【技术实现步骤摘要】
多相交错降压电源和电子设备
本专利技术涉及集成电路
,尤其是涉及一种多相交错降压电源和电子设备。
技术介绍
在计算机服务器等主板上给CPU/GPU/ASIC(centralprocessingunit,中央处理器/GraphicsProcessingUnit,图形处理器/ApplicationSpecificIntegratedCircuit,专用集成电路)等高性能半导体IC(integratedcircuit,集成电路)器件供电的POL(pointofload,负载点电源)基本都是采用多相交错降压电源电路,随着IC芯片制作工艺技术的迭代升级和应用场景的需求提升,单颗芯片的核电压越来越低,电流越来越高,尺寸越来越大,导致线损在损耗中的占比越来越高。目前较为流行的多相交错降压电源电路布局方案是同一板面上、IC的单侧一字排开放置。如图1所示,为现有技术中常见的的多相交错压降电源的侧视图。在现有技术中,多相交错压降电源的布局方案是,将多相交错压降电源100’与IC器件200’设置在同一板面上且单侧一字排开放置,其中I ...
【技术保护点】
1.一种多相交错降压电源,其特征在于,用于为IC器件供电,所述多相交错降压电源包括多相支路供电模块,多相支路供电模块设置在所述IC器件所在主板的远离所述IC器件的底面上。/n
【技术特征摘要】
1.一种多相交错降压电源,其特征在于,用于为IC器件供电,所述多相交错降压电源包括多相支路供电模块,多相支路供电模块设置在所述IC器件所在主板的远离所述IC器件的底面上。
2.根据权利要求1所述的多相交错降压电源,其特征在于,在所述底面上,多相支路供电模块以所述IC器件在所述底面上的投影区域为中心等分圆周设置。
3.根据权利要求2所述的多相交错降压电源,其特征在于,
所述主板上设置所述IC器件的一面上围绕所述IC器件设置有IC器件信号平面;
多相支路供电模块设置在所述IC器件信号平面在所述底面上的投影区域内。
4.根据权利要求3所述的多相交错降压电源,其特征在于,
所述IC器件信号平面在所述底面上的投影区域为矩形;
在所述IC器件信号平面在所述底面上的投影区域的内切圆内,以所述IC器件在所述底面上的投影区域为中心等分圆周形成与多相支路供电模块数量对应的多个所述扇形区域;
多相支路供电模块对应设置在多个所述扇形区域内。
5.根据权利要求3所述的多相交错降压电源,其特征在于,
在所述主板的底面上围绕所述IC器件在所述底面上的投影区域,对应每个扇形区域内设置有所述IC器件的电源功率地平面;
每相支路供电模块对应设置在电源功率地平面上。
6.根据权利要求5所述的多相交错降压电源,其特征在于,所述电...
【专利技术属性】
技术研发人员:李硕,陈娜,
申请(专利权)人:北京比特大陆科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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