衬底和包含该衬底的半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种衬底和包含该衬底的半导体装置。该衬底包括芯层，具有相对的第一表面和第二表面；一个或多个接触指，设置于芯层的第一表面上，一个或多个接触指中的至少部分接触指在芯层的第一表面上沿着第一方向延伸；第一阻焊掩模，覆盖芯层的第一表面且具有开口，一个或多个接触指通过开口暴露；强化图案，设置于芯层的第二表面上，并且与芯层的第二表面上的导电布线在同一层中；以及第二阻焊掩模，覆盖芯层的第二表面和强化图案，第二阻焊掩模的表面上具有用于设置一个或多个裸芯的裸芯区域。

【技术实现步骤摘要】
衬底和包含该衬底的半导体装置
本技术总体上涉及一种衬底和包含该衬底的半导体装置。
技术介绍
便携式消费电子器件需求的强劲增长推动了对高容量存储设备的需求。非易失性半导体存储装置，诸如闪存存储卡，已广泛用于满足对数字信息存储和交换的日益增长的需求。它们的便携性、多功能性和坚固耐用的设计以及它们的高可靠性和大容量，使得此类存储装置理想地用于多种电子设备中，包括例如数字相机、数字音乐播放器、视频游戏控制台、PDA和蜂窝电话。随着电子产业的快速发展，电子产品的尺寸日益缩小，集成度日益提高，这对于诸如存储卡的半导体装置的尺寸小型化提出了更高的要求。例如，常见的SD卡的规格为32mm×24mm×2.1mm，而MicroSD卡的规格仅为15.0mm×11.0mm×1.0mm。存储卡小型化一方面要求进一步缩小衬底、半导体裸芯、模塑料等层状结构的尺寸，另一方面要求存储卡中半导体裸芯、接触指、布线等结构都紧密地布置。
技术实现思路
本技术提出一种衬底。具体地，根据本技术的衬底具有位于芯层表面上的强化图案的布置，以增强衬底的抗弯刚度，从而降低衬底在弯曲应力作用下的弯曲程度，避免设置于其上的半导体裸芯的破裂。在根据本技术的衬底的一个实施例中，衬底包括：芯层，具有相对的第一表面和第二表面；一个或多个接触指，设置于芯层的第一表面上，一个或多个接触指中的至少部分接触指在芯层的第一表面上沿着第一方向延伸；第一阻焊掩模，覆盖芯层的第一表面且具有开口，一个或多个接触指通过开口暴露；强化图案，设置于芯层的第二表面上，并且与芯层的第二表面上的导电布线在同一层中；以及第二阻焊掩模，覆盖芯层的第二表面和强化图案，第二阻焊掩模的表面上具有用于设置一个或多个裸芯的裸芯区域。强化图案的抗弯刚度大于第二阻焊掩模。强化图案包括布置为两个或更多个条的第一部分，第一部分的两个或更多个条在芯层的第二表面上沿着与第一方向不同的第二方向延伸。强化图案的第一部分在垂直于芯层的方向上的投影与一个或多个接触指在垂直于芯层的方向上的投影至少部分地重叠。在一个实施例中，一个或多个接触指在垂直于芯层的方向上的投影完全位于第一部分在垂直于芯层的方向上的投影内。在一个实施例中，强化图案的第一部分中的强化图案的至少两个条具有两个或更多个断开部分，并且两个或更多个断开部分中的至少两个在第二方向上的位置不同。在一个实施例中，强化图案的第一部分在垂直于芯层的方向上的投影与裸芯区域在垂直于芯层的方向上的投影至少部分地重叠。在一个实施例中，裸芯区域在垂直于芯层的方向上的投影完全位于强化图案的第一部分在垂直于芯层的方向上的投影内。在一个实施例中，强化图案还包括第二部分，第二部分在垂直于芯层的方向上的投影与裸芯区域在垂直于芯层的方向上的投影至少部分重叠，并且第二部分为无间断的整体。在一个实施例中，裸芯区域在垂直于芯层的方向上的投影完全位于第二部分在垂直于芯层的方向上的投影内。在一个实施例中，强化图案具有十字形布置、米字形布置和连续层布置中的一种或其组合。在一个实施例中，强化图案的材料选自铜、铝、银、金中的一者、其合金，或其组合。在根据本使用新型的衬底的另一个实施例中，该衬底包括：芯层，具有相对的第一表面和第二表面；一个或多个接触指，设置于芯层的第一表面上，一个或多个接触指中的至少部分接触指在芯层的第一表面上沿着第一方向延伸；第一阻焊掩模，覆盖芯层的第一表面且具有开口，一个或多个接触指通过开口暴露；强化图案，设置于芯层的第二表面上，并且与芯层的第二表面上的导电布线在同一层中；以及第二阻焊掩模，覆盖芯层的第二表面和强化图案，第二阻焊掩模的表面上具有用于设置一个或多个裸芯的裸芯区域，其中强化图案的抗弯刚度大于第二阻焊掩模，其中强化图案包括整体部分，整体部分不具有间断，并且其中整体部分在垂直于芯层的方向上的投影与裸芯区域在垂直于芯层的方向上的投影至少部分地重叠。