【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基于阵列的表征工具
本专利技术大体来说涉及晶片及光掩模/光罩的表征及制作，且更特定来说涉及基于阵列的表征工具。
技术介绍
半导体装置(例如，逻辑及存储器装置)的制作通常包含使用大量半导体制作及度量过程来处理半导体装置，以形成半导体装置的各种特征及多个层。选择制作过程利用光掩模/光罩在半导体装置(例如，晶片)上印刷特征。随着半导体装置在横向上越来越小且在垂直方向上延伸，开发出增强型检验与再检测装置及过程来提高光掩模/光罩以及晶片检验过程的灵敏度及吞吐量至关重要。一种表征技术包含基于电子束的表征，例如扫描电子显微术(SEM)。在一些SEM实例中，经由次级电子束聚集(例如，次级电子(SE)成像系统)执行扫描电子显微术。在一些SEM实例中，通过将单个电子束分裂成众多束且利用单个电子光学柱来个别地调谐并扫描所述众多束(例如，多束SEM系统)来执行扫描电子显微术。在一些SEM实例中，经由包含经增加数目个电子光学柱的SEM系统(例如，多柱SEM系统)来执行扫描电子显微术。SEM系统可通过聚集并分析电子束来对样本进行成像，所...
【技术保护点】
1.一种扫描电子显微术SEM系统，其包括：/n多个电子束源，其中所述电子束源中的至少一些电子束源经配置以产生初级电子束；及/n电子光学柱阵列，其包括多个电子光学柱，其中所述多个电子光学柱中的电子光学柱包括多个电子光学元件，其中所述多个电子光学元件包含：/n偏转器层，其包含经配置以接收第一电压的上部偏转器及经配置以接收额外电压的下部偏转器，其中所述偏转器层经配置以经由由所述多个电子光学柱中的至少一些电子光学柱共享的共同控制器驱动；及/n修整偏转器层，其包含经配置以接收第一修整电压的上部修整偏转器及经配置以接收额外修整电压的下部修整偏转器，其中所述修整偏转器层经配置以由个别控制...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180502 US 15/969,5551.一种扫描电子显微术SEM系统，其包括：
多个电子束源，其中所述电子束源中的至少一些电子束源经配置以产生初级电子束；及
电子光学柱阵列，其包括多个电子光学柱，其中所述多个电子光学柱中的电子光学柱包括多个电子光学元件，其中所述多个电子光学元件包含：
偏转器层，其包含经配置以接收第一电压的上部偏转器及经配置以接收额外电压的下部偏转器，其中所述偏转器层经配置以经由由所述多个电子光学柱中的至少一些电子光学柱共享的共同控制器驱动；及
修整偏转器层，其包含经配置以接收第一修整电压的上部修整偏转器及经配置以接收额外修整电压的下部修整偏转器，其中所述修整偏转器层经配置以由个别控制器驱动，
其中所述多个电子光学元件经布置以形成电子束通道，其中所述电子束通道经配置以将所述初级电子束引导到固定于载台上的样本，其中所述样本响应于所述初级电子束而发射电子束，
其中所述电子光学柱进一步包括至少一个电子检测器，其中所述电子束通道经配置以将所述电子束引导到所述至少一个电子检测器。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述上部偏转器由两个或多于两个板构成，其中所述下部偏转器由两个或多于两个板构成。
3.根据权利要求2所述的系统，其中所述多个电子光学柱中的所述至少一些电子光学柱包括：
第一电子光学柱，其包括第一偏转器层，所述第一偏转器层包含第一上部偏转器及第一下部偏转器；及
额外电子光学柱，其包括额外偏转器层，所述额外偏转器层包含额外上部偏转器及额外下部偏转器，
其中所述第一上部偏转器的所述板中的至少一些板耦合到所述额外上部偏转器的对应板且耦合到第一放大器，
其中所述第一下部偏转器的所述板中的至少一些板耦合到所述额外下部偏转器的对应板且耦合到额外放大器。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述上部偏转器及所述下部偏转器是八极束偏转器。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述上部偏转器及所述下部偏转器执行动态双偏转或动态消像散中的至少一者。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述上部修整偏转器由两个或多于两个板构成，其中所述下部修整偏转器由两个或多于两个板构成。
7.根据权利要求6所述的系统，其中所述上部修整偏转器的所述板中的至少一些板耦合到个别放大器。
