一种压控振荡器制造技术

本实用新型专利技术提供的技术方案是一种压控振荡器，包括：第一核心电路、第二核心电路和耦合电感结构；当核心电路中的开关S1和开关S2均闭合时，所述压控振荡器处于高性能状态，此时所述第一电流源及所述第二电流源的电流相等，压控振荡器的整体电流是二倍的所述第一电流源或所述第二电流源；当所述开关S1或所述开关S2只有一个闭合时，所述压控振荡器处于低功耗状态，所述第一电流源或所述第二电流源只有一个处于正常工作状态，所述压控振荡器的整体电流等于所述第一电流源或所述第二电流源的电流。因此，所述压控振荡器能够灵活配置成高性能和低功耗两种工作模式，适用于多标准和多模式芯片。

【技术实现步骤摘要】
一种压控振荡器
本技术涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种压控振荡器。
技术介绍
压控振荡器(VCO，voltage-controlledoscillator)是指输出频率与输入控制电压有对应关系的振荡电路。压控振荡器是集成电路中非常重要的基本电路之一，其电路的实现方式主要有两种，分别是环形压控振荡器(RingVCO)和电感电容压控振荡器(LCVCO)压控振荡器被广泛的应用于微处理器中的时钟同步电路；无线通信收发器中的频率综合器；光前通信中的时钟恢复电路以及多相位采样电路中。目前，对噪声要求很高的设计中，电感电容压控振荡器成为首要选择；电感电容振荡器由于其良好的相位噪声性能而广泛用来为射频通信系统提供本振信号。近年来，随着CMOS技术的发展，片上电感的实现成为了可能，这就使得全集成的片上电感电容振荡器的实现变得更加容易。相位噪声是衡量压控振荡器性能的主要参数之一。随着CMOS工艺技术的发展，对于小型化且操作于低电压下的VCO的需求逐渐增加，然而，较低的供电电压严重限制了VCO的输出电压摆幅，进而恶化了相位噪声。图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压控振荡器，其特征在于，包括：第一核心电路、第二核心电路和耦合电感结构；其中，/n所述耦合电感结构包括相互对称的差分电感L1与差分电感L2组成的耦合电感，其中，所述差分电感L1具有在第一端的中间抽头P10、连接点P11、连接点P12，所述差分电感L2具有在第二端的中间抽头P20、连接点P21、连接点P22，所述第一端与所述第二端相对而置，所述中间抽头P10与所述中间抽头P20相连并连接至电压源；/n所述第一核心电路包括NMOS管M11、NMOS管M12、第一电容、第一电流源以及开关S1；其中，所述第一电容具有连接头A11及连接头A12；所述第二核心电路包括NMOS管M21、NMOS管M...

【技术特征摘要】
1.一种压控振荡器，其特征在于，包括：第一核心电路、第二核心电路和耦合电感结构；其中，
所述耦合电感结构包括相互对称的差分电感L1与差分电感L2组成的耦合电感，其中，所述差分电感L1具有在第一端的中间抽头P10、连接点P11、连接点P12，所述差分电感L2具有在第二端的中间抽头P20、连接点P21、连接点P22，所述第一端与所述第二端相对而置，所述中间抽头P10与所述中间抽头P20相连并连接至电压源；
所述第一核心电路包括NMOS管M11、NMOS管M12、第一电容、第一电流源以及开关S1；其中，所述第一电容具有连接头A11及连接头A12；所述第二核心电路包括NMOS管M21、NMOS管M22、第二电容、第二电流源以及开关S2；其中，所述第二电容具有连接头A21及连接头A22；其中，
所述NMOS管M11的漏极、所述NMOS管M12的栅极、所述第一电容的所述连接头A11及所述差分电感L1的所述连接点P11相连；所述NMOS管M12的漏极、所述NMOS管M11的栅极、所述第一电容的所述连接头A12及所述差分电感L2的所述连...

【专利技术属性】
技术研发人员：邬成，汤小虎，陈晓哲，
申请(专利权)人：无锡有容微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32