【技术实现步骤摘要】
一种内含硫化镉/硫化锌核壳量子点的垂直腔面发射激光器及制作方法
本专利技术涉及一种内含硫化镉/硫化锌核壳量子点的垂直腔面发射激光器及制作方法,属于半导体光电子器件
技术介绍
受益于量子限域效应,半导体量子点作为光增益材料,展现出了多种优越的性能,例如发射波长随尺寸可调、潜在的低激光阈值和温度不敏感的激光性能。然而由于基态吸收的存在,量子点的带边态要实现光增益,其所含激子(吸收的光子)数必须大于最低量子态的简并度(能容纳的电子数)的一半。这限制了量子点激光器的阈值,使其难以实现连续光泵浦或电泵浦。垂直腔面发射激光器具有集成度高、易与光纤耦合、以及制备过程中可实时检测等优点。然而胶体量子点与平面腔的耦合一直没能很好地实现。目前,最常用的做法是在下高反镜上旋涂内含量子点的有机聚合物薄膜,然后在聚合物薄膜上沉积上高反镜,构成法布里-珀罗腔,但是由于有机聚合物与无机上高反镜材料的膨胀系数相差较大,很难获得高品质因子的谐振腔。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种内含硫化镉/ ...
【技术保护点】
1.一种内含硫化镉/硫化锌核壳量子点的垂直腔面发射激光器,其特征在于:包括基板(1)、下高反镜(2)、上高反镜(3)、以及内含硫化镉/硫化锌核壳量子点的主二氧化硅层(4);其中,下高反镜(2)固定覆盖设置于基板(1)的上表面,主二氧化硅层(4)固定覆盖设置于下高反镜(2)的上表面,由主二氧化硅层(4)中硫化镉/硫化锌核壳量子点的表面态发射实现超低阈值的光增益,上高反镜(3)固定覆盖设置于主二氧化硅层(4)的上表面。/n
【技术特征摘要】
1.一种内含硫化镉/硫化锌核壳量子点的垂直腔面发射激光器,其特征在于:包括基板(1)、下高反镜(2)、上高反镜(3)、以及内含硫化镉/硫化锌核壳量子点的主二氧化硅层(4);其中,下高反镜(2)固定覆盖设置于基板(1)的上表面,主二氧化硅层(4)固定覆盖设置于下高反镜(2)的上表面,由主二氧化硅层(4)中硫化镉/硫化锌核壳量子点的表面态发射实现超低阈值的光增益,上高反镜(3)固定覆盖设置于主二氧化硅层(4)的上表面。
2.根据权利要求1所述一种内含硫化镉/硫化锌核壳量子点的垂直腔面发射激光器,其特征在于:所述内含硫化镉/硫化锌核壳量子点的主二氧化硅层(4)包括二氧化硅膜(4-1)、以及嵌入二氧化硅膜(4-1)中的各个硫化镉/硫化锌核壳量子点(4-2)。
3.根据权利要求2所述一种内含硫化镉/硫化锌核壳量子点的垂直腔面发射激光器,其特征在于:所述各个硫化镉/硫化锌核壳量子点(4-2)分别均包括硫化镉量子点(4-2-1)、以及包覆在硫化镉量子点(4-2-1)表面的硫化锌壳(4-2-2)。
4.根据权利要求1所述一种内含硫化镉/硫化锌核壳量子点的垂直腔面发射激光器,其特征在于:所述下高反镜(2)为分布式布拉格反射镜,包括7个第一二氧化钛层(2-1)和6个第一二氧化硅层(2-2),各第一二氧化钛层(2-1)与各第一二氧化硅层(2-2)彼此交替堆叠。
5.根据权利要求4所述一种内含硫化镉/硫化锌核壳量子点的垂直腔面发射激光器,其特征在于:所述下高反镜(2)中各第一二氧化钛层(2-1)的光学厚度与各第一二氧化硅层(2-2)的光学厚度均为激光器发射波长的1/4。
6.根据权利要求1所述一种内含硫化镉/硫化锌核壳量子点的垂直腔面发射激光器,其特征在于:所述上高反镜(3)为分布式布拉格反射镜,包括6个第二二氧化钛层(3-1)和5个第二二氧化硅层(3-2),各第二二氧化钛层(3-1)与各第二二氧化硅层(3-2)彼此交替堆叠。
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【专利技术属性】
技术研发人员:唐路平,郭迎庆,王皖君,
申请(专利权)人:南京林业大学,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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