面发射激光器制造技术

本发明专利技术提供一种面发射激光器，所述面发射激光器能够得到与接触层的良好的欧姆接触，并且能够减少接触层中的光吸收。面发射激光器具有：基板(20)；半导体层台面(30)，所述半导体层台面(30)通过在基板(20)上依次层叠下部反射镜层(123)、有源层(124)、上部反射镜层(125)和上部接触层(127)而得到；以及电极(41)，所述电极(41)设置在上部接触层(127)上，并且上部接触层(127)含有GaAs，电极(41)中的与上部接触层(127)接触的层由含有Pt的合金层(141)构成。

【技术实现步骤摘要】
面发射激光器
本专利技术涉及面发射激光器。
技术介绍
被称为面发射激光器的垂直腔面发射激光器(VCSEL：VerticalCavitySurfaceEmittingLaser)为在半导体基板上具有两个反射镜层和被夹在反射镜层之间的有源层并且沿与半导体基板的基板表面垂直的方向射出光的激光器。在面发射激光器中，在有源层和反射镜层等中形成台面，并通过选择性地氧化台面中的反射镜层的一部分而形成氧化层，由此形成了电流限制结构(专利文献1等)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2019-33210号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题在上述面发射激光器中，为了向面发射激光器中输入电流，以将两个反射镜层和有源层夹在中间的方式设置有接触层。接触层中为了提高导电性而以高浓度掺杂有杂质元素，当射出激光的一侧的接触层的厚度厚时，会吸收激光从而导致光输出降低。因此，射出激光的一侧的接触层的厚度优选薄一些，但是当接触层的厚度过薄时，与接触层的接触电阻变高，有时无法得到良好的欧姆接触。因此，要求能够得到与接触本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种面发射激光器，其中，所述面发射激光器具有：/n基板；/n半导体层台面，所述半导体层台面通过在所述基板上依次层叠下部反射镜层、有源层、上部反射镜层和上部接触层而得到；以及/n电极，所述电极设置在所述上部接触层上，并且，/n所述上部接触层含有GaAs，/n所述电极中的与所述上部接触层接触的层为含有Pt的合金层。/n

【技术特征摘要】
20190628 JP 2019-1220481.一种面发射激光器，其中，所述面发射激光器具有：
基板；
半导体层台面，所述半导体层台面通过在所述基板上依次层叠下部反射镜层、有源层、上部反射镜层和上部接触层而得到；以及
电极，所述电极设置在所述上部接触层上，并且，
所述上部接触层含有GaAs，
所述电极中的与所述上部接触层接触的层为含有Pt的合金层。


2.如权利要求1所述的面发射激光器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳沢昌辉，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP