采用改进的化学气相沉积制备大容量光纤预制件的方法技术

本发明专利技术涉及一种利用化学气相沉积法（ＣＶＤ）制备大容量低费用光纤预制件的方法。更具体地说，所述的这种制备光纤预制件（３）的方法包括制备二氧化硅沉积管（２２）的步骤，其中掺杂了可得到低于１００ｐｐｂＯＨ基浓度的足够量的氯并且掺杂了与足够量氯的剂量成比例的一定量的氟以便得到低于天然二氧化硅的折射率，在沉积管内沉积内包层（２１）及沉积光芯（２０），按初始（原）预制件（２４）缩径沉积管以及在所得到的初始预制件上沉积所述天然二氧化硅材料的外包层（２６）。在制备光纤方面的应用。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种利用MCVD(改进的化学气相沉积)工艺制备大容量光纤预制件的方法。光纤预制件可采用CVD方法制得，比如采用MCVD(是英文“modified chemical vapor deposition”的缩写，即，改进的化学气相沉积)或者采用VAD(英文“vapor axial diposition”的缩写)方法。在采用MCVD沉积的情况下，在称为沉积管的二氧化硅管内部借助吹管沉积氧化化合物然后是玻璃化化合物的连续层。这些连续层对应于预制件的芯材及光学包层内部部分。它们具有与所希望的光纤特性相一致的可变指数。由于制备方法的经济原因都希望制取大容量的光纤预制件。还希望使用(配置)大长度的光纤以便避免连接损耗。一种预制件的容量与内包层外半径及芯材半径之间的比值有关，该比值也用b∶a比表示。对于拉制的光纤的指定芯材直径来说，预制件的容量是b∶a比值越小越容易实现。因而预制件的容量与芯材量有关，此芯材可沉积在沉积管的内部。然而当芯材靠近沉积管时对于沉积管的材料来说纯度的要求就更加严格了。它应该纯度很高，为的是避免朝向参与光传播的光纤部分有杂质迁移。反之，就可看到光传播特性的减本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备光纤预制件（３）的方法，它包括以下几个工艺步骤： －制备二氧化硅沉积管（２２），此二氧化硅掺杂了足够量的氯以便得到低于１００ｐｐｂ的ＯＨ基浓度，还掺杂了与足够的氯掺杂量成比例的一定量的氟以便得到低于天然二氧化硅的折射率； －在沉积管内部沉积内包层（２１）及光芯（２０）； －使沉积管缩径成初始预制件（２４）；以及 －在制得的初始预制件上沉积所述天然二氧化硅的外包层（２６）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杰拉德奥赛尔，马克尼科拉多特，让弗罗伦特坎品，
申请(专利权)人：阿尔卡塔尔公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]