一种具有断电保护的固态硬盘制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种具有断电保护的固态硬盘，包括数据接口、电源单元、主控芯片、闪存颗粒单元、输入隔离单元，输入隔离单元包括第一MOS管、第二MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、放电电容，第一、第二MOS管均为PNP MOS管，第一MOS管的S极连接到数据接口的电源输入，G极通过第一电阻连接数据接口，D极与第二MOS管的D极相连；第二MOS管的G极和S极通过第三电阻相连，G极通过第四电阻接地，S极连接电源单元；放电电容连接第二MOS管的S极。本实用新型专利技术通过增加输入隔离单元，解决了常规固态硬盘面临的异常掉电时的存在的数据写入错误风险，具有线路简单、PCB占用空间小和增加成本少等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种具有断电保护的固态硬盘
本技术涉及存储
，尤其涉及一种具有断电保护的固态硬盘。
技术介绍
随着数据时代的来临，对存储设备固态硬盘的需求越来越大，现有的固态硬盘结构框图如图1所示。但是固态硬盘因为其自身的算法机理，在使用过程中如果出现突然的掉电情况，将会有一定几率导致填写进存储介质中的数据错误，带来数据存储错误，同时因为这种存储错误的增多，累积到一定数量后将会导致固态硬盘的触发写保护，从而固态硬盘将无法正常工作，使用其的设备也将被迫无法正常工作，于是如何更加有效针对突然掉电而引发是数据存储错误，变得非常的重要。当前具有断电保护固态硬盘结构框图如图2所示，现有的断电保护方案结构复杂，成本高昂。
技术实现思路
本技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种具有断电保护的固态硬盘，以使简化电路结构，降低成本。为了解决上述技术问题，本技术实施例提出了一种具有断电保护的固态硬盘，包括数据接口、电源单元、主控芯片、闪存颗粒单元，还包括输入隔离单元，输入隔离单元包括第一MOS管、第二MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、放电电容，第一MOS管、第二MOS管均为PNPMOS管，第一MOS管的S极连接到数据接口的电源输入，第一MOS管的G极通过第一电阻连接数据接口的电源输入且通过第二电阻接地，第一MOS管的D极与第二MOS管的D极相连；第二MOS管的G极和S极通过第三电阻相连，第二MOS管的G极通过第四电阻接地，第二MOS管的S极连接电源单元；放电电容一端接地，另一端连接第二MOS管的S极。<br>进一步地，第一MOS管的G极和S极、第二MOS管的G极和S极各并联一用于软启动的电容，延缓MOS管的开启时间。进一步地，第一MOS管的D极、第二MOS管的S极各连接一用于对电源进行滤波整形的电容。进一步地，第二MOS管的S极通过多个磁珠连接电源单元。本技术的有益效果为：本技术采用增加输入隔离单元的方法，解决了常规固态硬盘面临的异常掉电时的存在的数据写入错误风险，同时相较于目前市场其他具有掉电保护的固态硬盘产品来说，具有线路简单、PCB占用空间小和增加成本少等优点。附图说明图1是现有技术中常规的固态硬盘结构框图。图2是现有技术中具有断电保护固态硬盘结构框图。图3是本技术实施例的具有断电保护的固态硬盘的结构框图。图4是本技术实施例的输入隔离单元的电路图。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合，下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细说明。本技术实施例中若有方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……）仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，在本技术中若涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。请参照图3～图4，本技术实施例的具有断电保护的固态硬盘包括数据接口、电源单元、主控芯片、闪存颗粒单元以及输入隔离单元。输入隔离单元包括第一MOS管（即电路图中的PQ61）、第二MOS管（即电路图中的PQ38）、第一电阻（即电路图中的PMR21）、第二电阻（即电路图中的PR356）、第三电阻（即电路图中的PMR20）、第四电阻（即电路图中的PR206）、放电电容（即电路图中的PSE5）。第一MOS管、第二MOS管均为PNPMOS管，第一MOS管的S极连接到数据接口的电源输入，第一MOS管的G极通过第一电阻连接数据接口的电源输入且通过第二电阻接地，第一MOS管的D极与第二MOS管的D极相连；第二MOS管的G极和S极通过第三电阻相连，第二MOS管的G极通过第四电阻接地，第二MOS管的S极连接电源单元；放电电容一端接地，另一端连接第二MOS管的S极。如图4所示，输入隔离单元的Vin连接到数据接口的电源输入，Vout连接到固态硬盘上的电源单元上。输入隔离单元是通过2个PNPMOS管构建一个双向隔离线路，确保当Vin发生掉电情况下，2个PNP管可以迅速的切断Vin与Vout的通路，然后利用MOS管后面的100uF电容（即放电电容）做放电延时，确保10ms后Vout下降到失效电压点，从而起到了延迟断电的效果，为主控芯片的数据处理争取到足够的时间，再配合主控的数据算法优化就能有效的避免，常规固态硬盘面临的数据写入错误的情况。作为一种实施方式，第一MOS管的G极和S极、第二MOS管的G极和S极各并联一用于软启动的电容（即分别为电路图中的PC718和PC107），延缓MOS管的开启时间。作为一种实施方式，第一MOS管的D极、第二MOS管的S极各连接一用于对电源进行滤波整形的电容（即分别为电路图中的PC717和PC113，主要用于对电源进行滤波整形的）。作为一种实施方式，第二MOS管的S极通过多个磁珠（即分别为电路图中的PFB5/6/12）连接电源单元。磁珠用于滤波。本技术提供一种小型化且简易的具有断电保护的固态硬盘，通过对固态硬盘供电原理的分析，针对其供电源在突发的掉电机制，重新优化固态硬盘的供电线路，实现简易且有效的断电延迟的效果，从而解决固态硬盘在突发掉电情况下的数据错误问题。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同范围限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有断电保护的固态硬盘，包括数据接口、电源单元、主控芯片、闪存颗粒单元，其特征在于，还包括输入隔离单元，输入隔离单元包括第一MOS管、第二MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、放电电容，第一MOS管、第二MOS管均为PNP MOS管，第一MOS管的S极连接到数据接口的电源输入，第一MOS管的G极通过第一电阻连接数据接口的电源输入且通过第二电阻接地，第一MOS管的D极与第二MOS管的D极相连；第二MOS管的G极和S极通过第三电阻相连，第二MOS管的G极通过第四电阻接地，第二MOS管的S极连接电源单元；放电电容一端接地，另一端连接第二MOS管的S极。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有断电保护的固态硬盘，包括数据接口、电源单元、主控芯片、闪存颗粒单元，其特征在于，还包括输入隔离单元，输入隔离单元包括第一MOS管、第二MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、放电电容，第一MOS管、第二MOS管均为PNPMOS管，第一MOS管的S极连接到数据接口的电源输入，第一MOS管的G极通过第一电阻连接数据接口的电源输入且通过第二电阻接地，第一MOS管的D极与第二MOS管的D极相连；第二MOS管的G极和S极通过第三电阻相连，第二MOS管的G极通过第四电阻接地，第二MOS管的S极连接电源单...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹琦，谢双林，
申请(专利权)人：深圳源创存储科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44