砷化镉的制备方法技术

本公开提供了一种成本低廉、操作简单、反应过程易控的砷化镉的制备方法，包含步骤：a.混料：将砷和镉按照2：3的摩尔比装入混料装置中，然后通入惰性气体置换混料装置中的空气，加入锆球后进行混料均匀；b.烧结：将步骤a混好的料装入烧结装置中，升温至300℃‑380℃，同时通入惰性气体，进行保温反应，反应完成后在装置内自然降温；c.破碎：将步骤b得到的物料破碎成‑50目的粒子；d.氢化：将步骤c得到的粒子进行氢化处理，氢化温度为500℃‑550℃；e.氢化处理完成后，在装置内自然降温得到砷化镉。本公开提供的砷化镉的制备方法不仅能保证反应过程中的砷和镉的化学计量比，最终得到的砷化镉中砷的含量在理论范围，并且游离镉的含量小于100ppm。

【技术实现步骤摘要】
砷化镉的制备方法
本公开涉及拓扑狄拉克材料，具体涉及砷化镉的制备方法。
技术介绍
砷化镉的化学式为Cd3As2，为灰黑色立方系晶体，其分子量为487.04，熔点为721℃，相对密度为6.2115，易溶于硝酸，微溶于盐酸，不溶于水和王水。砷化镉遇酸能释放出AsH3，遇氧化剂则能燃烧。砷化镉的能带结构具有无能隙、电子有效质量为零的线性色散关系，具有新的光、电、磁等特性。与传统半导体相比，砷化镉具有强自旋耦合，量子特性，超高迁移率及宽光谱吸收特性，因而在自旋电子、量子信息和光电探测等领域有重大应用前景。然而，目前砷化镉粉体的制备工艺鲜有报道，通常采用砷蒸气和镉蒸气高温化合而成，其制备过程不易控制，且容易造成As缺失，造成化学计量比偏移，并且含有大量的游离镉。上述的说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“
技术介绍
”构成本公开的现有技术。
技术实现思路
鉴于
技术介绍
存在的问题，本公开的目的在于提供一种成本低廉、操作简单、反应过程易控的砷化镉的制备方法。在一实施例中，本公开的砷化镉的制备方法包含步骤：<br>a.混料：将砷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种砷化镉的制备方法，其特征在于，包括步骤：/na.混料：将砷和镉按照2：3的摩尔比装入混料装置中，然后通入惰性气体置换混料装置中的空气，加入锆球后进行混料均匀；/nb.烧结：将步骤a混好的料装入烧结装置中，升温至300℃-380℃，同时通入惰性气体，进行保温反应，反应完成后在装置内自然降温；/nc.破碎：将步骤b得到的物料破碎成-50目的粒子；/nd.氢化：将步骤c得到的粒子进行氢化处理，氢化温度为500℃-550℃；/ne.氢化处理完成后，在装置内自然降温得到砷化镉。/n

【技术特征摘要】
1.一种砷化镉的制备方法，其特征在于，包括步骤：
a.混料：将砷和镉按照2：3的摩尔比装入混料装置中，然后通入惰性气体置换混料装置中的空气，加入锆球后进行混料均匀；
b.烧结：将步骤a混好的料装入烧结装置中，升温至300℃-380℃，同时通入惰性气体，进行保温反应，反应完成后在装置内自然降温；
c.破碎：将步骤b得到的物料破碎成-50目的粒子；
d.氢化：将步骤c得到的粒子进行氢化处理，氢化温度为500℃-550℃；
e.氢化处理完成后，在装置内自然降温得到砷化镉。


2.根据权利要求1所述的砷化镉的制备方法，其特征在于，在步骤a中，砷为-100目的砷粉，镉为-100目的镉粉。


3.根据权利要求1所述的砷化镉的制备方法，其特征在于，在步骤a中，砷和镉的装料量为混料装置可容纳体积的1/4-1/3。


4.根据权利要求1所述的砷化镉的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：文崇斌，朱刘，童培云，胡智向，李德官，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44