液晶聚合物、积层材料、液晶聚合物溶液与液晶聚合物薄膜的形成方法技术

技术编号:26963418 阅读:44 留言:0更新日期:2021-01-05 23:45
液晶聚合物由下列重复单元组成:10mol%至35mol%的(1)

【技术实现步骤摘要】
液晶聚合物、积层材料、液晶聚合物溶液与液晶聚合物薄膜的形成方法
本专利技术涉及液晶聚合物。
技术介绍
近年来液晶聚合物(LCP)应用蓬勃发展,在许多高值化及高端应用领域可看到LCP的相关产品,其中又以LCP薄膜发展最受瞩目。因其具有低吸湿、低介电常数及低介电损失的特性,且随着4G/5G高速传输的时代来临,目前应用于手持行动通讯软性铜箔基板(FCCL)的聚酰亚胺薄膜(PI膜)将不敷使用,LCP膜有潜力取而代之。然而传统LCP材料具有高分子排列顺向性,在押出成膜和吹塑成膜过程中,会由于LCP高度结晶顺向性,造成MD/TD两方向结晶度差异,使MD方向强度高,而TD方向易破裂,造就LCP热制膜加工技术具有高门槛设备与技术。综上所述,目前亟需新的可溶LCP组成作为溶液型的膜级LCP,以应用于FCCL产品。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供的液晶聚合物,由下列重复单元组成:10mol%至35mol%的(1)10mol%至35mol%的(2)10mol%至50mol%的(3)与10mol%至40mol%的(4a)10mol%至40mol%的(4b)或上述的组合,其中AR1、AR2、AR3与AR4各自为AR5或AR5-Z-AR6,AR5与AR6各自为或上述的组合,且Z为-O-、或C1-5的烷撑基;其中X与Y各自为H、C1-5的烷基、CF3或其中R2为H、CH3、CH(CH3)2、C(CH3)3、CF3、OCH3或n=1~4;以及其中R1为C1-5的烷撑基。本专利技术一实施例提供的积层材料,包括:支撑物;以及液晶聚合物薄膜,位于支撑物上,其中液晶聚合物薄膜包含上述的液晶聚合物。本专利技术一实施例提供的液晶聚合物溶液,包括:100重量份的溶剂;以及0.01至100重量份上述的液晶聚合物。本专利技术一实施例提供的液晶聚合物薄膜的形成方法,包括:将上述液晶聚合物溶液涂布于支撑物上,以及移除溶剂,以形成液晶聚合物薄膜在支撑物上。具体实施方式本专利技术一实施例提供的液晶聚合物,由下列重复单元组成:10mol%至35mol%的(1)10mol%至35mol%的(2)10mol%至50mol%的(3)与10mol%至40mol%的(4a)10mol%至40mol%的(4b)或上述的组合。举例来说,可取与进行反应以形成液晶聚合物。另一方面,可取与进行反应以形成液晶聚合物。在其他实施例中,可取与进行反应以形成液晶聚合物。与的摩尔比例为1∶1,若与的摩尔比例大于1或小于1,则过多的或无法进行共聚反应。上述的AR1、AR2、AR3与AR4各自为AR5或AR5-Z-AR6,AR5与AR6各自为或上述的组合,且Z为-O-、或C1-5的烷撑基;其中X与Y各自为H、C1-5的烷基、CF3或其中R2为H、CH3、CH(CH3)2、C(CH3)3、CF3、OCH3或n=1~4;以及其中R1为C1-5的烷撑基。在液晶聚合物中,若(1)的比例过低,以或为例,则结晶性变差;以为例,则溶解度变差。若(1)的比例过高,以或为例,则溶解度变差;以为例,则结晶性变差。若(2)的比例过低,以为例,则溶解度下降。若(2)的比例过高,以为例,则结晶性变差。若(3)的比例过低,以或为例,则结晶性变差。若(3)的比例过高,以或为例,则溶解度变差。若(4a)(4b)或上述的组合的比例过低,以为例,则溶解度变差。若(4a)(4b)或上述的组合的比例过高,以或为例,则介电特性变差、结晶性变差或导致无法顺利聚合。在一些实施例中,(1)为或上述的组合。在一些实施例中,(2)为在一些实施例中,(3)为或上述的组合。在一些实施例中,(4a)为在一些实施例中,(4b)为在一些实施例中,所述液晶聚合物由下列重复单元组成:15mol%至35mol%的(1)15mol%至35mol%的(2)15mol%至35mol%的(3)与10mol%至40mol%的(4a)10mol%至40mol%的(4b)或上述的组合。AR1、AR2、AR3与AR4各自的定义同上述,在此不再赘述。在一些实施例中,液晶聚合物的重量平均分子量(Mw)介于1,000g/mol至1,000,000g/mol之间。若液晶聚合物的重量平均分子量过低,则成膜性变差。若液晶聚合物的重量平均分子量过高,则溶解度变差。生产本专利技术的液晶聚合物的方法并不特别加以限定,举例来说,可以将含有羟基或是胺基的单体先与一过量的脂肪酸酐酰化以取得一酰化化合物,而酰化化合物与含有羧酸的单体进行转酯作用以形成液晶聚合物。也可以通过预先酰化好的酰化化合物与含有羧酸的单体进行转酯作用以形成液晶聚合物。在酰化反应中的脂肪酸酐的含量例如是羟基与胺基当量的1.0~1.2倍。酰化反应的条件可以在130至180摄氏度进行5分钟至10小时,例如在140至160摄氏度进行10分钟至3小时。用于本专利技术的酰化反应中的脂肪酸酐并不特别加以限定,其可以包括,例如,醋酸酐、丙酸酐、丁酸酐、异丁酸酐、戊酸酐、特戊酸酐、2-乙基己酸酐、单氯醋酸酐、二氯醋酸酐、三氯醋酸酐、单溴醋酸酐、二溴醋酸酐、三溴醋酸酐、单氟醋酸酐、二氟醋酸酐、三氟醋酸酐、戊二酸酐、顺丁烯二酸酐、琥珀酸酐、β-溴丙酸酐、类似物或上述的组合。在一些实施例中脂肪酸酐可为醋酸酐、丙酸酐、丁酸酐或异丁酸酐。在酰化反应以及转酯反应中也可以加入一催化剂。而所加入的催化剂可以是已知的用于聚酯的聚合反应的催化剂,其例如是包括金属盐催化剂,例如是醋酸镁、醋酸锡、四丁基钛酸盐、醋酸铅、醋酸钾、三氧化锑或类似物,或是有机催化剂,可为含有两个或以上氮原子的杂环化合物,例如是N,N’-二甲基胺基吡啶、N-甲基咪唑、吡唑或类似物。在酰化反应以及转酯反应中也可以加入一添加物,而所加入的添加物的实例包括已知的结合试剂、抗沉淀试剂、UV吸收剂、热稳定剂、抗氧化剂或上述的组合。生产芳香液晶聚合物的方法,可利用批次式设备、连续式设备或类似设备。上述液晶聚合物可溶于溶剂以形成液晶聚合物溶液。溶剂与液晶聚合物的重量比可为100∶0.01至100∶100。举例来说,液晶聚合物溶液可包含100重量份的溶剂以及0.01至100重量份的液晶聚合物。在一实施例中,液晶聚合物溶液包含100重量份的溶剂以及1至70重量份的液晶聚合物。在另一实施例中,液晶聚合物溶液包含100重量份的溶剂以及1至10重量份的液晶聚合物。若液晶聚合物的比例过低,则涂布成膜时不易得到较厚的膜。若液晶聚合物的比例过高,则粘度太高,不易进行涂布工艺。所述的液晶聚合物与前述类似,在此不赘述。举例来说,溶剂可为卤素溶剂(例如1-氯丁烷、氯苯、1,1-二氯乙烷、氯仿或1,1,2,2-四氯乙烷)、醚类溶剂(例如二乙基醚、四氢呋喃或1,4-二氧六环)、酮类溶剂(例如丙酮或环己酮)、酯类溶剂(例如醋酸乙酯)、内酯溶剂(例如γ-丙烯酸正丁酯)、碳酸酯溶剂(例如是乙烯基碳酸酯或丙烯基碳酸酯)、胺类溶剂(例如三乙基胺或吡啶)、腈类溶剂(例如乙腈)、酰胺溶剂(例如N,N′-二甲基甲酰胺、N,N′-二甲基乙酰胺、四甲基脲或N-甲基吡咯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶聚合物,由下列重复单元组成:/n10mol%至35mol%的(1)

