带粘合剂层的单侧保护偏振膜、图像显示装置及其连续制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于，提供初始的再操作性、以及高温和/或高湿环境中的耐久性及导电稳定性优异、并且即使在暴露于发生结露的环境中的情况下也不易从玻璃基板等剥离的带粘合剂层的单侧保护偏振膜。本发明专利技术的带粘合剂层的单侧保护偏振膜具有仅在起偏镜的单面具有保护膜的单侧保护偏振膜、并且在上述单侧保护偏振膜的起偏镜侧直接或隔着涂敷层具有粘合剂层，上述粘合剂层含有(甲基)丙烯酸类聚合物作为基础聚合物，其重量变化率为1.1％以上，浸渍于水中之前的粘合力P

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带粘合剂层的单侧保护偏振膜、图像显示装置及其连续制造方法
本专利技术涉及具有仅在起偏镜的单面设置有保护膜的单侧保护偏振膜以及粘合剂层的带粘合剂层的单侧保护偏振膜。上述带粘合剂层的单侧保护偏振膜可以单独形成液晶显示装置(LCD)、有机EL显示装置等图像显示装置，或者以层叠有上述带粘合剂层的单侧保护偏振膜的光学膜的形式形成液晶显示装置(LCD)、有机EL显示装置等图像显示装置。
技术介绍
对于液晶显示装置而言，从其图像形成方式来看，在形成液晶面板表面的玻璃基板的两侧配置偏振膜是必不可少的。就偏振膜而言，通常使用的是在由聚乙烯醇类膜和碘等二色性材料形成的起偏镜的单面或两面利用聚乙烯醇类粘接剂等贴合保护膜而成的偏振膜。在将上述偏振膜贴合于液晶单元等时，通常要使用粘合剂。另外，由于具有能够瞬时地固定偏振膜、无需进行用于使偏振膜粘固的干燥工序等优点，因此粘合剂可预先以粘合剂层的形式被设置于偏振膜的单面。即，在偏振膜的贴合中，可使用带粘合剂层的偏振膜。另外，偏振膜、带粘合剂层的偏振膜在热冲击(例如，重复-30℃和80℃的温度条件的热冲本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带粘合剂层的单侧保护偏振膜，其具有仅在起偏镜的单面具有保护膜的单侧保护偏振膜，并且在所述单侧保护偏振膜的起偏镜侧直接或隔着涂敷层具有粘合剂层，/n所述粘合剂层含有(甲基)丙烯酸类聚合物作为基础聚合物，/n通过下述式(1)计算出的所述粘合剂层的重量变化率为1.1％以上，/n所述粘合剂层在下述条件下的粘合力P

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180626 JP 2018-1212071.一种带粘合剂层的单侧保护偏振膜，其具有仅在起偏镜的单面具有保护膜的单侧保护偏振膜，并且在所述单侧保护偏振膜的起偏镜侧直接或隔着涂敷层具有粘合剂层，
所述粘合剂层含有(甲基)丙烯酸类聚合物作为基础聚合物，
通过下述式(1)计算出的所述粘合剂层的重量变化率为1.1％以上，
所述粘合剂层在下述条件下的粘合力P0为10N/25mm以下，并且在下述条件下的粘合力P1为1.6N/25mm以上，
重量变化率(％)＝{(W1－W0)/W0}×100(1)
W0＝将所述粘合剂层在23℃下干燥2小时后的粘合剂层的重量，
W1＝将所述干燥后的所述粘合剂层在23℃、55％RH下放置5小时、进而在60℃、95％RH下放置5小时后的粘合剂层的重量，
粘合力P0：将所述带粘合剂层的单侧保护偏振膜的粘合剂层粘贴于无碱玻璃表面，在50℃、0.5atm的条件下实施了15分钟的高压釜处理后，在剥离温度23℃、剥离速度300mm/min及剥离角度90度的条件下将所述粘合剂层从所述无碱玻璃表面剥离时的粘合力，
粘合力P1：将所述带粘合剂层的单侧保护偏振膜的粘合剂层粘贴于无碱玻璃表面，接着在50℃、0.5atm的条件下进行15分钟的高压釜处理，将得到的层叠体浸渍于23℃的水中2小时，将所述层叠体从水中取出后，在剥离温度23℃、剥离速度300mm/min及剥离角度90度的条件下将所述粘合剂层从所述无碱玻璃表面剥离时的粘合力。


2.根据权利要求1所述的带粘合剂层的单侧保护偏振膜，其中，
在所述(甲基)丙烯酸类聚合物中，作为单体单元，含有：
均聚物的玻璃化转变温度小于0℃的(甲基)丙烯酸烷基酯(A)50重量％，以及
选自均聚物的玻璃化转变温度为0℃以上的(甲基)丙烯酸烷基酯(b1)、及均聚物的玻璃化转变温度为0℃以上且具有杂环的含(甲基)丙烯酰基单体(b2)中的至少一种高Tg单体(B)0.1～20重量％。


3.根据权利要求2所述的带粘合剂层的单侧保护偏振膜，其中，
所述(甲基)丙烯酸类聚合物含有除所述含(甲基)丙烯酰基单体(b2)以外的极性单体作为单体单元，且所述极性单体为选自含氮单体、含羧基单体、含羟基单体、及含芳香族基团单体中的至少一种。


4.根据权利要求3所述的带粘合剂层的单侧保护偏振膜，其中，
所述含氮单体为具有内酰胺环的乙烯基类单体。


5.根据权利要求4所述的带粘合剂层的单侧保护偏振膜，其中，
所述具有内酰胺环的乙烯基类单体为乙烯基吡咯烷酮类单体。


6.根据权利要求5所述的带粘合剂层的单侧保护偏振膜，其中，
所述乙烯基吡咯烷酮类单体为N-乙烯基吡咯烷酮。
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【专利技术属性】
技术研发人员：藤田雅人，森本有，江原卓，外山雄祐，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP