一种SVG电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种SVG电路，包括N个直流‑直流变换单元和由门极可关断晶闸管构成的H型桥式电路；N为大于2的正整数；各所述直流‑直流变换单元并联后与所述H型桥式电路连接。本实用新型专利技术通过对级联半桥电路进行改进，减少了SVG的开关器件使用数量，降低了SVG的生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种SVG电路
本技术涉及电力电子
，特别是涉及一种SVG电路。
技术介绍
无功补偿在电力系统中的应用十分广泛。其中在改善电网的电能质量，提高系统动静态稳定性的过程中，多电平拓扑结构在高压大功率场景具有独特优势。常见的多电平拓扑结构主要有级联H桥型，飞跨电容型，二极管钳位型等。级联H桥SVG(StaticVarGenerator，静止无功发生器)在中高压无功补偿现场应用广泛，但由于大量使用功率开关器件，成本偏高。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种SVG电路，以降低工业成本。为实现上述目的，本技术提供了如下方案：一种SVG电路，包括N个直流-直流变换单元和由门极可关断晶闸管构成的H型桥式电路；N为大于2的正整数；各所述直流-直流变换单元并联后与所述H型桥式电路连接。可选的，所述直流-直流变换单元包括绝缘栅双极晶体管、电容、第一二极管和第二二极管，所述电容的一端连接所述第一二极管的阳极，所述电容的另一端连接所述绝缘栅双极晶体管的集电极和所述第二二极管的阴极，所述绝缘栅双极晶体管的发射集和所述第二二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SVG电路，其特征在于，包括N个直流-直流变换单元和由门极可关断晶闸管构成的H型桥式电路；N为大于2的正整数；各所述直流-直流变换单元并联后与所述H型桥式电路连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种SVG电路，其特征在于，包括N个直流-直流变换单元和由门极可关断晶闸管构成的H型桥式电路；N为大于2的正整数；各所述直流-直流变换单元并联后与所述H型桥式电路连接。


2.根据权利要求1所述的SVG电路，其特征在于，所述直流-直流变换单元包括绝缘栅双极晶体管、电容、第一二极管和第二二极管，所述电容的一端连接所述第一二极管的阳极，所述电容的另一端连接所述绝缘栅双极晶体管的集电极和所述第二二极管的阴极，所述绝缘栅双极晶体管的发射集和所述第二二极管的阳极连接所述第一二极管的阴极。


3.根据权利要求2所述的SVG电路，其特征在于，所述H型桥式电路包括第一门极可关断晶闸管、第二门极可关断晶闸管、第三门极可关断晶闸管、和第四门极可关断晶闸管；所述第一门极可关断晶闸管的阴极连接所述第三门极可关断晶闸管的阳极，所述第二门极可关断晶闸管的阴极连接所述第四门极可关断晶闸管的阳极，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王小军，段生强，陈什春，徐康亮，阿布都艾尼·阿布都克力木，王安强，麦迪娜·热吉甫，刘岗，
申请(专利权)人：国网新疆电力有限公司克州供电公司，
类型：新型
国别省市：新疆;65