一种低噪声耐冲击的防反电路及装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种低噪声耐冲击的防反电路，所述电路包括π过滤器、反极性保护MOSFET M1和反接保护电路；所述π过滤器包括电容器C1、电容器C2和电感L1，所述电容器C1并联有TVS管TV1；所述反极性保护MOSFET M1引脚1、引脚2、引脚3均连接电感L1另一端，所述反极性保护MOSFET M1引脚5、引脚6、引脚7、引脚8均连接引脚VDH；所述反接保护电路包括NPN双极晶体管Q1和电阻R2，所述电阻R2一端分别连接NPN双极晶体管Q1集电极和反极性保护MOSFET M1引脚4，所述电阻R2另一端连接引脚VCP，所述NPN双极晶体管Q1发射极连接二极管D1正极，所述二极管D1负极连接电感L1另一端。本实用新型专利技术可起到反接保护功能，并且具有低噪声性能。

【技术实现步骤摘要】
一种低噪声耐冲击的防反电路及装置
本技术属于汽车电路
，特别涉及一种低噪声耐冲击的防反电路及装置。
技术介绍
在汽车保养期间，连接电池端子的电线可能会不小心交换，导致汽车ECU电源出现负压。如果ECU的设计不能承受其电源端子的负压，它们可能会永久损坏。在一个特殊的情况下，ECU具有n通道MOSFET半桥，其中高侧的MOSFET直接连接到电池，反向极性事件可以破坏MOSFET。如图1所示，当“ECUVbat”和“ECUGnd”之间的电压为负时，MOSFET的寄生体二极管将进行传导，为电流提供从地面到电池的路径。一旦达到或超过最大体二极管连续正向电流或MOSFET的最大功率损耗，他们将被损坏。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提供了一种低噪声耐冲击的防反电路，所述电路包括π过滤器、反极性保护MOSFETM1和反接保护电路；所述π过滤器包括电容器C1、电容器C2和电感L1，所述电感L1一端连接电容器C1一端和引脚Vbat，所述电感L1另一端连接电容器C2一端，所述电容器C1另一端接地，所述电容器C2另一端接地，所述电容器C1并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低噪声耐冲击的防反电路,其特征在于，所述电路包括π过滤器、反极性保护MOSFET M1和反接保护电路；/n所述π过滤器包括电容器C1、电容器C2和电感L1，所述电感L1一端连接电容器C1一端和引脚Vbat，所述电感L1另一端连接电容器C2一端，所述电容器C1另一端接地，所述电容器C2另一端接地，所述电容器C1并联有TVS管TV1；/n所述反极性保护MOSFET M1引脚1、引脚2、引脚3均连接电感L1另一端，所述反极性保护MOSFET M1引脚5、引脚6、引脚7、引脚8均连接引脚VDH；/n所述反接保护电路包括NPN双极晶体管Q1和电阻R2，所述电阻R2一端分别连接NPN双极晶体管Q1...

【技术特征摘要】
1.一种低噪声耐冲击的防反电路,其特征在于，所述电路包括π过滤器、反极性保护MOSFETM1和反接保护电路；
所述π过滤器包括电容器C1、电容器C2和电感L1，所述电感L1一端连接电容器C1一端和引脚Vbat，所述电感L1另一端连接电容器C2一端，所述电容器C1另一端接地，所述电容器C2另一端接地，所述电容器C1并联有TVS管TV1；
所述反极性保护MOSFETM1引脚1、引脚2、引脚3均连接电感L1另一端，所述反极性保护MOSFETM1引脚5、引脚6、引脚7、引脚8均连接引脚VDH；
所述反接保护电路包括NPN双极晶体管Q1和电阻R2，所述电阻R2一端分别连接NPN双极晶体管Q1集电极和反极性保护MOSFETM1引脚4，所述电阻R2另一端连接引脚VCP，所述NPN双极晶体管Q1发射极连接二极管D1正极，所述二极管D1负极连接电感L1另一端，所述NPN双极晶体管Q1基极连接电阻R3一端，所述电阻R3另一端连接二极管D2负极，所述二极管D2正极接地。


2.根据权利要求1所述的低噪声耐冲击的防反电路，其特征在于，所述反极性保护MOSFETM1与反接保护电路之间设有电容器C3；
所述电容器C3一端分别连接反极性保护MOSFETM1引脚1、引脚2、引脚3，所述电容器C3另一端连接NPN双极晶体管Q1集电极。


3.根据权利要求2所述的低噪声耐...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴文臣，周静，徐进峰，陈先国，薛矿，
申请(专利权)人：上海金脉电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31