一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构制造技术

本实用新型专利技术涉及农业覆膜技术领域，具体为一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构，包括农田，所述农田的上方堆积有第一垄堆，所述第一垄堆的顶部开设有两个种植用的浅沟，两个所述浅沟的内部均种植有农作物，所述第一垄堆的外表面覆盖有第一地膜。该大垄双行浅沟地膜覆盖结构，通过在第一垄堆上开设浅沟，并在浅沟中直接育种，然后在第一垄堆上直接覆盖第一地膜，第一地膜可以大幅度提高浅沟内部的温度，以及第一垄堆内部的温度，有利于农作物的发芽和生长，在出苗及幼苗生长期增温效果明显，对出全苗及加速发育极为有利，为后期生长发育奠定良好基础，本种植方法，效果相当于育苗移栽，但成本低，可操作性强，易推广，且没有地膜覆盖的白色污染。

A film mulching structure with large ridge, double row and shallow ditch

【技术实现步骤摘要】
一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构
本技术涉及农业覆膜
，具体为一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构。
技术介绍
黑龙江省富裕县地处松嫩平原西北部，属中温带大陆性季风气候，四季明显。年平均气温3.0℃；极端最高气温40.7℃；极端最低气温-38.5℃；年平均降水量440.5mm；全年日照时数2787.1h，无霜期120-135天，作物无霜期短。与其它地区相比，光能资源丰富，热量资源不足，热量匮乏，制约光能资源优势的发挥，补充热量可以大幅度提高我区的气候生产力。请参阅图2，图2为现有的裸地种植和正常覆盖种植两种方法，裸地种植方法只需要在农田1的上方堆积第二垄堆6即可，在第二垄堆6的上方直接种农作物4，正常覆盖种植方法在农田1的上方堆积第三垄堆7，然后在第三垄堆7的顶部种植农作物4，并在第三垄堆7的外表面覆盖第二地膜8。裸地种植方法需要再别处进行育苗，然后把幼苗移栽到第二垄堆6上，这种方式虽然保证了农作物4的正常的生长需要，但是工序繁琐，费时费力，在移栽的过程中也存在成活率低下的风险，并且成本较高，推广受到制约；而正常覆盖的种植方法能保证种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构，其特征在于：包括农田(1)，所述农田(1)的上方堆积有第一垄堆(2)，所述第一垄堆(2)的顶部开设有两个种植用的浅沟(3)，两个所述浅沟(3)的内部均种植有农作物(4)，所述第一垄堆(2)的外表面覆盖有第一地膜(5)，所述浅沟(3)的深度为十厘米。/n

【技术特征摘要】
1.一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构，其特征在于：包括农田(1)，所述农田(1)的上方堆积有第一垄堆(2)，所述第一垄堆(2)的顶部开设有两个种植用的浅沟(3)，两个所述浅沟(3)的内部均种植有农作物(4)，所述第一垄堆(2)的外表面覆盖有第一地膜(5)，所述浅沟(3)的深度为十厘米。


2.根据权利要求1所述的一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构，其特征在于：所述第一垄堆(2)的纵切面为等腰梯形，且所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：从治宇，张兴林，孙砳石，薛瑶，
申请(专利权)人：富裕县气象局，
类型：新型
国别省市：黑龙江;23