像素结构制造技术

本发明专利技术提供一种像素结构，其包括第一金属层、栅绝缘层、第二金属层、第一层间绝缘层、第一导电层、第二层间绝缘层以及第二导电层。第一金属层包括栅极以及扫描线。扫描线沿第一方向延伸。栅绝缘层设置于第一金属层上。第二金属层设置于栅绝缘层上。第二金属层包括源极、漏极、数据线以及感测线。数据线沿第二方向延伸。感测线包括主干以及延伸部。主干沿第一方向延伸。延伸部沿第二方向延伸。延伸部与扫描线对应地设置。第一层间绝缘层设置于第二金属层上。第一导电层设置于第一层间绝缘层上。第二层间绝缘层设置于第一导电层上。第二导电层设置于第二层间绝缘层上。

【技术实现步骤摘要】
像素结构
本专利技术涉及一种像素结构，尤其涉及一种具有三栅极设计的像素结构。
技术介绍
在整合有触控功能的显示面板驱动芯片中，通常需将像素结构中的扫描线以及感测线上方的部分共享电极移除(即，共享电极需具有多个开口)，以降低扫描线以及感测线与共享电极之间的电阻电容负载。然而，扫描线以及感测线的上方需因此覆盖有黑矩阵以避免产生漏光现象，此将导致像素结构的开口率下降。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构，其在避免产生漏光现象的情况下可提升开口率。根据本专利技术的实施例，本专利技术的像素结构包括第一金属层、栅绝缘层、第二金属层、第一层间绝缘层、第一导电层、第二层间绝缘层以及第二导电层。第一金属层包括栅极以及扫描线。扫描线沿第一方向延伸。栅绝缘层设置于第一金属层上。第二金属层设置于栅绝缘层上。第二金属层包括源极、漏极、数据线以及感测线。数据线沿第二方向延伸。感测线包括主干以及延伸部。主干沿第二方向延伸。延伸部沿第一方向延伸。延伸部与扫描线对应地设置。第一层间绝缘层设置于第二金属层上。第一导电层设置于第一层间绝缘层上。第二层间绝缘层设置于第一导电层上。第二导电层设置于第二层间绝缘层上。在根据本专利技术的实施例的像素结构中，像素结构应用于三栅极设计的显示面板。在根据本专利技术的实施例的像素结构中，第二导电层包括狭缝。根据本专利技术的实施例，本专利技术的像素结构包括第一金属层、栅绝缘层、第二金属层、第一层间绝缘层、第三金属层、第二层间绝缘层、第一导电层、第三层间绝缘层以及第二导电层。第一金属层包括栅极以及扫描线。扫描线沿第一方向延伸。栅绝缘层设置于第一金属层上。第二金属层设置于栅绝缘层上。第二金属层包括源极、漏极以及数据线。数据线沿第二方向延伸。第一层间绝缘层设置于第二金属层上。第三金属层设置于第一层间绝缘层上。第三金属层包括感测线。感测线包括主干以及延伸部。主干沿第二方向延伸。延伸部沿第一方向延伸。延伸部与扫描线对应地设置。第二层间绝缘层设置于第三金属层上。第一导电层设置于第二层间绝缘层上。第三层间绝缘层设置于第一导电层上。第二导电层设置于第三层间绝缘层上。在根据本专利技术的实施例的像素结构中，其还包括平坦层。平坦层设置于第一层间绝缘层与第二层间绝缘层之间。第三金属层设置于平坦层上。在根据本专利技术的实施例的像素结构中，像素结构应用于三栅极设计的显示面板。在根据本专利技术的实施例的像素结构中，第二导电层包括狭缝。根据本专利技术的实施例，本专利技术的像素结构包括扫描线、数据线、主动组件、感测线、像素电极以及共享电极。扫描线沿第一方向延伸。数据线沿第二方向延伸。主动组件与对应的扫描线以及对应的数据线电性连接。感测线包括主干以及延伸部。主干沿第二方向延伸。延伸部沿第一方向延伸。延伸部与扫描线对应地设置。像素电极与主动组件电性连接。共享电极与感测线电性连接。本专利技术的像素结构应用于三栅极设计的显示面板。在根据本专利技术的实施例的像素结构中，数据线与感测线为同一层金属层。在根据本专利技术的实施例的像素结构中，数据线与感测线为不同层金属层。由于本专利技术的像素结构使感测线的延伸部与扫描线对应地设置，其可用以遮蔽扫描线的漏光现象，藉此可不需设置额外的黑矩阵于扫描线上方，以增加像素结构的开口率。附图说明包含附图以便进一步理解本专利技术，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本专利技术的实施例，并与描述一起用于解释本专利技术的原理。图1A为本专利技术一实施例的像素结构的俯视示意图。图1B为依据图1A的剖线A-A’的剖面示意图。图2A为本专利技术另一实施例的像素结构的俯视示意图。图2B为依据图2A的剖线B-B’的一实施例的剖面示意图。图2C为依据图2A的剖线B-B’的另一实施例的剖面示意图。具体实施方式现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。本专利技术也可以各种不同的形式体现，而不应限于本文中所述的实施例。附图中的层与区域的厚度会为了清楚起见而放大。相同或相似的参考号码表示相同或相似的组件，以下段落将不再一一赘述。另外，实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本专利技术。图1A为本专利技术一实施例的像素结构的俯视示意图，图1B为依据图1A的剖线A-A’的剖面示意图。请同时参照图1A以及图1B，在本实施例中，像素结构10是一种三栅极型的像素结构。详细地说，本实施例的像素结构10通过三条扫描线(或称栅极线)来驱动一个像素单元。与常见的使用单栅极型的像素结构的显示面板相比，在相同的分辨率下，使用三栅极型的像素结构的显示面板包括三倍的扫描线以及三分之一的数据线。在此情况下，由于与扫描线电连接的栅极驱动芯片的成本与耗电量均较与数据线电连接的源极驱动芯片来得低，因此，使用三栅极型的像素结构的显示面板可降低其成本及耗电量。在一实施例中，像素结构10包括扫描线SL、数据线DL、主动组件T、感测线Sx、像素电极PE以及共享电极CE。另外，像素结构10可还包括衬底100、栅绝缘层GI以及层间绝缘层PV1、PV3。为了方便说明，图1A中仅示出出像素结构10的部分区域，本领域技术人员可以根据以下实施例了解像素结构10的结构或布局。衬底100可例如是刚性衬底或柔性衬底。举例来说，衬底100的材料可例如是玻璃、石英或有机聚合物，或者衬底100的材料可例如是聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙醇酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯聚醚砜或聚芳基酸酯。在一实施例中，扫描线SL、数据线DL、主动组件T、感测线Sx、像素电极PE以及共享电极CE设置于衬底100上。扫描线SL例如实质上沿第一方向E1延伸且沿第二方向E2排列，且数据线DL实质上沿第二方向E2延伸且沿第一方向E1排列，但本专利技术不以此为限。在一实施例中，第一方向E1实质上垂直于第二方向E2。在本实施例中，扫描线SL是以锯齿形为例，且数据线DL是以直线形为例，但本专利技术不以此为限。在其他实施例中，扫描线SL可以是直线形或其他形状，且数据线DL亦可以是锯齿形或其他形状。基于导电性的考虑，扫描线SL以及数据线DL一般是包括金属材料，但本专利技术不限于此。在其他实施例中，扫描线SL以及数据线DL亦可以使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆栈层。主动组件T例如与扫描线SL以及数据线DL电性连接。在本实施例中，主动组件T是以底部栅极型薄膜晶体管为例，但本专利技术不以此为限。主动组件T也可以是顶部栅极型薄膜晶体管或其他类型的主动组件。主动组件T例如包括栅极G、源极S以及漏极D，其中栅极G电连接于扫描线SL，且源极S电连接于数据线DL。主动组件T的材料可包括(但不限于)：金属材料、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆栈层。在一实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：/n第一金属层，包括栅极以及扫描线，其中所述扫描线沿第一方向延伸；/n栅绝缘层，设置于所述第一金属层上；/n第二金属层，设置于所述栅绝缘层上，包括源极、漏极、数据线以及感测线，其中所述数据线沿第二方向延伸，所述感测线包括：/n主干，沿所述第二方向延伸；以及/n延伸部，沿所述第一方向延伸，其中所述延伸部与所述扫描线对应地设置；/n第一层间绝缘层，设置于所述第二金属层上；/n第一导电层，设置于所述第一层间绝缘层上；/n第二层间绝缘层，设置于所述第一导电层上；以及/n第二导电层，设置于所述第二层间绝缘层上。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：
第一金属层，包括栅极以及扫描线，其中所述扫描线沿第一方向延伸；
栅绝缘层，设置于所述第一金属层上；
第二金属层，设置于所述栅绝缘层上，包括源极、漏极、数据线以及感测线，其中所述数据线沿第二方向延伸，所述感测线包括：
主干，沿所述第二方向延伸；以及
延伸部，沿所述第一方向延伸，其中所述延伸部与所述扫描线对应地设置；
第一层间绝缘层，设置于所述第二金属层上；
第一导电层，设置于所述第一层间绝缘层上；
第二层间绝缘层，设置于所述第一导电层上；以及
第二导电层，设置于所述第二层间绝缘层上。


2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构应用于三栅极设计的显示面板。


3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二导电层包括狭缝。


4.一种像素结构，其特征在于，包括：
第一金属层，包括栅极以及扫描线，其中所述扫描线沿第一方向延伸；
栅绝缘层，设置于所述第一金属层上；
第二金属层，设置于所述栅绝缘层上，包括源极、漏极以及数据线，其中所述数据线沿第二方向延伸；
第一层间绝缘层，设置于所述第二金属层上；
第三金属层，设置于所述第一层间绝缘层上，包括感测线，其中所述感测线包括：
主干，沿所述第二方向延伸；以及
延伸部，沿所述第一方向延伸，其中所述延伸部与所述扫描线对应地设置；
第二层间...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈逸轩，康沐楷，叶政谚，赵广雄，徐维志，
申请(专利权)人：瀚宇彩晶股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71