8.根据权利要求6所述的系统，其中所述下部修整偏转器的所述板中的至少一些板耦合到个别放大器。
9.根据权利要求1所述的系统，其中所述上部修整偏转器及所述下部修整偏转器是八极束偏转器。
10.根据权利要求1所述的系统，其中所述上部修整偏转器及所述下部修整偏转器执行静态偏转、静态消像散、动态双偏转或动态消像散中的至少一者。
11.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个电子光学元件经布置使得所述初级电子束被引导穿过所述上部偏转器、所述上部修整偏转器、所述下部修整偏转器及所述下部偏转器。
12.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个电子光学元件经布置使得所述电子束被引导穿过所述下部偏转器、所述下部修整偏转器、所述上部修整偏转器及所述上部偏转器。
13.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个电子光学元件包括一或多个物镜。
14.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个电子光学元件经布置以形成锥形电子束通道。
15.根据权利要求14所述的系统，其中所述锥形电子束通道是经由所述多个电子光学元件中的至少一个电子光学元件中的锥形开口形成。
16.根据权利要求14所述的系统，其中所述锥形电子束通道是经由所述多个电子光学元件中的第一电子光学元件的内表面及至少一额外电子光学元件的内表面形成，其中所述第一电子光学元件的所述内表面及所述至少所述额外电子光学元件的所述内表面各自被设定成与穿过所述多个电子光学元件的中心轴线相距选定距离，其中所述第一电子光学元件的所述内表面或所述至少所述额外电子光学元件的所述内表面中的至少一者包含倾斜内表面，所述倾斜内表面基于相对于穿过所述多个电子光学元件的所述中心轴线所成的角度。
17.根据权利要求16所述的系统，其中从所述中心轴线到所述第一电子光学元件的所述内表面的所述选定距离不同于从所述中心轴线到所述至少所述额外电子光学元件的所述内表面的所述选定距离。
18.根据权利要求14所述的系统，其中所述锥形电子束通道是经由所述多个电子光学元件中的至少一个电子光学元件中的锥形开口且经由所述多个电子光学元件中的第一电子光学元件的内表面及至少一额外电子光学元件的内表面而形成，
其中所述第一电子光学元件的所述内表面及所述至少所述额外电子光学元件各自被设定成与穿过所述多个电子光学元件的中心轴线相距选定距离。
19.根据权利要求14所述的系统，其中所述锥形电子束通道随着所述初级电子束被引导到所述样本而变窄。
20.根据权利要求19所述的系统，其中所述锥形电子束通道的窄开口被调谐成所述电子束的大小。
21.根据权利要求14所述的系统，其中所述锥形电子束通道随着所述电子束被引导到所述至少一个电子检测器而变宽。
22.根据权利要求21所述的系统，其中所述锥形电子束通道的宽开口被调谐成所述至少一个电子检测器的大小。
23.一种电子光学系统，其包括：
电子光学柱阵列，其包含多个电子光学柱，其中所述多个电子光学柱中的电子光学柱包含多个电子光学元件，其中所述多个电子光学元件包含：
偏转器层，其包含经配置以接收第一电压的上部偏转器及经配置以接收额外电压的下部偏转器，其中所述偏转器层经配置以经由由所述多个电子光学柱中的至少一些电子光学柱共享的共同控制器驱动；及
修整偏转器层，其包含经配置以接收第一修整电压的上部修整偏转器及经配置以接收额外修整电压的下部修整偏转器，其中所述修整偏转器层经配置以由个别控制器驱动，
其中所述多个电子光学元件经布置以形成电子束通道，其中所述电子束通道经配置以将初级电子束引导到固定于载台上的样本，其中所述样本响应于所述初级电子束而发射电子束；且
其中所述电子光学柱进一步包括至少一个电子检测器，其中所述电子束通道经配置以将所述电子束引导到所述至少一个电子检测器。
24.一种扫描电子显微术SEM系统，其包括：
多个电子束源，其中所述电子束源中...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·利普金德，A·罗森塔尔，F·基莱塞，J·格尔林，L·穆劳伊，R·海恩斯，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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