化学机械平坦化垫的修整器及其相关方法技术

本发明专利技术描述含有经高精度塑形的表面的研磨表面及垫修整器，包含可用于修整化学机械处理CMP垫的垫修整器，及其相关方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化学机械平坦化垫的修整器及其相关方法相关申请案的交叉参考本申请案根据35USC119主张2018年5月17日申请的第62/672,938号美国临时专利申请案的权益，所述专利申请案的揭示内容的全文出于全部目的借此以引用的方式并入本文中。
以下描述涉及用于制备研磨表面的方法、装置及设备，包含在用于修整化学机械平坦化垫(CMP垫)的垫修整器中有用的研磨表面，所述化学机械平坦化垫(CMP垫)用于制造例如半导体或数字存储器工件的微电子装置或存储器衬底。
技术介绍
电子装置、微电子装置及数据存储产业依赖于用于制备微电子及存储器装置产品的工艺中组件的经高度平坦化或抛光的表面的化学机械平坦化(CMP)技术。这些类型的产品的实例是：现代电子、微电子、磁性及光学装置，其包含依赖于硅或另一半导体材料的微处理器及其它集成电路；数字(例如，固态及硬盘)存储器装置；光学材料及装置；及各种其它商业及消费型电子物品。如已知，化学机械平坦化是用于平坦化或抛光经处理以用作这些类型的产品中的一者的功能组件的工件的表面的工艺。工件(也称为“衬底”)可为工艺中微电子、半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垫修整器，其用于修整化学机械处理CMP垫，所述垫修整器包括具有平坦平台表面及从所述平坦平台表面延伸的多个高密度碳化硅突部的研磨表面，所述突部具有高精度形状。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180517 US 62/672,9381.一种垫修整器，其用于修整化学机械处理CMP垫，所述垫修整器包括具有平坦平台表面及从所述平坦平台表面延伸的多个高密度碳化硅突部的研磨表面，所述突部具有高精度形状。


2.根据权利要求1所述的垫修整器，其中所述高密度碳化硅具有小于5％的孔隙率。


3.根据权利要求1或2所述的垫修整器，其中每一突部包含在垂直方向上在所述平台表面与所述突部的最远表面之间延伸的高度，其中所述突部的高度在从20微米到100微米的范围中且所述研磨表面的突部的样本的所述高度的标准偏差小于5。


4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的垫修整器，其中每一突部包含在从10微米到200微米的范围中的基底宽度且所述研磨表面的突部的样本的所述基底宽度的标准偏差小于7微米。


5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的垫修整器，其中突部的图案化布置的突部之间的间隔在从1,000微米到10,000微米的范围中且所述研磨表面的间隔的标准偏差小于5微米。


6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的垫修整器，其中所述突部包含尖端及相对于所述平台表面倾斜的侧壁，且其中所述侧壁相对于所述平台表面的角度在从30度到70度的范围中且所述侧壁的所述角度的标准偏差小于5度。


7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的垫修整器，其中所述突部是锥形的。


8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的垫修整器，其中所述突部通过激光切割形成。


9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的垫修整器，其中所述研磨表面进一步包括沉积于所述平台表面上方的金刚石涂层及多个高密度碳化硅突部。


10.根据权利要求9所述的垫修整器，其中所述金刚石涂层是通过化学汽相沉积进行沉积。


11.一种在碳化硅本体上形成研磨表面的方法，所述方法包括：从具有高密度碳化硅表面的碳化硅块，从所述表面移除高密度碳化硅以产生从平坦平台表面延伸的多个高密度碳化硅突部...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·蒂瓦里，C·苏里亚加，B·阿灵顿，P·多林，A·A·加尔平，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：美国;US