在一个实施例中，整体部分在垂直于芯层的方向上的投影还与一个或多个接触指在垂直于芯层的方向上的投影至少部分地重叠。在一个实施例中，裸芯区域在垂直于芯层的方向上的投影完全位于整体部分在垂直于芯层的方向上的投影内。在一个实施例中，强化图案还包括间断部分，间断部分在垂直于芯层的方向上的投影和整体部分在垂直于芯层的方向上的投影至少与一个或多个接触指在垂直于芯层的方向上的投影部分地重叠。间断部分具有在芯层的第二表面上沿着第一方向延伸的两个或更多个条，并且两个或更多个条在宽度、间隔位置中的至少一者上与一个或多个接触指不同。在一个实施例中，一个或多个接触指在垂直于芯层的方向上的投影完全位于间断部分在垂直于芯层的方向上的投影和整体部分在垂直于所述芯层的方向上的投影内。本技术还提出一种半导体装置，其包括根据本技术的衬底的实施例中任一项的衬底；一个或多个半导体裸芯，一个或多个半导体裸芯位于衬底的第二阻焊掩模上的裸芯区域处；以及模塑料，覆盖衬底的第二阻焊掩模和一个或多个半导体裸芯。在一个实施例中，半导体装置是SD卡、MicroSD卡、NanoSD卡中的一者。附图说明附图图示了根据本技术的实施例的衬底和常规的衬底，以及包含这些衬底的半导体装置，其未按比例绘制，且不以任何方式限制本申请所要求保护的主题含义和范围。相反地，附图仅出于说明性目的，而不应理解为附图中出现的全部特征都是技术方案的必要或优选的特征。为了图示清楚，某些视图中可能未示出部分特征或结构。附图通篇，相同的附图标记表示相同的特征，附图中：图1A是图示现有技术的衬底的第一表面的示意图。图1B是图示现有技术的衬底的第二表面的示意图。图1C是图示包括根据图1A和1B所示的衬底的半导体装置沿着图1B中的线A-A所截取的截面图。图2A是图示根据一个实施例的衬底的第一表面的示意图。图2B是图示根据一个实施例的衬底的第二表面的示意图。图2C是图示图2A和2B所示的衬底沿着图2B中的线B-B所截取的截面图。图2D是图示包括图2A-2C所示的衬底的半导体装置沿着图2B中的线B-B所截取的截面图。图3A是图示根据另一实施例的衬底的第一表面的示意图。图3B是图示根据另一实施例的衬底的第二表面的示意图。图3C是图示图3A和3B所示的衬底沿着图3B中的线C-C所截取的截面图。图3D是图示包括图3A-3C所示的衬底的半导体装置沿着图3B中的线C-C所截取的截面图。图4A是图示根据另一实施例的衬底的第一表面的示意图。图4B是图示根据另一实施例的衬底的第二表面的示意图。图4C是图示图4A和4B所示的衬底沿着图4B中的线D-D所截取的截面图。图4D是图示包括图4A-4C所示的衬底的半导体装置沿着图4B中的线C-C所截取的截面图。图5A是图示根据另一实施例的衬底的第一表面的示意图。图5B是图示根据另一实施例的衬底的第二表面的示意图。图5C是图示图5A和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种衬底，其特征在于，包括：/n芯层，具有相对的第一表面和第二表面；/n一个或多个接触指，设置于所述芯层的第一表面上，所述一个或多个接触指中的至少部分接触指在所述芯层的第一表面上沿着第一方向延伸；/n第一阻焊掩模，覆盖所述芯层的第一表面且具有开口，所述一个或多个接触指通过所述开口暴露；/n强化图案，设置于所述芯层的第二表面上，并且与所述芯层的第二表面上的导电布线在同一层中；以及/n第二阻焊掩模，覆盖所述芯层的第二表面和强化图案，所述第二阻焊掩模的表面上具有用于设置一个或多个裸芯的裸芯区域，/n其中所述强化图案的抗弯刚度大于所述第二阻焊掩模，/n所述强化图案包括布置为两个或更多个条的第一部分，所述第一部分的两个或更多个条在所述芯层的第二表面上沿着与所述第一方向不同的第二方向延伸，并且所述强化图案的第一部分在垂直于所述芯层的方向上的投影与所述一个或多个接触指在垂直于所述芯层的方向上的投影至少部分地重叠。/n

