一种除颤器用控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种除颤器用控制电路，包括三极管Q500、三极管Q502、电阻R10、电阻R20、储能电容C10、二极管D500、二极管D501、MOSFET晶体管Q501、可调电阻R30和变压器，MOSFET晶体管Q501的衬底节点上设置有二极管D502，三极管Q500的集电极分别与储能电容C10和二极管D501的正极相连，三极管Q500的发射极分别与电阻R10和三极管Q502的发射极相连，电阻R20与三极管Q502的集电极相连，三极管Q502的基极与三极管Q500的基极相连，MOSFET晶体管Q501的漏极连接二极管D500的正极，MOSFET晶体管Q501的源极与可调电阻R30的一端相连，初级线圈的一端与二极管D501的正极相连，初级线圈的另一端与二极管D500的正极相连；可以有效地保护电子线路中的精密元器件。

【技术实现步骤摘要】
一种除颤器用控制电路
本技术涉及除颤器
，更具体地，涉及一种除颤器用控制电路。
技术介绍
自动体外心脏除颤器(AED)是心脏猝死病人唯一的且有效的救护设备。随着我国经济发展和人民的生活水平的快速提高，我国每年的心脏猝死病人大约在54.5万人以上。当心脏猝死突发时，心脏除颤必须在12分钟以内进行。否则，心脏猝死病人的存活几率小于2％。在当今的繁忙的世界里，几乎没有一个国家或城市能保证让救护车带着AED在12分钟之内赶到事发现场，对心脏猝死病人进行及时的施救。因此，在大部分发达国家，AED已经进入家庭或被广泛地布置在公共场合，以便对心脏猝死病人进行及时的施救。若在3分钟内用AED施救，则有约70％的心脏猝死病人可以被活。AED全自动体外心脏除颤器的价值在于，有人群的地方就应有AED，有AED就可以挽救生命；但是现有的控制电路在除颤器设计中的应用不能有效地保护电子线路中的精密元器件，造成了精密元器件容易因各种浪涌脉冲而损坏的问题。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述弊端，本技术的目的是提供一种除颤器用控制电路，有效地保护电子线路中的精密元器件，使其避免因各种浪涌脉冲而损坏。本技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的：一种除颤器用控制电路，包括推挽式控制电路和变压器控制电路，所述推挽式控制电路与所述变压器控制电路相连，所述推挽式控制电路包括三极管Q500、三极管Q502、电阻R10和电阻R20，所述变压器控制电路包括储能电容C10、二极管D500、二极管D501、MOSFET晶体管Q501、可调电阻R30和变压器，所述变压器包括初级线圈和次级线圈，所述MOSFET晶体管Q501的衬底节点上设置有瞬态抑制二极管D502，所述瞬态抑制二极管D502的正极与所述可调电阻R30的一端相连；其中，所述三极管Q500的集电极分别与所述储能电容C10和二极管D501的正极相连，所述三极管Q500的发射极分别与所述电阻R10和所述三极管Q502的发射极相连，所述电阻R10还与所述电阻R20相连，所述电阻R20与所述三极管Q502的集电极相连，所述三极管Q502的基极与所述三极管Q500的基极相连；所述MOSFET晶体管Q501的漏极连接二极管D500的正极，所述MOSFET晶体管Q501的源极与所述可调电阻R30的一端相连，所述可调电阻R30的另一端连接所述储能电容C10的一端，所述储能电容C10的另一端连接所述二极管D501的正极，所述初级线圈的一端与所述二极管D501的正极相连，所述初级线圈的另一端与所述二极管D500的正极相连。本技术实施例的除颤器用控制电路具有以下优点：当瞬态抑制二极管D502的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，使其避免因各种浪涌脉冲而损坏。附图说明图1为本技术实施例提供的一种除颤器用控制电路的结构示意图。具体实施方式为更进一步阐述本技术为达成预定技术目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本技术提出的除颤器用控制电路其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。显然，所描述的实施例为本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术的保护范围。