一种简易、选择性制备单晶铜箔的方法技术

本发明专利技术属于单晶铜箔制备技术领域，具体涉及一种简易、选择性制备单晶铜箔的方法。该方法首先用混合溶液对廉价的多晶铜箔进行清洗，后将铜箔置于退火炉中在接近其熔点的温度保温一段时间，使之表面熔化，然后在一定时间内降低至一定温度，进行退火处理。通过控制表面熔化温度到退火温度的降温速率，最终可以选择性制备出（111）或（110）单晶铜箔。本发明专利技术在一定程度上整合了单晶铜箔的制备工艺，减少了资源浪费，具有很大的工业化运用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种简易、选择性制备单晶铜箔的方法
本专利技术属于单晶铜箔制备
，具体涉及一种简易、选择性制备单晶铜箔的方法。
技术介绍
目前，单晶金属的制备方法主要分为提拉法和布里奇曼法，为了获取单晶的金属箔，往往需要使昂贵块体单晶经过切割、打磨、抛光等额外得工艺，增加了制备成本。此外，也可以通过将其多晶态的金属箔经过一定处理（如退火）以获得单晶箔。铜作为最常用的金属之一，其单晶比多晶具有更强的机械性能，并且由于晶界的缺失，单晶铜展示出更高的电导率，例如其通过提拉法制备的单晶铜线比其多晶室温电子迁移率高9%。原子级平整单晶铜箔拥有均匀的表面取向和一定的催化作用，故常被用作一些二维材料的生长衬底（如石墨烯、h-BN）及表面催化研究材料。目前将多晶铜箔转化为单晶铜箔的方法有：1.改良的布里奇曼法：先将多晶铜箔的一端剪为锐角尖端，之后将剪切后的铜箔通过设计的卷对卷机械装于炉中退火，实现了5×50cm2（111）单晶铜箔的动态制备。此法实际与布里奇曼法制备块状单晶金属的原理一致，均是通过施加一个温度梯度，以产生单晶从一端到另一端的单向凝固。但是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种简易、选择性制备单晶铜箔的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1）清洗铜箔，用混合溶液浸泡铜箔，再用纯净水清洗铜箔，最后将铜箔吹干；/n2）进样，将吹干后的铜箔置于高温衬底上，推入管式炉；/n3）洗气，将管式炉抽真空并充入惰性气体；/n4）表面熔化，在惰性气体与H

【技术特征摘要】
1.一种简易、选择性制备单晶铜箔的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）清洗铜箔，用混合溶液浸泡铜箔，再用纯净水清洗铜箔，最后将铜箔吹干；
2）进样，将吹干后的铜箔置于高温衬底上，推入管式炉；
3）洗气，将管式炉抽真空并充入惰性气体；
4）表面熔化，在惰性气体与H2的气氛下将铜箔升温至表面熔化温度，保温1-20min；
5）降温至退火温度，保温，保温结束后随炉冷却至室温，即得。


2.根据权利要求1所述的简易、选择性制备单晶铜箔的方法，其特征在于：所述步骤4）中表面熔化温度为1060-1080℃。


3.根据权利要求1所述的简易、选择性制备单晶铜箔的方法，其特征在于：当制备（111）单晶铜箔时，所述步骤5）中的降温速率为0.2-3℃/min。


4.根据权利要求1所述的简易、选择性制备单晶铜箔的方法，其特征在于：当制备（110）单晶铜箔时，所述步骤5）中的降温速率为5-10℃/min。


5.根据权利要求1所述的简易、选择性制备单晶铜箔的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚志强，杨文龙，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：河南;41