【技术特征摘要】
1.一种衬底，其特征在于，包括：
芯层，具有相对的第一表面和第二表面；
一个或多个接触指，设置于所述芯层的第一表面上，所述一个或多个接触指中的至少部分接触指在所述芯层的第一表面上沿着第一方向延伸；
第一阻焊掩模，覆盖所述芯层的第一表面且具有开口，所述一个或多个接触指通过所述开口暴露；
强化图案，设置于所述芯层的第二表面上，并且与所述芯层的第二表面上的导电布线在同一层中；以及
第二阻焊掩模，覆盖所述芯层的第二表面和强化图案，所述第二阻焊掩模的表面上具有用于设置一个或多个裸芯的裸芯区域，
其中所述强化图案的抗弯刚度大于所述第二阻焊掩模，
所述强化图案包括布置为两个或更多个条的第一部分，所述第一部分的两个或更多个条在所述芯层的第二表面上沿着与所述第一方向不同的第二方向延伸，并且所述强化图案的第一部分在垂直于所述芯层的方向上的投影与所述一个或多个接触指在垂直于所述芯层的方向上的投影至少部分地重叠。


2.如权利要求1所述的衬底，其特征在于：所述一个或多个接触指在垂直于所述芯层的方向上的投影完全位于所述第一部分在垂直于所述芯层的方向上的投影内。


3.如权利要求1所述的衬底，其特征在于：所述强化图案的第一部分中的强化图案的至少两个条具有两个或更多个断开部分，并且所述两个或更多个断开部分中的至少两个在第二方向上的位置不同。


4.如权利要求1-3中任一项所述的衬底，其特征在于：所述强化图案的第一部分在垂直于所述芯层的方向上的投影与所述裸芯区域在垂直于所述芯层的方向上的投影至少部分地重叠。


5.如权利要求4所述的衬底，其特征在于：所述裸芯区域在垂直于所述芯层的方向上的投影完全位于所述强化图案的第一部分在垂直于所述芯层的方向上的投影内。


6.如权利要求1-3中任一项所述的衬底，其特征在于：所述强化图案还包括第二部分，所述第二部分在垂直于所述芯层的方向上的投影与所述裸芯区域在垂直于所述芯层的方向上的投影至少部分重叠，并且所述第二部分为不具有间断的整体。


7.如权利要求6所述的衬底，其特征在于：所述裸芯区域在垂直于所述芯层的方向上的投影完全位于所述第二部分在垂直于所述芯层的方向上的投影内。


8.如权利要求1-3中任一项所述的衬底，其特征在于：所述强化图案具有十字形布置、米字形布置和连续层布置中的一种或其组合。


9.如权利要求1-3中任一项所述的衬底，其特征在于：所述强化图案的材料选自铜、铝、银、金中的一者或其合金。


10.一种衬底，其特征在于，包括：
芯层，具有相对的第一表面和第二表面；
一个或多...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔显炉，严俊荣，狄晓峰，钱中华，钮火荣，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：新型
国别省市：美国;US