面发射激光器制造技术

本发明专利技术提供能够进行高速动作的面发射激光器。面发射激光器(100)具有：基板(20)；下部接触层(122)，设置在基板(20)上；半导体层的台面(30)，在下部接触层(122)上依次层叠有下部反射镜层(123)、有源层(124)、上部反射镜层(125)和上部接触层(127)；圆环状的电极(41)，设置在上部接触层(127)上；光出射窗(31)，射出电极(41)的圆环的内侧的激光，上部反射镜层(125)具有：第一区域(141)，包含电极(41)及光出射窗(31)的正下方；及第二区域(142)，包含设置有第一区域(141)的台面(30)内的第一区域(141)的周围及比台面(30)靠外侧的区域，第一区域(141)的质子的浓度比第二区域(142)的质子的浓度低。

【技术实现步骤摘要】
面发射激光器
本专利技术涉及面发射激光器。
技术介绍
被称为面发射激光器的垂直腔面发射激光器(VCSEL：VerticalCavitySurfaceEmittingLaser：垂直腔面发射激光器)是在半导体基板上具有2个反射镜层和被反射镜层夹着的有源层并相对于半导体基板的基板面沿垂直方向射出光的激光器。在面发射激光器，在有源层及反射镜层等形成台面，将台面的反射镜层的一部分选择性氧化而形成氧化层，由此形成电流限制构造。公开了在这样的面发射激光器中，通过向台面区域注入质子，减少寄生电容，能够实现高速动作(非专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2019-33210号公报非专利文献非专利文献1：Chang,C.,etal.,“氧化物注入VCSEL的寄生效应和设计考虑.”文章,IEEE光子技术快报,vol.13,No.12,Dec.2001,pp.1274-1276,XP-001076755
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在面发射激光器中，要求进一步的高速动作。用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种面发射激光器，具有：/n基板；/n下部接触层，设置在所述基板上；/n半导体层的台面，该半导体层的台面在所述下部接触层上依次层叠有下部反射镜层、有源层、上部反射镜层和上部接触层；/n圆环状的电极，设置在所述上部接触层上；及/n光出射窗，射出所述电极的圆环的内侧的激光，/n所述上部反射镜层具有：第一区域，包含所述电极及所述光出射窗的正下方；及第二区域，包含设置有所述第一区域的所述台面内的所述第一区域的周围及比所述台面靠外侧的区域，/n所述第一区域的质子的浓度比所述第二区域的质子的浓度低。/n

【技术特征摘要】
20190628 JP 2019-1220491.一种面发射激光器，具有：
基板；
下部接触层，设置在所述基板上；
半导体层的台面，该半导体层的台面在所述下部接触层上依次层叠有下部反射镜层、有源层、上部反射镜层和上部接触层；
圆环状的电极，设置在所述上部接触层上；及
光出射窗，射出所述电极的圆环的内侧的激光，
所述上部反射镜层具有：第一区域，包含所述电极及所述光出射窗的正下方；及第二区域，包含设置有所述第一区域的所述台面内的所述第一区域的周围及比所述台面靠外侧的区域，
所述第一区域的质子的浓度比所述第二区域的质子的浓度低。


2.根据权利要求1所述的面...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上大辅，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP