光电转换元件、成像元件、光传感器及化合物制造技术

本发明专利技术的第1课题在于提供一种具有吸收峰的半宽度窄的光电转换膜且耐热性优异的光电转换元件。并且，本发明专利技术的第2课题在于提供一种成像元件及光传感器。并且，本发明专利技术的第3课题在于提供一种新化合物。本发明专利技术的光电转换元件依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜，其中，上述光电转换膜包含式(1)所表示的化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电转换元件、成像元件、光传感器及化合物
本专利技术涉及一种光电转换元件、成像元件、光传感器及化合物。
技术介绍
近年来，正在进行具有光电转换膜的元件(例如，成像元件)的开发。关于使用光电转换膜的光电转换元件，例如，在专利文献1中公开了具有包含特定的化合物的光电转换膜的光电转换元件。以往技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-082483号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题作为成像元件的一方式，可以举出将多个所接收的光的种类不同的光电转换元件进行层叠而成的层叠型成像元件。当光向该成像元件内入射时，一部分入射光被配置在入射侧的光电转换元件吸收而所透射的光进一步被配置在内侧的光电转换元件吸收。在这种成像元件中，各光电转换元件的吸收峰的半宽度窄的容易分色，因此优选。本专利技术人等针对专利文献1中所记载的光电转换元件的特性进行研究的结果，发现光电转换元件内的光电转换膜的吸收峰的半宽度宽，需要进一步进行改善。还发现对上述光电转换元件的耐热性需要更进一步进行改善。鉴于上述实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电转换元件，其依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜，其中，/n所述光电转换膜包含式(1)所表示的化合物，/n[化学式1]/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180531 JP 2018-105215;20181127 JP 2018-2214401.一种光电转换元件，其依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜，其中，
所述光电转换膜包含式(1)所表示的化合物，
[化学式1]



式(1)中，Ar1表示可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的杂芳基，R1表示氢原子或取代基，X1表示硫原子、氧原子、硒原子、碲原子、S(＝O)、S(＝O)2、NRc1、SiRc2Rc3或CRc4Rc5，Rc1～Rc5分别独立地表示氢原子或取代基，Z1表示CRc6或氮原子，Rc6表示氢原子或取代基，L1表示碳原子、硅原子或锗原子，Ra1及Ra2分别独立地表示氢原子或取代基，Ra1与Ra2可以互相键结而形成环，B1表示可以具有取代基的芳香环，Y1表示式(1-1)所表示的基团或式(1-2)所表示的基团，A1表示包含至少2个碳原子的环，Z2表示氧原子、硫原子、＝NRZ1或＝CRZ2RZ3，RZ1表示氢原子或取代基，RZ2及RZ3分别独立地表示氰基或-COORZ4，RZ4表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的杂芳基，Rb1及Rb2分别独立地表示氰基或-COORc7，Rc7表示烷基或芳基，*表示键结位置，
其中，当Ra1及Ra2这两者选自包括氢原子及甲基的组时，所述式(1)所表示的化合物满足下述条件(1a)或下述条件(1b)，
条件(1a)：Ar1表示式(1-3)所表示的基团，
条件(1b)：B1表示具有如下取代基的芳香环，所述取代基选自包括烷基、甲硅烷基及式(1-3)所表示的基团的组中，
[化学式2]



式(1-3)中，B2表示可以具有取代基的芳香环，Rd1表示氢原子或选自包括烷基、甲硅烷基、烷氧基、烷硫基、氰基、卤素原子、芳基、杂芳基、烯基及炔基的组中的取代基，B2所具有的取代基与Rd1可以互相键结而形成非芳香环，*表示键结位置，
其中，当B2表示可以具有取代基的苯环时，Rd1表示如下取代基，所述取代基选自包括烷基、甲硅烷基、烷氧基、烷硫基、氰基、卤素原子、芳基、杂芳基、烯基及炔基的组中。


2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，
所述式(1)所表示的化合物为式(2)所表示的化合物，
[化学式3]



式(2)中，Ar1表示可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的杂芳基，A1表示包含至少2个碳原子的环，R1及R2分别独立地表示氢原子或取代基，X2表示硫原子、氧原子或硒原子，Ra5及Ra6分别独立地表示氢原子、烷基、芳基或杂芳基，Ra5与Ra6可以互相键结而形成环，B1表示可以具有取代基的芳香环，
其中，当Ra5及Ra6这两者选自包括氢原子及甲基的组时，所述式(2)所表示的化合物满足下述条件(2a)或下述条件(2b)，
条件(2a)：Ar1表示所述式(1-3)所表示的基团，
条件(2b)：B1表示具有如下取代基的芳香环，所述取代基选自包括烷基、甲硅烷基及所述式(1-3)所表示的基团的组。


3.根据权利要求2所述的光电转换元件，其中，
Ra5及Ra6分别独立地表示碳原子数3以上的烷基、芳基或杂芳基。


4.根据权利要求2或3所述的光电转换元件，其中，
所述式(2)所表示的化合物为式(2A)所表示的化合物，
[化学式4]



式(2A)中，Ar1表示可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的杂芳基，A1表示包含至少2个碳原子的环，R1及R2分别独立地表示氢原子或取代基，X2表示硫原子、氧原子或硒原子，Ra7及Ra8分别独立地表示亚芳基或杂亚芳基，L3表示单键或二价连结基团，B1表示可以具有取代基的芳香环。


5.根据权利要求2所述的光电转换元件，其中，
所述式(2)所表示的化合物为式(3)所表示的化合物，
[化学式5]



式(3)中，Ar1表示可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的杂芳基，R1～R10分别独立地表示氢原子或取代基，Ra5及Ra6分别独立地表示氢原子、烷基、芳基或杂芳基，Ra5与Ra2可以互相键结而形成环，
其中，当Ra5及Ra6这两者选自包括氢原子及甲基的组时，所述式(3)所表示的化合物满足下述条件(3a)或下述条件(3b)，
条件(3a)：Ar1表示所述式(1-3)所表示的基团，
条件(3b)：R3～R6中的至少一者表示如下基团，所述基团选自包括烷基、甲硅烷基及所述式(1-3)所表示的基团的组。


6.根据权利要求5所述的光电转换元件，其中，
Ra5及Ra6分别独立地表示碳原子数3以上的烷基、芳基或杂芳基。


7.根据权利要求5或6所述的光电转换元件，其中，
所述式(3)所表示的化合物为式(3A)所表示的化合物，
[化学式6]



式(3A)中，Ar1表示可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的杂芳基，R1～R10分别独立地表示氢原子或取代基，Ra9及Ra10分别独立地表示亚芳基或杂亚芳基，L4表示单键或二价连结基团。


8.根据权利要求2至4中任一项所述的光电转换元件，其中，
B1表示具有取代基的芳香环，
B1所具有的取代基及Ar1中的至少一者表示式(4A)所表示的基团、式(4B)所表示的基团或式(5)所表示的基团，
[化学式7]



式(4A)中，Re1～Re4分别独立地表示氢原子或取代基，Re1～Re4可以互相键结而形成环，Rf1表示烷基、氰基或卤素原子，
[化学式8]



式(4B)中，T1～T4分别独立地表示CRe12或氮原子，Re12表示氢原子或取代基，Rf2表示烷基、氰基或卤素原子，
其中，T1～T4中的至少一者表示氮原子，
并且，当式(4B)中存在多个Re12时，Re12可以互相相同也可以不同，并且，Re12可以彼此互相键结而形成环，
[化学式9]



式(5)中，Re5～Re11分别独立地表示氢原子或取代基，...

【专利技术属性】
技术研发人员：益子智之，吉冈知昭，福崎英治，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP