密度的大量计算资源，其中许多服务器彼此非常接近。全球各地的数据中心都被要求同时提高能效、整合运营和降低成本。为了适应这些高性能且高密度的服务器，数据中心运营商不仅必须设法解决不断提高的功率密度，还必须设法解决它们带来的热挑战。因为液体在存储和传递热方面比空气擅长许多倍，所以液冷解决方案可为计算效率、密度和性能提供即时且可测量的益处。使用直接液冷模块可提高计算性能和密度，并降低能耗。电子部件封装经受广范围的温差。由于各种封装部件的热膨胀系数(“CTE”)的差本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置，包括：/n经重量优化的加强件，所述经重量优化的加强件具有顶表面、底表面、不规则形状的外周边以及形成穿过所述顶表面和所述底表面的孔的内周边，/n其中，所述孔适于接纳衬底的由粘合剂联接到所述加强件的所述底表面的一部分。/n

【技术特征摘要】
20200519 US 16/877,7301.一种装置，包括：
经重量优化的加强件，所述经重量优化的加强件具有顶表面、底表面、不规则形状的外周边以及形成穿过所述顶表面和所述底表面的孔的内周边，
其中，所述孔适于接纳衬底的由粘合剂联接到所述加强件的所述底表面的一部分。


2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述加强件由铝基质中的碳化硅颗粒形成。


3.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：
所述衬底，所述衬底由粘合剂联接到所述加强件的所述底表面，所述衬底的一部分突起到所述加强件的所述孔中。


4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述加强件的所述底表面具有用于接纳所述衬底上的至少一个突起的至少一个凹部。


5.根据权利要求3所述的装置，其中，所述加强件的所述底表面具有从其延伸的多个突起，当所述衬底联接到所述加强件的所述底表面时，所述多个突起位于邻近所述衬底的外侧表面。


6.根据权利要求3所述的装置，进一步包括：
顶板，所述顶板联接到所述加强件的所述顶表面；以及
O形环，所述O形环用于在所述加强件与所述顶板之间提供密封。


7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述加强件具有与所述顶板中的多个孔洞对应的多个孔洞，所述加强件中的所述多个孔洞中的每一个孔洞与所述顶板中的所述多个孔洞中的相应的一个孔洞形成一对，每一对孔洞适于接纳紧固件的穿过其中的一部分以用于将所述顶板联接到所述加强件。


8.根据权利要求6所述的装置，进一步包括：
歧管，所述歧管被构造成位于由所述衬底、所述加强件和所述顶板形成的封闭件内，所述歧管被构造成将经冷却的液体引导到所述衬底。


9.根据权利要求8所述的装置，其中，当所述歧管在由所述衬底、所述加强件和所述顶板形成的所述封闭件内时，所述歧管的一部分位于所述加强件的所述孔内并与所述衬底直接接触。


10.根据权利要求6所述的装置，其中，所述顶板在其内表面中具有凹槽，所述凹槽被构造成当所述顶板联接到所述加强件时保持所述O形环。


11.一种组件，包括：
经重量优化的加强件，所述经重量优化的加强件具有顶表面、底表面、外周边以及形成穿过所述顶表...

【专利技术属性】
技术研发人员：马德胡苏丹·K·延加尔，康纳·伯吉斯，帕丹姆·贾殷，伊马德·萨马迪亚尼，李元，
申请(专利权)人：谷歌有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US