多层陶瓷电容器制造技术

本公开提供一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括：主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极且在堆叠方向上设置为介电层介于第一内电极和第二内电极之间，主体包括在堆叠方向上彼此相对的第一表面和第二表面；第一贯通电极，穿透主体并且连接到第一内电极；第二贯通电极，穿透主体并且连接到第二内电极；第一外电极和第二外电极，分别设置在第一表面和第二表面上，并且连接到第一贯通电极；第三外电极和第四外电极，与第一外电极和第二外电极间隔开并且连接到第二贯通电极；以及标识符，设置在主体的第一表面或第二表面上，并且第一贯通电极和第二贯通电极从主体的第一表面凸出。

【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电容器本申请要求于2019年7月5日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0081301号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用被包含于此。
本公开涉及一种多层陶瓷电容器。
技术介绍
近来，已越来越多地使用包括多层陶瓷电容器(MLCC)的电子装置。在第五代通信时代中，已经在智能电话中使用了更大量的电容器，并且要求这种电容器具有高容量。然而，随着组产品的尺寸的减小，诸如MLCC和电感器的无源组件的安装面积也已经减小，因此，对于减小无源组件的尺寸的需求已经增加。根据这种需求，MLCC和电感器可与IC和AP一起封装，可嵌入基板中，或者可以以LSC的形式安装在AP的下端上以提高安装灵活性。因此，可减小安装面积，并且还可减小基板中出现的ESL。因此，对具有减小的尺寸的MLCC产品的需求已经增加。然而，当下表面电极应用于具有减小的厚度的嵌入式电容器、表面安装电容器等时，下表面电极与金属镀层之间的结合力可能减小。
技术实现思路
本公开的一方面在于提供一种多层陶瓷电容器，当所述多层陶瓷电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层陶瓷电容器，包括：/n主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，且在堆叠方向上设置为所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述主体包括在所述堆叠方向上彼此相对的第一表面和第二表面；/n第一贯通电极，穿透所述主体并且连接到所述第一内电极；/n第二贯通电极，穿透所述主体并且连接到所述第二内电极；/n第一外电极和第二外电极，分别设置在所述第一表面和所述第二表面上，并且均连接到所述第一贯通电极；/n第三外电极和第四外电极，分别设置在所述第一表面和所述第二表面上，以与所述第一外电极和所述第二外电极间隔开，并且所述第三外电极和所述第四外电极均连接到所述第二贯通电极；以及/n标识符...

【技术特征摘要】
20190705 KR 10-2019-00813011.一种多层陶瓷电容器，包括：
主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，且在堆叠方向上设置为所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述主体包括在所述堆叠方向上彼此相对的第一表面和第二表面；
第一贯通电极，穿透所述主体并且连接到所述第一内电极；
第二贯通电极，穿透所述主体并且连接到所述第二内电极；
第一外电极和第二外电极，分别设置在所述第一表面和所述第二表面上，并且均连接到所述第一贯通电极；
第三外电极和第四外电极，分别设置在所述第一表面和所述第二表面上，以与所述第一外电极和所述第二外电极间隔开，并且所述第三外电极和所述第四外电极均连接到所述第二贯通电极；以及
标识符，设置在所述主体的所述第一表面或所述第二表面上，
其中，所述第一贯通电极和所述第二贯通电极包括从银、钯、金、铂、镍、锡、铜、钨、钛、铟及它们的合金组成的组中选择的一种或更多种。


2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一贯通电极和所述第二贯通电极通过所述第一表面从所述主体向外凸出。


3.根据权利要求2所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一外电极、所述第二外电极、所述第三外电极和所述第四外电极中的每个的表面粗糙度在1nm至100nm的范围内。


4.根据权利要求2所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一外电极、所述第二外电极、所述第三外电极和所述第四外电极包括在烧结电极上依次层叠的第一镀层和第二镀层。


5.根据权利要求4所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一镀层包含镍。


6.根据权利要求4所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第二镀层包含铜或锡。


7.根据权利要求2所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一内电极和所述第二内电极包含镍。


8.根据权利要求2所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一外电极、所述第二外电极、所述第三外电极和所述第四外电极为包含镍的烧结电极。


9.根据权利要求2所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一外电极、所述第二外电极、所述第三外电极和所述第四外电极被烧结到所述主体。


10.根据权利要求2所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一外电极、所述第二外电极、所述第三外电极和所述第四外电极中的每个在所述堆叠方向上的厚度在1μm至10μm的范围内。


11.根据权利要求2所述的多层陶瓷电容器，其中，所述主体在所述堆叠方向上的厚度为100μm或更小。


12.根据权利要求2所述的多层陶瓷电容器，
其中，所述第一贯通电极包括连接到所述第一外电极和所述第二外电极的第一连接电极和第四连接电极，并且
其中，所述第二贯通电极包括连接到所述第三外电极和所述第四外电极的第二连接电极和第三连接电极。


13.根据权利要求12所述的多层陶瓷电容器，
其中，所述第一内电极和所述第二内电极中的每个具有T形形式，并且所述第一内电极和所述第二内电极彼此点对称地设置，
其中，所述第一连接电极和所述第四连接电极穿透其中未设置所述第二内电极的区域，并且
其中，所述第二连接电极和所述第三连接电极穿透其中未设置所述第一内电极的区域。


14.根据权利要求13所述的多层陶瓷电容器，其中，其中未设置所述第一内电极的区域和其中未设置所述第二内电极的区域中的每个具有倒圆形状。


15.根据权利要求12所述的多层陶瓷电容器，
其中，所述第一内电极和所述第二内电极中的每个具有矩形形状，并且所述第一内电极和所述第二内电极彼此点对称地设置，
其中，所述第一内电极包括第二通孔和第三通孔，
其中，所述第二内电极包括第一通孔和第四通孔，
其中，所述第一连接电极和所述第四连接电极穿透所述第二内电极的所述第一通孔和所述第四通孔，并且
其中，所述第二连接电极和所述第三连接电极穿透所述第一内电极的所述第二通孔和所述第三通孔。


16.根据权利要求15所述的多层陶瓷电容器，其中，比D1/D3在2.08至4.7的范围内，其中，所述第一通孔和所述第二通孔之间的间隙或所述第三通孔和所述第四通孔之间的间隙表示D3，并且所述第一连接电极和所述第四连接电极之间的间隙或所述第二连接电极和所述第三连接电极之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：权炳灿，赵志弘，李旼坤，朱镇卿，李泽正，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR