多层陶瓷电容器制造技术

本发明专利技术提供一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括：主体，包括介电层以及彼此点对称的第一内电极和第二内电极，且设置为相应的介电层介于第一内电极和第二内电极之间；第一连接电极和第二连接电极，在垂直于介电层的方向上穿过主体并且连接到第一内电极；第三连接电极和第四连接电极，在垂直于介电层的方向上穿过主体并且连接到第二内电极；第一外电极和第二外电极，设置在主体的两个外表面上并且连接到第一连接电极和第二连接电极；以及第三外电极和第四外电极，与第一外电极和第二外电极间隔开并且连接到第三连接电极和第四连接电极。第一内电极和第二内电极中的每个包括电极未形成区域。

【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电容器本申请要求于2019年7月5日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0081138号韩国专利申请以及于2019年7月4日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0080682号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种多层陶瓷电容器。
技术介绍
近来，迅速增加了对使用多层陶瓷电容器(MLCC)的电子装置的使用。具体地，随着第五代(5G)通信时代的到来，智能电话需要更大数量的电容器和更高电容的电容器。另一方面，由于组产品的小型化技术，已经减小了诸如MLCC和电感器的无源组件的安装面积，因此，还需要无源组件的小型化和薄化。因此，提出了以下方法：多层陶瓷电容器和电感器与IC和AP一起封装，嵌入基板中，或者以焊盘侧电容器(LSC，landsidecapacitor)型方式安装在AP的下端部上，以提高安装自由度。在这种情况下，不仅可实现减小安装面积，而且还可实现减小在基板中产生的等效串联电感(ESL)。因此，对具有低厚度的多层陶瓷电容器产品的需求正在增加。与普通的M本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层陶瓷电容器，包括：/n主体，包括介电层以及彼此点对称的第一内电极和第二内电极，且设置为相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；/n第一连接电极和第二连接电极，在垂直于所述介电层的方向上穿过所述主体并且连接到所述第一内电极；/n第三连接电极和第四连接电极，在垂直于所述介电层的所述方向上穿过所述主体并且连接到所述第二内电极；/n第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的两个外表面上并且连接到所述第一连接电极和所述第二连接电极；以及/n第三外电极和第四外电极，与所述第一外电极和所述第二外电极间隔开并且连接到所述第三连接电极和所述第四连接电极，/n其中，所述第二内电极具有第一通路...

【技术特征摘要】
20190704 KR 10-2019-0080682;20190705 KR 10-2019-001.一种多层陶瓷电容器，包括：
主体，包括介电层以及彼此点对称的第一内电极和第二内电极，且设置为相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；
第一连接电极和第二连接电极，在垂直于所述介电层的方向上穿过所述主体并且连接到所述第一内电极；
第三连接电极和第四连接电极，在垂直于所述介电层的所述方向上穿过所述主体并且连接到所述第二内电极；
第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的两个外表面上并且连接到所述第一连接电极和所述第二连接电极；以及
第三外电极和第四外电极，与所述第一外电极和所述第二外电极间隔开并且连接到所述第三连接电极和所述第四连接电极，
其中，所述第二内电极具有第一通路孔和第二通路孔，所述第一内电极具有第三通路孔和第四通路孔。


2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极分别穿过所述第二内电极的所述第一通路孔和所述第二通路孔，并且
所述第三连接电极和所述第四连接电极分别穿过所述第一内电极的所述第三通路孔和所述第四通路孔。


3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一内电极和所述第二内电极中的每个具有矩形形状。


4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极之间的距离或者所述第三连接电极和所述第四连接电极之间的距离与所述第一通路孔和所述第三通路孔之间的距离或者所述第二通路孔和所述第四通路孔之间的距离的比为1.9或更大。


5.根据权利要求4所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极之间的所述距离为所述第一连接电极的中心和所述第二连接电极的中心之间的距离，
所述第三连接电极和所述第四连接电极之间的所述距离为所述第三连接电极的中心和所述第四连接电极的中心之间的距离，
所述第一通路孔和所述第三通路孔之间的所述距离为所述第一通路孔和所述第三通路孔之间的最短距离，并且
所述第二通路孔和所述第四通路孔之间的所述距离为所述第二通路孔和所述第四通路孔之间的最短距离。


6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极之间的距离或者所述第三连接电极和所述第四连接电极之间的距离与所述第一通路孔和所述第三通路孔之间的距离或者所述第二通路孔和所述第四通路孔之间的距离的比为5.0或更小。


7.根据权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极之间的所述距离为所述第一连接电极的中心和所述第二连接电极的中心之间的距离，
所述第三连接电极和所述第四连接电极之间的所述距离为所述第三连接电极的中心和所述第四连接电极的中心之间的距离，
所述第一通路孔和所述第三通路孔之间的所述距离为所述第一通路孔和所述第三通路孔之间的最短距离，并且
所述第二通路孔和所述第四通路孔之间的所述距离为所述第二通路孔和所述第四通路孔之间的最短距离。


8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一连接电极、所述第二连接电极、所述第三连接电极和所述第四连接电极中的一者的直径与所述第一通路孔和所述第三通路孔之间的距离或所述第二通路孔和所述第四通路孔之间的距离的比为0.375或更大。


9.根据权利要求8所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一通路孔和所述第三通路孔之间的所述距离为所述第一通路孔和所述第三通路孔之间的最短距离，并且
所述第二通路孔和所述第四通路孔之间的所述距离为所述第二通路孔和所述第四通路孔之间的最短距离。


10.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一连接电极、所述第二连接电极、所述第三连接电极和所述第四连接电极中的一者的直径与所述第一通路孔和所述第三通路孔之间的距离或所述第二通路孔和所述第四通路孔之间的距离的比为0.6或更小。


11.根据权利要求10所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一通路孔和所述第三通路孔之间的所述距离为所述第一通路孔和所述第三通路孔之间的最短距离，并且
所述第二通路孔和所述第四通路孔之间的所述距离为所述第二通路孔和所述第四通路孔之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泽正，李旼坤，郑镇万，赵志弘，朱镇卿，罗焘兴，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR