一种基于密勒平台效应的电磁干扰预测算法制造技术

本发明专利技术公开了一种基于密勒平台效应的电磁干扰预测算法，该模型能够在产品设计阶段，准确预测电磁干扰频谱包络线，且不需要复杂的测量步骤，避免了由于产品不能满足电磁干扰的标准，而带来巨大的经济损失，为电力电子设计工程师设计产品提供了方便。

【技术实现步骤摘要】
一种基于密勒平台效应的电磁干扰预测算法
本专利技术属于电力电子电磁干扰研究领域，具体为一种基于密勒平台效应的电磁干扰预测算法。
技术介绍
近年来，由于电力电子器件的快速发展，其快速的开通和关断过程带来了严重的电磁干扰问题。而且事实证明，基于宽带隙(WBG)的半导体开关器件，例如碳化硅(SiC)MOSFET和氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)，其性能优于最新的Si技术就低损耗和高温性能而言。它们被认为是汽车，航空航天和工业应用中高性能和高功率密度电机驱动器的关键促成因素。WBG设备的短开关转换通常5ns至20ns的范围内，可显着减少开关事件期间的能量损耗，但同时也引起人们对电磁干扰(EMI)增大的担忧。一般来说，分析电磁干扰的方法主要是通过LISN网络进行测量。其中测量的电磁干扰可以分成共模(CM)和差模(DM)两类。然而，测量的过程非常繁琐和复杂，而且一旦产品不能满足电磁干扰的标准，这会带来巨大的经济损失。因此，在产品设计阶段预测电磁干扰的产生变得非常重要。在传统的预测方法中，都是根据系统中的电流来进行预测，计算或仿真每一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于密勒平台效应的电磁干扰预测算法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1，根据器件开通过程初始状态，栅极驱动电路通过驱动电阻R对栅源电容C

【技术特征摘要】
1.一种基于密勒平台效应的电磁干扰预测算法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，根据器件开通过程初始状态，栅极驱动电路通过驱动电阻R对栅源电容Cgs和栅漏电容Cgd充电，直到栅极电压达到其阈值电压Vth，在此过程中Cgs和Cgd并联充电，计算栅极电压达到密勒平台电压的时间；



步骤2，当栅源电压VGS(pl)受密勒电容影响而保持恒定时，驱动电流流向Cgd而非Cgs充电。计算在此期间Cgd(Qdg)中积累的电荷数Qdg以及密勒平台时间






步骤3，开通瞬态消失，栅极充电达到过饱和状态。驱动电流对Cgd和Cgs充电，直到栅极电压VGS达到栅极供电电压，计算后密勒平台上升时间；
tr3＝td(on)+tr-tr1-tr2(4)
步骤4，计算驱动电压的频谱表达式：



步骤5，根据谐波次数的不同，将频谱划分为高频、中高频、中频、低频四种不同的频段，分别计算频谱包络线的表达式；
在高频范围内，即对于比较大的谐波次数n，等于-1，频谱包络线的表达式为：



当n减小时，2nπtr1/T、2nπtr2/T、2nπtr3/T、2nπtf1/T、2nπtf2/T、2nπtf3/T将会小于π而且会逐渐接近于0，因此为-1，为-j,...

【专利技术属性】
技术研发人员：张茹，陈文洁，杨旭，闫瑞涛，刘金路，周永兴，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61