【技术特征摘要】
20200413 TW 109112311;20190702 US 62/869,6691.一种液晶聚合物,由下列重复单元组成:
10mol%至35mol%的(1)
10mol%至35mol%的(2)
10mol%至50mol%的(3)与
10mol%至40mol%的(4a)10mol%至40mol%的(4b)或上述的组合,
其中AR1、AR2、AR3与AR4各自为AR5或AR5-Z-AR6,AR5与AR6各自为或上述的组合,且Z为-O-、或C1-5的烷撑基;其中X与Y各自为H、C1-5的烷基、CF3或其中R2为H、CH3、CH(CH3)2、C(CH3)3、CF3、OCH3或n=1~4;以及其中R1为C1-5的烷撑基。


2.如权利要求1的液晶聚合物,其中(1)为

或上述的组合。


3.如权利要求1的液晶聚合物,其中(2)为


4.如权利要求1的液晶聚合物,其中(3)为或上述的组合。


5.如权利要求1的液晶聚合物,其中(4a)为


6.如权利要求1的液晶聚合物,其中(4b)为


7.如权利要求1的液晶聚合物,其中该液晶聚合物的重量平均分子量(Mw)介于1,000至1,000,000之间。


8.一种积层材料,包括:
一支撑物;以及
一液晶聚合物薄膜,位于该支撑物上,其中该液晶聚合物薄膜包含权利要求1至7中任一项的液晶聚合物。


9.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱育麟邱仁军谷祖强何柏贤陈孟歆林志祥
申请(专利权)人:财团法人工业技术研究院
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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