【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含氟聚合物的制造方法及含氟离子交换聚合物的制造方法
本专利技术涉及具有二氧戊环环结构的含氟聚合物的制造方法及含氟离子交换聚合物的制造方法。
技术介绍
具有环结构的含氟聚合物通过使包含环结构单体的单体成分聚合而得到。作为环结构单体,从合成的容易度、聚合性、得到的聚合物的特性等方面来看,已知下式m11-1所示的具有在环骨架中包含聚合性双键的二氧戊环环结构的全氟单体是有用的。对于使具有在环骨架中包含聚合性双键的二氧戊环环结构的全氟单体(以下也记作“PDD单体”。)聚合而得到的具有二氧戊环环结构的含氟聚合物,由于透明性高,因此被用于光纤的原料,由于与氧的亲和性高,因此用于要求透氧性的膜。近年来,从膜电极接合体的发电特性优异的方面来看,作为固体高分子型燃料电池用膜电极接合体的催化剂层、固体高分子电解质膜所包含的电解质材料,提出了具有环结构及离子交换基团的含氟聚合物(参照专利文献1、2)。具有离子交换基团的含氟聚合物可通过以下方法得到:使具有如-SO2F那样的可以转化为离子交换基团的前体基团的单体及根据需 ...
【技术保护点】
1.一种含氟聚合物的制造方法,其特征在于,使包含单体组合物M11及单体组合物M12中的至少一者的原料混合物聚合,/n所述单体组合物M11包含下式m11所示的全氟单体、及该全氟单体中的氟原子的至少一部分被氢原子取代而成的含氟单体m11H,/n所述单体组合物M12包含下式m12所示的全氟单体、及该全氟单体中的氟原子的至少一部分被氢原子取代而成的含氟单体m12H,/n相对于所述单体组合物M11及所述单体组合物M12的总量,所述含氟单体m11H及所述含氟单体m12H的总量为10~1100ppm,/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180518 JP 2018-0964651.一种含氟聚合物的制造方法,其特征在于,使包含单体组合物M11及单体组合物M12中的至少一者的原料混合物聚合,
所述单体组合物M11包含下式m11所示的全氟单体、及该全氟单体中的氟原子的至少一部分被氢原子取代而成的含氟单体m11H,
所述单体组合物M12包含下式m12所示的全氟单体、及该全氟单体中的氟原子的至少一部分被氢原子取代而成的含氟单体m12H,
相对于所述单体组合物M11及所述单体组合物M12的总量,所述含氟单体m11H及所述含氟单体m12H的总量为10~1100ppm,
其中,
R11、R12及R14分别独立地为氟原子、碳数1~10的全氟烷基或在碳数2~10的全氟烷基的碳-碳键间具有醚性氧原子的基团,
R13为单键、碳数1~10的全氟亚烷基或在碳数2~10的全氟亚烷基的碳-碳键间具有醚性氧原子的基团。
2.根据权利要求1所述的含氟聚合物的制造方法,其中,所述含氟单体m11H为下式m21所示的含氟单体,所述含氟单体m12H为下述式m22所示的含氟单体,
3.根据权利要求1或2所述的含氟聚合物的制造方法,其中,所述原料混合物还包含四氟乙烯。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的含氟聚合物的制造方法,其中,所述原料混合物还包含聚合介质。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的含氟聚合物的制造方法,其中,所述原料混合物不包含链转移剂。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的含氟聚合物的制造方法,其中,所述原料混合物还具有选自由下式m31所示的单体、下式m32所示的单体、下式m33所示的单体、下式m34所示的单体、下式m35所示的单体、下式m36所示的单体及下式m37所示的单体组成的组中的至少1种单体,
CF2=CF(CF2)m-Op-(CF2)n-SO2Fm33
CF2=CF(OCF2CFX)r-Ot-(CF2)s-SO2Fm34
其中,
Q为单键、碳数1~10的全氟亚烷基或在碳数2~10的全氟亚烷基的碳-碳键间具有醚性氧原子的基团,
q为0或1,
Y1为氟原子或1价的全氟有机基团,
Q1为任选具有醚性氧原子的全氟亚烷基,
Q2为单键、或任选具有醚性氧原子的全氟亚烷基,
m为0或1,p为0时m为0,
p为0或1,
n为1~12的整数,
X为氟原子或三氟甲基,
r为1~3的整数,
t为0或1,
s为1~12的整数,
RF1及RF2为碳数1~3的全氟亚烷基,RF1及RF2任选相同或不同,
RF3为碳数1~6的全氟亚烷基。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的含氟聚合物的制造方法,其中,所述原料混合物所包含的全部单体的总量中的单体组合物M11及单体组合物M12的总量的比例为20~90摩尔%。
8.一种含氟离子交换聚合物的制造方法,其特征在于,使权利要求1~7中任一项所述的含氟聚合物的制造方法中使用的、且还包含具有离子交换基团的前体基团的单体的所述原料混合...
【专利技术属性】
技术研发人员:斋藤贡,本村了,渡部浩行,
申请(专利权)人:AGC株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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