如图1所示，一种除颤器用控制电路，包括推挽式控制电路和变压器控制电路，所述推挽式控制电路与所述变压器控制电路相连，所述推挽式控制电路包括三极管Q500、三极管Q502、电阻R10和电阻R20，所述变压器控制电路包括储能电容C10、二极管D500、二极管D501、MOSFET晶体管Q501、可调电阻R30和变压器100，所述变压器100包括初级线圈101和次级线圈102，所述MOSFET晶体管Q501的衬底节点上设置有瞬态抑制二极管D502，所述瞬态抑制二极管D502的正极与所述可调电阻R30的一端相连；其中，所述三极管Q500的集电极分别与所述储能电容C10和二极管D501的正极相连，所述三极管Q500的发射极分别与所述电阻R10和所述三极管Q502的发射极相连，所述电阻R10还与所述电阻R20相连，所述电阻R20与所述三极管Q502的集电极相连，所述三极管Q502的基极与所述三极管Q500的基极相连；所述MOSFET晶体管Q501的漏极连接二极管D500的正极，所述MOSFET晶体管Q501的源极与所述可调电阻R30的一端相连，所述可调电阻R30的另一端连接所述储能电容C10的一端，所述储能电容C10的另一端连接所述二极管D501的正极，所述初级线圈101的一端与所述二极管D501的正极相连，所述初级线圈101的另一端与所述二极管D500的正极相连。推挽式控制电路原理：通过除颤放电电路产生PWM脉冲输入信号，初级线圈101两个极性相反的信号分别送到三极管Q500的发射极和三极管Q502的发射极；在输入信号的正半周时间里，三极管Q500因加的是反向偏压而截止，只有三极管Q502将信号放大，从基极输出；在信号负半周，三极管Q502得到正向偏压，能将这半个周期的信号放大输出，而三极管Q502截止。本技术工作原理如下：通过控制MOSFET晶体管Q501导通与关断，使得变压器100的初级线圈101储能与泄能，进而实现对储能电容C10的充电；当MOSFET晶体管Q501导通时，变压器100的初级线圈101和次级线圈102同名端相反，次级线圈102感应出负向电压，二极管D500与二极管D501反向截止，此时变压器的初级线圈101储存能量，所述可调电阻R30限制变压器100的初级线圈101导通电流；当MOSFET晶体管Q501截止时，变压器100的次级线圈102感应出正向电压，二极管D500和二极管D501正向导通，初级线圈101储存的能量释放给储能电容C10充电；由于MOSFET晶体管Q501由导通到关断瞬间会产生很大的尖峰电压，威胁MOSFET晶体管Q501正常工作，为此增加瞬态抑制二极管D502，具体的，瞬态抑制二极管D502的工作原理是：当瞬态抑制二极管D502的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，使其避免因各种浪涌脉冲而损坏。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种除颤器用控制电路，其特征在于，包括推挽式控制电路和变压器控制电路，所述推挽式控制电路与所述变压器控制电路相连，所述推挽式控制电路包括三极管Q500、三极管Q502、电阻R10和电阻R20，所述变压器控制电路包括储能电容C10、二极管D500、二极管D501、MOSFET晶体管Q501、可调电阻R30和变压器(100)，所述变压器(100)包括初级线圈(101)和次级线圈(102)，所述MOSFET晶体管Q501的衬底节点上设置有瞬态抑制二极管D502，所述瞬态抑制二极管D502的正极与所述可调电阻R30的一端相连；/n其中，所述三极管Q500的集电极分别与所述储能电容C10和二极管D501的正极相连，所述三极管Q500的发射极分别与所述电阻R10和所述三极管Q502的发射极相连，所述电阻R10还与所述电阻R20相连，所述电阻R20与所述三极管Q502的集电极相连，所述三极管Q502的基极与所述三极管Q500的基极相连；所述MOSFET晶体管Q501的漏极连接二极管D500的正极，所述MOSFET晶体管Q501的源极与所述可调电阻R30的一端相连，所述可调电阻R30的另一端连接所述储能电容C10的一端，所述储能电容C10的另一端连接所述二极管D501的正极，所述初级线圈(101)的一端与所述二极管D501的正极相连，所述初级线圈(101)的另一端与所述二极管D500的正极相连。/n...

【技术特征摘要】
1.一种除颤器用控制电路，其特征在于，包括推挽式控制电路和变压器控制电路，所述推挽式控制电路与所述变压器控制电路相连，所述推挽式控制电路包括三极管Q500、三极管Q502、电阻R10和电阻R20，所述变压器控制电路包括储能电容C10、二极管D500、二极管D501、MOSFET晶体管Q501、可调电阻R30和变压器(100)，所述变压器(100)包括初级线圈(101)和次级线圈(102)，所述MOSFET晶体管Q501的衬底节点上设置有瞬态抑制二极管D502，所述瞬态抑制二极管D502的正极与所述可调电阻R30的一端相连；
其中，所述三极管Q500的集电极分别与所述储能电容C10和二极管D...

【专利技术属性】
技术研发人员：闬国庆，
申请(专利权)人：百纳川医疗科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32