【技术实现步骤摘要】
一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺
本专利技术涉及硅晶圆生产领域,具体涉及一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺。
技术介绍
硅晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅,在生产过程中需要对硅晶圆进行电镀工序,在电镀工序前需要将硅晶圆上的浅孔润湿,方便药水进入浅孔内,最终确保在浅孔内电镀上铜,从而保证硅晶圆可以正常使用。现在在对硅晶圆直接进行电镀工艺之前首先需要对硅晶圆进行喷淋,但是硅晶圆上面有几十万个浅孔,在喷淋过程中由于水的本身特性,水不能进入部分浅孔内,对硅晶圆的润湿效果差,影响了后续电镀工艺的品质。
技术实现思路
本专利技术的目的是:提供一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺,解决以上问题。为了实现上述目的,本专利技术提供如下的技术方案:一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺,其特征在于:其制作方法为:a)首先将需要喷淋的硅晶圆取出放置于摇摆机构下方的放置槽内,所述硅晶圆的正面朝向喷淋头;b)在所述摇摆机构的带动下所述喷淋头开始在所述硅晶圆上方做往复运动,所述摇摆机构带动所述喷淋头往复运动的速度为30±5次/分钟,所述喷淋头喷淋的水雾具体呈扇形;c)进一步的所述喷淋头开始向所述硅晶圆喷淋水,所述喷淋头喷出水的流量具体为1升/分钟,所述喷淋头喷出水的水压具体为0.3±0.05MPa;d)当喷淋一段时间后停止喷淋工序,将硅晶圆取走放置于指定位置处工作结束。进一步的,所述喷淋头有多个,所述喷淋头的喷淋时间具体为60s,所述喷淋头喷出的水的温度具体为2 ...
【技术保护点】
1.一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺,其特征在于:其制作方法为:/na)首先将需要喷淋的硅晶圆取出放置于摇摆机构下方的放置槽内,所述硅晶圆的正面朝向喷淋头;/nb)在所述摇摆机构的带动下所述喷淋头开始在所述硅晶圆上方做往复运动,所述摇摆机构带动所述喷淋头往复运动的速度为30±5次/分钟,所述喷淋头喷淋的水雾具体呈扇形;/nc)进一步的所述喷淋头开始向所述硅晶圆喷淋水,所述喷淋头喷出水的流量具体为1升/分钟,所述喷淋头喷出水的水压具体为0.3±0.05MPa;/nd)当喷淋一段时间后停止喷淋工序,将硅晶圆取走放置于指定位置处工作结束。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺,其特征在于:其制作方法为:
a)首先将需要喷淋的硅晶圆取出放置于摇摆机构下方的放置槽内,所述硅晶圆的正面朝向喷淋头;
b)在所述摇摆机构的带动下所述喷淋头开始在所述硅晶圆上方做往复运动,所述摇摆机构带动所述喷淋头往复运动的速度为30±5次/分钟,所述喷淋头喷淋的水雾具体呈扇形;
c)进一步的所述喷淋头开始向所述硅晶圆喷淋水,所述喷淋头喷出水的流量具体为1升/分钟,所述喷淋头喷出水的水压具体为0.3±0.05MPa;<...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。