垂直腔表面发射激光器、其制造方法及其检查方法技术

本发明专利技术涉及垂直腔表面发射激光器、其制造方法及其检查方法。垂直腔表面发射激光器包括设置在半导体层上的第一绝缘膜，第一绝缘膜具有凹部、设置在第一绝缘膜的凹部中的识别标记，识别标记由金属层形成，以及设置在半导体层的上方并且覆盖第一绝缘膜和金属层的第二绝缘膜。金属层具有位于等于或低于第一绝缘膜的上表面的高度处的上表面。

【技术实现步骤摘要】
垂直腔表面发射激光器、其制造方法及其检查方法
本专利技术涉及垂直腔表面发射激光器、其制造方法以及其检查方法。
技术介绍
国际公开No.WO2015/033649(专利文献1)公开了一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)。
技术实现思路
VCSEL的外观检查是自动的，并且使用图像识别来执行。在外观检查中，将用作标准的无缺陷产品的图像与每个芯片的图像进行比较，以判断芯片是否有缺陷。但是，由于在VCSEL的每个芯片上印刷有不同的识别标记，因此即使该芯片与标准除了识别标记以外没有区别，也可能将该识别标记检测为“有缺陷”。因此，本专利技术的目的是提供一种垂直腔表面发射激光器、其制造方法及其检查方法，可以提高外观检查的准确性。根据本公开的一种垂直腔表面发射激光器包括：设置在半导体层上的第一绝缘膜，第一绝缘膜具有凹部；设置在第一绝缘膜的凹部中的识别标记，识别标记由金属层形成；以及设置在半导体层上方并且覆盖第一绝缘膜和金属层的第二绝缘膜。金属层具有位于等于或低于第一绝缘膜的上表面的高度处的上表面。根据本公开的一种制造垂直腔表面发射激本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直腔表面发射激光器，包括：/n第一绝缘膜，所述第一绝缘膜被设置在半导体层上，所述第一绝缘膜具有凹部；/n识别标记，所述识别标记被设置在所述第一绝缘膜的所述凹部中，所述识别标记由金属层形成；以及/n第二绝缘膜，所述第二绝缘膜被设置在所述半导体层上方，所述第二绝缘膜覆盖所述第一绝缘膜和所述金属层，/n其中/n所述金属层具有上表面，所述上表面位于等于或低于所述第一绝缘膜的上表面的高度处。/n

【技术特征摘要】
20190628 JP 2019-1214541.一种垂直腔表面发射激光器，包括：
第一绝缘膜，所述第一绝缘膜被设置在半导体层上，所述第一绝缘膜具有凹部；
识别标记，所述识别标记被设置在所述第一绝缘膜的所述凹部中，所述识别标记由金属层形成；以及
第二绝缘膜，所述第二绝缘膜被设置在所述半导体层上方，所述第二绝缘膜覆盖所述第一绝缘膜和所述金属层，
其中
所述金属层具有上表面，所述上表面位于等于或低于所述第一绝缘膜的上表面的高度处。


2.根据权利要求1所述的垂直腔表面发射激光器，其中
所述半导体层被暴露在所述凹部的底部处，
所述金属层被直接设置在所述半导体层上，以及
所述金属层的厚度小于或等于所述第一绝缘膜的厚度。


3.根据权利要求1或2所述的垂直腔表面发射激光器，其中
所述金属层的所述厚度为200nm或更小，以及
所述第二绝缘膜的厚度为200nm或更大。


4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：辻幸洋，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP